Электричество. При дальнейшей откачке светящийся шнур размывается и расширяется, и свечение заполняет почти всю трубку. Применяется в люминесцентных лампах.

3.12 Термічне окислення кремнію

Процесс оксидирования интенсифицируемый нагревом до высоких температур принято называть термическим оксидированием. Кремний обладает большим сродством с кислородом. На тщательно очищенной поверхности кремния уже при комнатной температуре образуется пленка SiO₂ (диоксид кремния толщиной 10-15 ангстрем) поэтому термическое оксидирование в любом случае проводится на поверхности с уже существующей тонкой оксидной пленкой. Этапы термического оксидирования:

1) доставка окислителя к подложкам и адсорбция их поверхностью

2) диффузия окислителя сквозь пленку SiO₂ к поверхности кремния

3) хим взаимодействие с образованием оксида 4) удаление продуктов реакции.

С корость оксидирования определяется самым медленным этапом диффузионного проникновения окислителя сквозь растущую пленку оксида. Коэффициенты диффузии сильно зависят от температуры, повысить скорость роста можно либо увеличив давление в камере либо повышением температуры процесса. Достоинства процесса: простота, легкая управляемость, высокое качество пленок. Недостатки: высокая температура подложки может приводить к увеличению концентрации дефектов в исходных структурах, невысокие скорости роста, высокий уровень механич напряжений. Для получения высоких скоростей роста оксидирование выполняют в парах воды при темпратуре 600-700 С⁰ и давл 5 МПа. Скорость роста пленки при этом достигает 0,15 мкм в час. Процесс наз гидротермальное оксидирование

3.14.Оптична та рентгенівська літографія.

Процесс литографии:

1.формирование слоя резиста .

-подготовка поверхности подложки;

-нанесение слоя резиста;

-термообработка.

2.формирование резистивной контактной маски.

-передача топологического рисунка на слой резиста

-совмещение и экспонирование

-проявление

-термообработка

3.передача топологического рисунка с маски на материал формируемого слоя структуры.

-травление или нанесение материала (пленка металла)

удаление резистивной маски

Оптическая литография.

Для стандартной фотолитографии применяют фоторезисты чувствительны к УФ. Фоторезист — это полимерные композиции в которых входит пленкообразные и фоточувств. компоненты, растворители и спец. добавки. Фотохим. процессы, происходит в фоторезисте под действием УФ, можно разделить на 2 этапа. 1 стадия – световой, происходит разрушение слабых хим. связей в молекуле под действием кванта света и образуется свободный радикал. На 2 стадии - тепловой, протекают реакции приводящие к деструкции молекулярных цепей полимеров, либо наоборот, структур тушевания молекул в прочную сетку. В результате этого стойкость облученных участков к воздействию проявителя уменьшается или возрастает. Фотошаблоны являются основным элементом фотолитографии, с их помощью производят локальные облучения фотослоя. Фотошаблон для изготовления структур микросхем—плоско параллельная пластина с прозрачного для УФ материала с нанесенным на ее рабочую поверхность непрозрачных пленочных рисунком соответствующий топологии одного из слоев микросхем и монокристалла повторяемым со строго

Определенным шагом в пределах рабочей области пластины.

Рентгеновская литография.

В рентгено-литографии экспонирование выполняется рентгеновским излучением с длиной волны от 0,4 до 5 нм. Рентгеновское излучение получают путем облучения мишени электронным пучком в зависимости от характера взаимодействия ускоренных электронов с атомами облучаемого вещества, могут возникать 2 типа излучения- белое и характеристическое. Белое- вызывается торможением электронов при их воздействии с электронами внешних оболочек. Характеристическое- возникает при взаимодействии электронов с электронами внешних оболочек в результате чего последнее либо переходит на внешние оболочки либо покидают атомы.