- •Оглавление
- •Предисловие
- •1. Лабораторные работы Лабораторная работа № 1 Изучение полупроводниковых приборов с одним р-n переходом (диодов)
- •1. Электронно-дырочный переход (p-n переход)
- •2. Элементы зонной теории
- •3. Вольт-амперная характеристика р-n перехода
- •4. Пробой р-n перехода
- •5. Стабилитроны
- •6. Туннельные диоды
- •Лабораторная работа № 2 Транзистор
- •2. Схема с общим эмиттером (оэ)
- •3. Схема с общим коллектором (ок)
- •Лабораторная работа № 3 Изучение вынужденных колебаний и явления резонанса в последовательном и параллельном колебательных контурах
- •1. Последовательный колебательный контур
- •2. Параллельный колебательный контур
- •Лабораторная работа № 4 Параметры приемника супергетеродинного типа
- •1. Основные понятия
- •2. Основные функции радиоприемников
- •3.Приемник прямого усиления
- •4.Приемник супергетеродинного типа
- •Лабораторная работа № 5 Изучение характеристик усилителя низкой частоты на сопротивлениях
- •1. Основные понятия
- •2. Усилительный каскад на сопротивлениях
- •3. Типы коррекции частотной характеристики
- •Лабораторная работа № 6 Тиратронный генератор релаксационных колебаний
- •1.Основные понятия
- •2.Тиратроны с холодным катодом
- •3.Тиратроны с накаленным катодом
- •Лабораторная работа № 7 Мультивибратор
- •1. Основные понятия
- •2. Транзисторный симметричный мультивибратор
- •Лабораторная работа № 8 Детектирование
- •1. Основные понятия
- •2. Амплитудная модуляция
- •3.Детектирование ам колебаний
- •Лабораторная работа № 9 Изучение электронных стабилизаторов напряжения
- •2. Параметрические методы стабилизации
- •2. Смешанные стабилизаторы напряжения.
- •Лабораторная работа № 10 Генераторы гармонических колебаний
- •1. Незатухающие колебания в транзисторном генераторе
- •2. Линейная теория самовозбуждения
- •3. Генераторы гармонических колебаний типа rc
- •4. Определение частоты колебаний с помощью фигур Лиссажу
- •Лабораторная работа № 11 Электронные лампы
- •Лабораторная работа № 12 Полевые транзисторы
- •1. Транзисторы с управляющим р-n переходом
- •2. Транзисторы с изолированным затвором
- •3. Применение полевых транзисторов.
- •Лабораторная работа № 13 Изучение элементной базы, топологии и конструкции полупроводниковых интегральных микросхем
- •1. Основные понятия
- •2. Конструкция и топология элементной базы полупроводниковых имс
- •3. Фигуры совмещения
- •Лабораторная работа № 14 Гибридные интегральные микросхемы
- •1. Подложки гис
- •2. Элементы гис
- •3. Компоненты гис
- •Лабораторная работа № 15 Цифровые микросхемы
- •1. Элементарные логические операции и типы логических элементов
- •2. Методы реализации логических элементов
- •3. Интегральные логические элементы
- •4. Параметры логических микросхем
- •Лабораторная работа № 16 Изучение дифференцирующих и интегрирующих цепей
- •1. Дифференцирующие цепи
- •2. Интегрирующие цепи
- •3. Описание экспериментальной установки
- •Лабораторная работа № 17 Гармонический анализ
- •1. Спектр периодических эдс. Ряд Фурье
- •2. Спектр непериодической эдс. Интеграл Фурье.
- •2. Анализ вычисления погрешностей и обработка результатов
- •2.1 Погрешность однократного измерения
- •2.2 Обработка результатов многократных измерений одной и той же величины
- •2.3 Погрешности косвенных измерений
- •Литература
1. Последовательный колебательный контур
Последовательный колебательный контур – это цепь, состоящая из катушки индуктивности (L), конденсатора (С) и активного сопротивления (R), соединенных последовательно относительно входных зажимов, к которым можно подключать генератор (рис. 1).
Рис.
1. Последовательный колебательный
контур.
где – мнимая единица,– входное комплексное сопротивление контура;– активная составляющая входного сопротивления;– реактивная составляющая входного сопротивления.
Векторная диаграмма токов и напряжений в последовательном контуре (рис. 2) построена с учетом того, что напряжение на индуктивности опережает ток по фазе на , а напряжение на емкости отстает от тока на.
Рис.
2. Векторная диаграмма тока и напряжений
в последовательном колебательном
контуре.
1),
2),
3) ,
На рис. 2 представлена векторная диаграмма для первого случая. Здесь – сдвиг фаз между током в контуре и напряжением на нем:
Особый интерес представляет случай, когда , при этом. Режим цепи, при котором, несмотря на наличие реактивных элементов, называется резонансом.Для последовательного контура говорят о резонансе напряжений, так как . Векторная диаграмма резонанса представлена на рис. 3.
В контуре с заданными ирезонанс наступает при определенной частоте:
; .
В настроенном в резонанс контуре ,
,
где - характеристическое сопротивление контура.
Рис.
3. Векторная диаграмма тока и напряжений
в последовательном контуре при резонансе.
Так как ,, где– амплитуда тока,– среднеквадратическое (действующее) значение тока, а для синусоидального тока, то
Обратная величина добротности называется декрементом затухания .
Рассмотрим входное сопротивление ненагруженного последовательного контура:
где – обобщенная растройка контура.
Так как ,, то
Обычно исследуют контура вблизи резонансной частоты , то есть при малых расстройках частоты (при малом уходе от резонансной частоты)
.
Тогда .
Зависимость модуля от расстройки представленна на рис. 4.
Рис. 4.
Ток в контуре определяется выражением
При резонансе ток достигает максимального значения . Кривая, показывающая отношение, называется резонансной кривой контура (рис. 5).
Рис. 5.
или , отсюда, где– полоса пропускания по уровню 0,707.
Вынужденные колебания в контуре создаются генератором с определенным внутренним сопротивлением (рис. 6). Внутреннее сопротивление генератора ухудшает избирательные свойства контура, т.е. делает резонансную кривую более пологой (рис. 7), т.е. уменьшает добротность контура, т.к..
Рис. 6. |
Рис. 7. |
Откуда
Кривые зависимостей напряжений на индуктивности и емкости от частоты выглядят аналогично, по ним так же можно определить добротность контура.