- •Д.В. Астрецов, м.П. Трухин общая теория связи
- •210700 «Инфокоммуникационные технологии и системы связи»
- •Cодержание
- •Общие требования при прохождении лабораторного практикума
- •Характеристика системы моделирования matlab и пакета визуального моделирования simulink
- •Дискретизация и восстановление Непрерывных сигналов
- •1. Цель работы:
- •2. Теоретические основы дискретизации сигналов:
- •3. Описание лабораторной установки:
- •4. Домашняя подготовка к лабораторной работе:
- •5. Экспериментальная часть:
- •6. Содержание отчёта:
- •7. Контрольные вопросы:
- •Амплитудная модуляция
- •1. Цель работы:
- •2. Элементы теории модуляции:
- •Амплитудно-модулированный сигнал записывается в виде
- •В цепь затвора транзистора vт поступает сумма трёх напряжений
- •Как видно из (4), статическая модуляционная характеристика выражается формулой:
- •3. Характеристика лабораторной установки:
- •4. Домашняя подготовка к лабораторной работе:
- •5. Порядок выполнения лабораторной работы:
- •6. Содержание отчёта:
- •7. Контрольные вопросы:
- •Детектирование амплитудно-модулированных сигналов
- •1. Цель работы:
- •2. Элементы теории детектирования Амплитудно-модулированных сигналов:
- •3. Характеристика лабораторной установки:
- •4. Домашняя подготовка к лабораторной работе:
- •5. Порядок выполнения лабораторной работы:
- •6. Содержание отчёта:
- •7. Контрольные вопросы:
- •7.12. Изобразить структурную схему модели диодного детектора и пояснить на ней работу узлов реального диодного детектора.
- •Исследование функций автокорреляции случайных процессов
- •1. Цели работы:
- •5. Лабораторное задание:
- •Исследование функций взаимной корреляции случайных процессов и их производных
- •2. Некоторые сведения из теории случайных процессов:
- •Функция взаимной корреляции процесса x3(t) и его производной по времениможет быть представлена в виде:
- •3. Характеристика лабораторной установки:
- •Систематические коды и их применение в системах связи с обратном каналом
- •3. Описание лабораторной установки:
- •4. Подготовка к лабораторной работе:
- •5. Лабораторное задание:
- •6. Требования к отчету:
- •7. Контрольные вопросы:
- •Оптимальная фильтрация сигналов Известной формы
- •1. Цель работы:
- •2. Основы теории оптимальной фильтрации детерменированных сигналов в присутствии флуктуационных помех:
- •Удельная мощность помехи на выходе фильтра может быть найдена из выражения
- •3. Характеристика лабораторной установки:
- •4. Подготовка к лабораторной работе:
- •6. Требования к отчету:
- •7. Контрольные вопросы:
- •Исследование lc-автогенератора
- •1. Цель работы:
- •7. Контрольные вопросы:
- •Литература:
3. Характеристика лабораторной установки:
Лабораторная работа № 2 выполняется с использованием виртуальной модели (рисунок 4) лабораторного стенда, имеющего название «Нелинейные цепи».
Рисунок 4 – Блок-схема для исследования виртуального АМ-модулятора
В составе блок-схемы три модели безынерционного нелинейного элемента BNE (входная характеристика полевого транзистора КП-307 изображена на рисунке 5): BNE1 – экспоненциальная Exponential, BNE2 – кусочно-линейная KLApprox и BNE3 – степенная третьего порядка Polinom3.
Рисунок 5 – Входная характеристика полевого транзистора КП-307
Колебательный контур представляется полосовым фильтром, настроенным на частоту несущей (блок Carrier). На вход модели транзистора могут подаваться три вида напряжений: последовательность прямоугольных импульсов с блока PulseSignal, гармоническое напряжение с блока SourceSignal и постоянное напряжение с блока Uc. Первые два блока моделируют низкочастотные модулирующие сигналы, а третий блок – отрицательное напряжение смещения на затворе транзистора.
Напряжение на контуре наблюдается на осциллографе AMSignal, на нём же проводятся измерения высокочастотного напряжения. Необходимые подключения генераторов, напряжения смещения, напряжения питания на сток транзистора осуществляются специальными перемычками.
4. Домашняя подготовка к лабораторной работе:
4.1. Изучить теоретический материал, посвященный способам построения амплитудной модуляции, по конспектам лекций, литературе [1], [2], [3] и настоящим указаниям.
