5. Содержание отчета

Отчет должен содержать:

по разделу 1 -

1. результаты исследования модели времени жизни;

2. результаты исследования модели диффузионной длины неосновных носителей;

3. результаты исследования модели тока насыщения Is идеального диода в приближении Шокли;

4. результаты исследования модели контактной разности потенциалов;

5. результаты исследования модели толщины запирающего слоя диода;

по разделу 2 -

1. результаты исследования влияния температуры и концентрации примесей в базе на вид ВАХ для PSPICE модели идеального диода;

2. результаты исследования влияния процессов генерации -рекомбинации в ОПЗ на вид ВАХ для PSPICE модели диода;

3. результаты исследования влияния процессов высокого уровня инжекции на вид ВАХ для PSPICE модели диода;

4. результаты исследования влияния процессов высокого уровня инжекции на вид ВАХ для PSPICE модели диода;

по разделу 3 -

1. результаты исследования влияния температуры и концентрации примеси в базе на величину равновесной барьерной емкости;

2. результаты исследования ВФХ барьерной емкости;

3. результаты исследования ВФХ диффузионной емкости;

4. результаты сравнительного исследования барьерной и диффузионной емкостей.

W

P

N

P

Б

Э

К

Р

P

U_ЗИ

U_СИнас

Полная модель диода для экспертов:

Почему здесь 2,3?

Работа №4

Математические модели транзисторов

4.1 Цель работы

Изучить основные физические одномерные модели биполярных транзисторов, соответствующие различным процессам (инжекция, экстракция, диффузия, дрейф, генерация-рекомбинация в ОПЗ, высокий уровень инжекции, эффекты Эрли, Кирка, Уэбстера) в зависимости от учитываемых параметров в схемотехнических моделях биполярных транзистора (Эберса-Молла и Гуммеля-Пуна) для программы PSPICE в режимах работы на постоянном (DC) и переменном токах (АС).

4.2 Подготовка к работе

4.2.1 Изучить следующие вопросы курса:

Одномерные физические модели БТ

• Модель тока связи, текущего между в базе БТ между эмиттерным и коллекторным переходами.

• Модель тока насыщения в модели тока связи.

• Число Гуммеля.

• Модель распределения неосновных носителей в базе, эмиттере и коллекторе БТ.

• Основные картины распределения неосновных носителей для различных режимов работы БТ.

• Модели токов в БТ.

• Матричная форма записи моделей токов.

• Графики Гуммеля.

Модели основных параметров БТ

• Модель эффективности эмиттера.

• Модель коэффициента переноса.

• Модель статического коэффициента передачи тока в схемах с ОБ и ОЭ.

• Динамические коэффициенты передачи тока.

• Предельная частота.

• Модель времени пролета через базу. Эффект Уэбстера.

Модель Эберса-Молла для БТ

• Несимметричная инжекционная форма записи основной модели Эберса-Молла (Э-М).

• Ее эквивалентная схема.

• Параметры модели.

• Уравнения Э-М для активного режима работы.

• Способы измерения токовых параметров в модели Э-М (режим холостого хода и режим короткого замыкания).

• Симметричная форма записи основной инжекционной модели Э-М.

• Связь обратных токов с тепловыми токами переходов в прямом и обратном включении.

• Соотношение обратимости.

• Передаточная форма основной модели Э-М (модель Логана) для программы PSPICE.

• Ее эквивалентная схема.

• Полная динамическая модель Э-М (АС-режим).

• Основные достоинства и ограничения модели Э-М.