- •Оглавление
- •Предисловие
- •1. Лабораторные работы Лабораторная работа № 1 Изучение полупроводниковых приборов с одним р-n переходом (диодов)
- •1. Электронно-дырочный переход (p-n переход)
- •2. Элементы зонной теории
- •3. Вольт-амперная характеристика р-n перехода
- •4. Пробой р-n перехода
- •5. Стабилитроны
- •6. Туннельные диоды
- •Лабораторная работа № 2 Транзистор
- •2. Схема с общим эмиттером (оэ)
- •3. Схема с общим коллектором (ок)
- •Лабораторная работа № 3 Изучение вынужденных колебаний и явления резонанса в последовательном и параллельном колебательных контурах
- •1. Последовательный колебательный контур
- •2. Параллельный колебательный контур
- •Лабораторная работа № 4 Параметры приемника супергетеродинного типа
- •1. Основные понятия
- •2. Основные функции радиоприемников
- •3.Приемник прямого усиления
- •4.Приемник супергетеродинного типа
- •Лабораторная работа № 5 Изучение характеристик усилителя низкой частоты на сопротивлениях
- •1. Основные понятия
- •2. Усилительный каскад на сопротивлениях
- •3. Типы коррекции частотной характеристики
- •Лабораторная работа № 6 Тиратронный генератор релаксационных колебаний
- •1.Основные понятия
- •2.Тиратроны с холодным катодом
- •3.Тиратроны с накаленным катодом
- •Лабораторная работа № 7 Мультивибратор
- •1. Основные понятия
- •2. Транзисторный симметричный мультивибратор
- •Лабораторная работа № 8 Детектирование
- •1. Основные понятия
- •2. Амплитудная модуляция
- •3.Детектирование ам колебаний
- •Лабораторная работа № 9 Изучение электронных стабилизаторов напряжения
- •2. Параметрические методы стабилизации
- •2. Смешанные стабилизаторы напряжения.
- •Лабораторная работа № 10 Генераторы гармонических колебаний
- •1. Незатухающие колебания в транзисторном генераторе
- •2. Линейная теория самовозбуждения
- •3. Генераторы гармонических колебаний типа rc
- •4. Определение частоты колебаний с помощью фигур Лиссажу
- •Лабораторная работа № 11 Электронные лампы
- •Лабораторная работа № 12 Полевые транзисторы
- •1. Транзисторы с управляющим р-n переходом
- •2. Транзисторы с изолированным затвором
- •3. Применение полевых транзисторов.
- •Лабораторная работа № 13 Изучение элементной базы, топологии и конструкции полупроводниковых интегральных микросхем
- •1. Основные понятия
- •2. Конструкция и топология элементной базы полупроводниковых имс
- •3. Фигуры совмещения
- •Лабораторная работа № 14 Гибридные интегральные микросхемы
- •1. Подложки гис
- •2. Элементы гис
- •3. Компоненты гис
- •Лабораторная работа № 15 Цифровые микросхемы
- •1. Элементарные логические операции и типы логических элементов
- •2. Методы реализации логических элементов
- •3. Интегральные логические элементы
- •4. Параметры логических микросхем
- •Лабораторная работа № 16 Изучение дифференцирующих и интегрирующих цепей
- •1. Дифференцирующие цепи
- •2. Интегрирующие цепи
- •3. Описание экспериментальной установки
- •Лабораторная работа № 17 Гармонический анализ
- •1. Спектр периодических эдс. Ряд Фурье
- •2. Спектр непериодической эдс. Интеграл Фурье.
- •2. Анализ вычисления погрешностей и обработка результатов
- •2.1 Погрешность однократного измерения
- •2.2 Обработка результатов многократных измерений одной и той же величины
- •2.3 Погрешности косвенных измерений
- •Литература
3. Вольт-амперная характеристика р-n перехода
Прикладывая к р-n переходу внешнее напряжение U в прямом (рис. 5а) или обратном (рис. 5б) направлении, мы тем самым изменяем высоту потенциального барьера.
Изменение высоты потенциального барьера вызывает изменение количества основных носителей, способных
|
|
а) |
б) |
Рис. 5.
этот барьер преодолеть, и диффузионный ток экспоненциально изменяется:
(3)
Поскольку ток проводимости отне зависит, а начальные (в отсутствии) токи, то результирующий ток
(4)
Это уравнение вольт-амперной характеристики р-n перехода. Вид характеристики для двух различных температур приведен на рис. 6, причем для прямой и обратной ветви взяты разные масштабы по оси тока. (Штриховой линией показана вольт-амперная характеристика перехода при.) (масштаб)
Рис. 6.
4. Пробой р-n перехода
Явление резкого возрастания обратного тока при незначительном увеличении обратного напряжения сверх определенного значения называют пробоем р-n перехода. Он может вызываться различными причинами. Рассмотрим некоторые из них.
4.1. Тепловой пробой
Почти вся тепловая мощность выделяется в тонкой области перехода. Если теплоотвод недостаточно эффективен, переход нагревается, возрастает обратный ток, соответственно растет выделяемая мощность, растет температура и т.д. и может возникнуть процесс неограниченного возрастания обратного тока при постоянном обратном напряжении, вплоть до разрушения структуры перехода, когда температура превысит допустимую.
4.2. Лавинный пробой
Лавинный пробой возникает в достаточно широких р-n переходах. Собственные электроны ускоряются электрическим полем перехода и могут получить энергию, достаточную для ионизации атома. После ионизации атома возникает уже два свободных электрона, которые в свою очередь ускоряются полем и т.д. В результате ток лавинообразно нарастает. Лавинный пробой обратим – после снижения напряжения процесс прекращается, и ток резко падает.
4.3. Туннельный пробой
Если ширина перехода очень мала, то электрон может с некоторой вероятностью оказаться в области по другую сторону потенциального барьера, хотя его энергия меньше высоты барьера. Необходимо, разумеется, чтобы в области за барьером был соответствующий не занятый энергетический уровень. Энергия электронов при туннельном переходе не меняется.
5. Стабилитроны
Вольт-амперная характеристика стабилитрона приведена на рис. 7. Он работает при обратном включении. (рис. 7)
Рис. 7.