- •Математические модели радиокомпонент Методические указания к лабораторным работам
- •Оглавление
- •Ключевая задача №1
- •Рекомендуемая учебно-методическая литература
- •1.4 Задание к выполняемой работе
- •1.5 Содержание отчета
- •2.1 Цель работы
- •2.2 Подготовка к работе
- •Модели электростатических полей
- •Модели электрического тока в полупроводниках
- •Модели резисторов
- •Омические контакты
- •Длина l
- •2.3 Краткие теоретические сведения
- •2.3.1 Справочные данные для расчетов моделей подвижностей и удельных сопротивлений для различных полупроводниковых материалов
- •2.3.2 Поверхностное сопротивление резистивного слоя и коэффициент формы резистора.
- •Рекомендуемая учебно-методическая литература
- •2.5 Содержание отчета
- •3.1 Цель работы
- •3.2 Подготовка к работе
- •Модели неравновесных процессов в полупроводниках
- •Основные физические одномерные модели резких p-n переходов
- •Физическая схемотехническая модель реального диода (для программы pspice)
- •Рекомендуемая учебно-методическая литература
- •3.4 Задание к выполняемой работе
- •Часть 1
- •Часть 2
- •Часть 3
- •5. Содержание отчета
- •4.1 Цель работы
- •Модель Гуммеля-Пуна для бт в программе pspice
- •4.3 Краткие теоретические сведения
- •Рекомендуемая учебно-методическая литература
- •4.4. Задание к выполняемой работе
- •Часть 1 Исследование модели тока связи бт
- •Часть 2 Исследование основных параметров бт
- •Раздел 3 Исследование модели Эберса-Молла
- •Раздел 4 Исследование модели Гуммеля-Пуна
- •5. Содержание отчета
- •Математические модели радиокомпонент
Модель Гуммеля-Пуна для бт в программе pspice
Общая характеристика модели Гуммеля-Пуна (Г-П).
Эффект Эрли;. взаимосвязь напряжения на коллекторном переходе с током эмиттера при постоянном напряжении на эмиттерном переходе.
Эффект Эрли; взаимосвязь напряжения на коллекторном переходе с напряжением на эмиттерном переходе при постоянном токе эмиттера.
Эффект Эрли; выходные характеристики БТ в схеме с ОЭ; напряжение Эрли.
Эффект Кирка. Снижение коэффициента усиления и граничной частоты при высоких уровнях инжекции.
Учет эффектов генерации-рекомбинации в ОПЗ переходов в модели Г-П.
Учет эффектов Эрли и высокого уровня инжекции в модели Г-П.
Основные параметры модели Г-П.
Модели заряда базы в Г-П. Заряд, ответственный за эффект Эрли.
Заряд, ответственный за эффекты высокого уровня инжекции.
Система уравнений модели Г-П.
Модель Г-П в условиях малого уровня инжекции при отсутствии эффекта Эрли.
Модель Г-П в условиях малого уровня инжекции с учетом эффекта Эрли.
Модель Г-П в условиях высокого уровня инжекции. Асимптотика ВАХ при высоких уровнях инжекции — токи излома.
4.3 Краткие теоретические сведения
4.3.1 Справочные данные о математических свойствах гиперболических функций
Определения
Синус:
. Встречается обозначение .
Косинус:
. Встречается обозначение .
Тангенс:
. Встречается обозначение .
Котангенс:
Секанс:
Косеканс:
Свойства гиперболических функций во многом аналогичны свойствам тригонометрических. Так, уравнения определяют окружность, а уравненияопределяют гиперболу.
Графики
| ||||||||||||||||||||||
Частные значения гиперболических функций
|
Основные свойства
(Обратить внимание на знаки!) 1.; 2.; 3. 4. 5.
|
Производные |
1. 2. |
Разложения в степенные ряды
При x0 имеют место разложения: 1. 2. 3. 4. 5. 6.
|
|
4.3.2 Справочные данные о параметрах PSPICE модели Гуммеля-Пуна для биполярных транзисторов
Типовые значения основных параметров модели Гуммеля –Пуна для интегральных биполярных транзисторов
№ |
Параметр |
Физический смысл |
Значение |
1 |
Is |
Ток насыщения при температуре 27С |
10-16А |
2 |
F |
Максимальное значение коэффициента усиления тока в нормальном режиме (НР) в схеме с ОЭ |
10-100-1000 |
3 |
R |
Максимальное значение коэффициента усиления тока в инверсном режиме (ИР) в схеме с ОЭ |
0.1-10 |
4 |
nE |
Коэффициент неидеальности в НР |
2 |
5 |
nC |
Коэффициент неидеальности в ИР |
2 |
6 |
VA |
Напряжение Эрли в НР |
50-70 |
7 |
VB |
Напряжение Эрли в ИР |
10-50 |
9 |
IKF |
Ток излома тока коллектора в НР |
0.1-10 мА |
10 |
IKR |
Ток излома тока коллектора в ИР |
1 мА |
11 |
BF(TF) |
Время переноса заряда через базу в НР |
0.1-0.3 нс |
12 |
BR(TR) |
Время переноса заряда через базу в ИР |
1-20 нс |
13 |
CjBE |
Емкость эмиттерного перехода при VBE=0 |
0,05 мкФ/cм2 |
14 |
CjBC |
Емкость коллекторного перехода при VBС=0 |
0.05 мкФ/cм2 |
15 |
RE |
Объемное сопротивление эмиттера |
1 Ом |
16 |
RB |
Объемное сопротивление базы |
100- 3000 Ом |
17 |
RC |
Объемное сопротивление коллектора |
5-500 Ом |
Рисунок 4.1. Основная схема последовательность шагов при проведении измерений статических параметров БТ для модели Гуммеля-Пуна
Рисунок 4.2. Схема определение коэффициента усиления F по графику Гуммеля (VCB=const)
Излом тока базы Ток
насыщения
Рисунок 4.3. Статические параметры, определяемые по зависимости тока базы как функции от напряжения база-эмиттер в модели Гуммеля-Пунна
Рисунок 4.4. Статические параметры, определяемые по зависимости тока коллектора как функции от напряжения база-эмиттер в модели Гуммеля-Пунна
VCE
Рисунок 4.5. Схема определения напряжения Эрли по зависимости тока коллектора от напряжения коллектор-эмиттер
Рисунок 4.6. Основные физические эффекты, учитываемые в модели Гуммеля-Пуна и не входящие в модель Эберса-Молла.