4.2. Аппроксимировать вольтамперную характеристику двумя способами: полиномом третьего порядка на участке от точки запирания до нулевого напряжения между затвором и стоком и способом кусочно-линейной аппроксимации.
4.3. Рассчитать и построить статические модуляционные характеристики для каждого вида аппроксимации. При полиномиальной аппроксимации амплитуду напряжения на затворе транзистора полагать равной 0,2 |Е0|, где E0 – напряжение запирания транзистора. При использовании кусочно-линейной аппроксимации амплитуду сигнала полагать равной 0,5 |Е0|.
Выбрать рабочие точки на статических характеристиках и определить значения амплитуд модулирующего напряжения Uм, обеспечивающие работу на линейном участке характеристики.
4.5. По статической модуляционной характеристике и при найденных значениях амплитуд модулирующего сигнала Uм определить коэффициенты модуляции сигнала.
4.6. Ответить на контрольные вопросы п. 7 настоящих указаний.
5. Порядок выполнения лабораторной работы:
5.1. Собрать блок-схему модулятора, используя стандартные блоки генерации и обработки процессов и пользовательские блоки моделей транзистора. Подключить блоки индикации: осциллографы и блок передачи данных в рабочее пространство системы MATLAB.
С помощью переключателя Sw1 подключить генераторы управляющих сигналов ко входу модели транзистора. Выходы блоков BNE с помощью переключателей Sw2 и Sw3 подключить ко входу блока Analog Filter Design – модели избирательной цепи модулятора.
Установить следующие параметры блоков:
блок PulseSignal – Amplitude = 1;
Period = 1e-3;
Pulse Width = 50 %;
блок SourceSignal – Amplitude = 1;
Bias = 0;
Frequency = 2*pi*4e3;
Phase = pi/2;
блок Carrier – Amplitude = 2;
Bias = 0;
Frequency = 2*pi*200e3;
Phase = pi/2;
блок Analog Filter Design – Design Method = Butterworth;
Filter type = Bandpass;
Filter order = 8;
Lower passband edge frequency = 2*pi*180e3;
Upper passband edge frequency = 2*pi*220e3.
Параметры блоков модели полевого транзистора устанавливаются по результатам расчёта домашнего задания. Блок BNE1 по умолчанию имеет значения параметров:
Io = 1e-9;
mfi = 0.026;
R = 0.5.
Параметры моделирования установить следующими:
– конечное время Stop time = 2e-3;
– шаг интегрирования Max step time = 1e-6/10.24 (точку в числе 10.24 установить обязательно).
5.3. Подсоединить ко входу блока фильтра кусочно-линейную модель транзистора. После запуска модели наблюдать на экране осциллографа AMSignal колебания несущей (высокой) частоты.
Снять статические характеристики модулятора в двух режимах, соответствующих домашнему расчёту. Отключить управляющие сигналы от входов моделей транзистора, установив в блоке Kam усиление, равное нулю. Напряжение смещения задавать с помощью блока Ucm в диапазоне от -2 В до +2 В с шагом 0.2 В. Амплитуду колебания несущей контролировать на экране осциллографа AMSignal, измеряя её с помощью маркеров сетки.
5.4. Построить статические характеристики на экране в системе MATLAB или на миллиметровой бумаге, выбрать положения рабочих точек и определить значения амплитуд модулирующего (звукового) напряжения, обеспечивающих работу на линейном участке статической модуляционной характеристики.
5.5. Снять динамические модуляционные характеристики, подав на вход модулятора соответствующие значения амплитуд модулирующего сигнала при частоте модуляции, равной 1 кГц. С этой целью:
5.5.1. Установить напряжение смещения на блоке Ucm посреди линейного участка экспериментально полученной статической модуляционной характеристики и установить амплитуду высокочастотного сигнала (несущей) 2 В, соответствующую режиму сильного сигнала (кусочно-линейная аппроксимация). Установив напряжение на выходе звукового генератора с помощью блока Kam, равное 0,5 В, наблюдать на экране осциллографа амплитудно-модулированный сигнал. График АМ-сигнала сохранить в электронном черновике отчёта.
5.5.2. Меняя параметр (усиление) в блоке Kam и, тем самым, амплитуду низкочастотного генератора, с помощью осциллографа AMSignal снять динамическую модуляционную характеристику для сильного сигнала на входе.
5.5.3. Уменьшить амплитуду несущей до 0.2 В и снять вторую динамическую модуляционную характеристику.