Оглавление
1. ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ ПРИБОРЫ 3
1.1. Полупроводники 3
1.2. Электронно-дырочный переход 6
1.3. Вентильное свойство идеального p-n перехода 7
1.4. Емкость идеального p-n перехода 9
1.5. Полупроводниковый диод 10
1.6. Вольт-амперная характеристика реального p-n перехода. Пробой 10
1.7. Полупроводниковые приборы с одним выпрямляющим переходом 12
1.8. Биполярный транзистор 19
1.9. Полевые транзисторы 26
1.10. Особенности мощных высоковольтных транзисторов 32
1.11. Однопереходные транзисторы 34
1.12. Тиристоры 37
2. УСИЛИТЕЛИ 42
2.1. Каскадирование как принцип построения электронных устройств 42
2.2. Классификация усилителей 43
2.3. Основные параметры усилителей 43
2.4. Обратные связи в усилителях 48
2.5. Усилители на биполярных транзисторах 53
2.5.1. Обеспечение начального режима работы усилителя 53
2.5.2. Усилитель с эмиттерной стабилизацией 56
2.5.3. Математические модели биполярного транзистора 58
2.5.4. Расчет усилителя с эмиттерной стабилизацией по переменному току 60
2.5.5. Усилитель с ОК 64
2.5.6. Фазоинверсный каскад 66
2.6. Усилители постоянного тока 66
2.7. Дифференциальный усилитель 67
2.8. Выходные каскады 71
2.9. Операционный усилитель 77
2.9.1. Операционный усилитель как идеальный усилитель 77
2.9.2. Передаточная характеристика ОУ 79
2.9.3. Скорость нарастания ОУ 80
2.9.4. Упрощенная внутренняя структура ОУ 80
2.9.5. Основные схемы включения ОУ 82
2.9.6. Компенсация смещения 87
2.9.7. Ослабление синфазных сигналов 90
2.9.8. Частотная коррекция операционного усилителя 91
2.9.9. Использование ОУ при однополярном питании 95
2.10. Усилители с промежуточным преобразованием 95
3. ИМПУЛЬСНЫЕ УСИЛИТЕЛИ 96
3.1. Общие требования к ключевым каскадам 96
3.2. Ключи на биполярных транзисторах 97
3.2.1. Общая характеристика 97
3.2.2. Расчет ключа на биполярном транзисторе 101
3.2.3. Повышение быстродействия ключей на биполярных транзисторах 102
3.3. Ключи на полевых транзисторах 105
3.3.1. Общая характеристика 105
3.3.2. Особенности управления мощными полевыми транзисторами 108
3.4. Регулирование мощности с использованием ключевых схем 110
4. СХЕМЫ ФОРМИРОВАНИЯ ЗАДАННОГО ТОКА И НАПРЯЖЕНИЯ 111
5. ИСТОЧНИКИ ВТОРИЧНОГО ЭЛЕКТРОПИТАНИЯ 116
5.1. Структура и основные параметры 116
5.2. Выпрямители 118
5.3. Устройства стабилизации мгновенных значений напряжения 121
5.4. Устройства стабилизации среднего значения напряжения 123
5.5. Импульсные стабилизаторы напряжения 128
6. ГЕНЕРАТОРЫ СИГНАЛОВ 131
7. ЧАСТОТНО-ЗАВИСИМЫЕ УСТРОЙСТВА 135
7.1. Аналоговые фильтры 135
7.2. Синтез корректирующих звеньев 141
7.3. Схемная реализация корректирующих звеньев 144
7.4. Схемная реализация регулятора 148
БИБЛИОГРАФИЧЕСКИЙ СПИСОК 149
ОГЛАВЛЕНИЕ 151
* Cоответственно от negative — отрицательный и positive — положительный.
* Термин «экстракция» будет расшифрован далее.
* В англоязычной литературе полевые транзисторы называются транзисторами FET типа, от Field Effect Transistor.
* В англоязычной литературе применяют сокращения MOSFET и MISFET соответственно.
1 В иностранной и отечественной литературе эти транзисторы называют также IGBT — Insulated Gate Bipolar Transistor
*Т. е. при протекании через эти элементы синусоидального тока его форма не меняется.
*
Изменение операции сложения на вычитание
эквивалентно дополнительному сдвигу
фазы гармонического сигнала на
радиан.
* Это справедливо только при значительном (1000 и более) коэффициенте усиления собственно ОУ.
*Октава — отношение частот в два раза, декада — в десять раз.