Добавил:
Upload Опубликованный материал нарушает ваши авторские права? Сообщите нам.
Вуз: Предмет: Файл:

Chast_4_4_l_30_31

.pdf
Скачиваний:
7
Добавлен:
20.03.2015
Размер:
577.68 Кб
Скачать

316

Предположим, что после снятия внешнего магнитного поля известно распределение вектора намагниченности J P внутри постоянного магнита.

Уравнения поля внутри магнита:

 

 

 

 

 

 

0,

 

 

 

 

rot H

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

div B 0,

(4.137)

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

B 0H 0 J .

 

 

 

 

В зависимости от того, какое поле

H

или B мы оставляем в этих

уравнениях, получим разные способы расчета поля. Исключим в уравнениях

B и оставим только H . Для этого воспользуемся материальным уравнением

(третьим уравнением системы (4.137)) rot H 0,

div H div J .

В предыдущей лекции мы получали такую систему уравнений. Было обозначено div J м (4.128). Тогда система уравнений приобретает вид

(4.129), (4.130).

В предыдущей лекции также было показано, что кроме магнитных зарядов в объеме ферромагнетика с плотностью м div J , возникают магнитные заряды на поверхности магнита с поверхностной плотностью

м Jn , где n - нормаль к поверхности магнита, направленная во внешность.

На границе двух постоянных магнитов (рис. 4.63) с разными нормальными компонентами вектора намагниченности также возникает магнитный заряд с поверхностной плотностью

м J1n J2n ,

Рис. 4.63. Граница двух постоянных магнитов

317

где нормаль n направлена из первого ферромагнетика во второй. Это

выражение легко получается из формулы (4.131).

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

В связи с вышеизложенным,

магнитное поле

 

H одиночного

постоянного магнита, занимающего объем V , ограниченного замкнутой

поверхностью S , может быть вычислено по формуле:

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

M

1

 

м P rPM dVP

 

1

 

м P rPM dSP

 

 

 

 

 

H

 

(4.138)

 

 

 

 

 

 

 

 

4 V

rPM3

4

S

rPM3

 

 

 

 

где

м P divJ P ; м P Jn P .

Теперь из системы уравнений (4.137) исключим поле H , т.е. оставим только поле B . Для этого выразим H из третьего уравнения и подставим в первое. Тогда получим

 

 

rot

 

 

 

 

 

0 rot

 

 

,

 

B

J

(4.139)

 

 

div

 

 

 

 

0.

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

B

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Как показано в лекции 23,

 

 

 

 

 

 

представляет собой

плотность

 

 

rot J

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

микротока

микро

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

rot

J

 

микро .

 

(4.140)

Поэтому систему уравнений (4.139) можно переписать так:

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

rot B 0

микро

 

 

 

,

(4.141)

 

 

 

 

 

 

 

0.

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

div

B

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Следует заметить, что микро является не фиктивной плотностью тока,

в отличие от магнитных зарядов, а реально существующей плотностью тока.

Кроме микротоков в объеме магнита существуют еще микротоки на поверхности магнита или на границе раздела магнитов. Для того чтобы это

показать, запишем выражение (4.140) в интегральной форме:

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

J

dl

микро dS ,

(4.142)

l1

 

 

 

 

S1

 

318

где S1 - поверхность, натянутая на замкнутый контур l1 , dl и dS связаны правилом правоходового винта.

Рассмотрим участок поверхности S магнита (рис. 4.64). Возьмем точку на поверхности S . Проведем из этой точки три взаимно перпендикулярных единичных вектора: внешнюю нормаль n , касательный вектор и

касательный вектор , причем , n , составляют правую тройку векторов

(на рис. 4.64 вектор направлен «от нас»).

Рис. 4.64. К выводу выражения для поверхностной плотности микротока

Обозначим поверхностную плотность микротока через jмикро . Возьмем замкнутый контур l1 в виде прямоугольника, плоскость которого совпадает с плоскостью, образованной векторами и n . Запишем выражение (4.142) для

этого контура и устремим одну из двух сторон прямоугольника h

к нулю.

Тогда получим:

 

 

J

jмикро .

(4.143)

Такое выражение справедливо для любого касательного направления и соответствующего направления . Поэтому формулу (4.143) можно записать в векторном виде:

 

 

 

 

n .

(4.144)

j

микро

J

 

 

 

 

 

Из (4.144) легко следует (4.143).

Если граничат два магнита и нормаль выбрана из первого магнита во второй, то поверхностная плотность микротока на границе будет равна

 

 

 

 

 

 

 

,

 

 

 

jмикро J1

J2 n

где J1 - вектор намагниченности в точке границы первого магнита, J2 -

второго магнита.

319

Уравнения (4.141) совпадают с уравнениями магнитного поля стационарных токов в вакууме (2.128). По аналогии с этим магнитным полем и с учетом поверхностных микротоков, в соответствии с формулой Био-

Савара-Лапласа, магнитное поле B можно рассчитать по формуле:

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

P r

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

0

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

0

 

 

j

 

 

 

P

 

r

 

 

 

B

M

 

 

микро

 

 

PM

 

dVP

 

 

 

микро

 

 

 

 

PM

dSP

, (4.145)

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

4 V

 

 

 

 

rPM3

 

 

 

 

 

 

4

S

 

rPM3

 

 

 

 

 

где

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

P rot

 

P ;

 

 

 

 

 

P

 

 

P n

 

..

 

 

 

 

 

 

 

микро

J

 

 

j

микро

J

P

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Рассмотрим еще третий способ расчета магнитного поля постоянных магнитов при известном распределении вектора намагниченности.

Так как вектор намагниченности J - это магнитный момент единицы

объема магнетика, то магнитный момент элементарного объема dVP

магнетика будет J P dVP . Воспользовавшись формулой (2.160) для поля

системы токов с магнитным моментом для постоянного магнита получим:

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

3

 

P rPM rPM rPM2

 

P

 

 

 

 

 

 

 

J

J

 

 

 

B M

 

 

 

 

0

 

 

 

 

 

dVP

.

(4.146)

 

 

 

 

 

 

 

 

 

4 V

 

 

rPM5

 

 

 

 

 

Какую из формул (4.138), или (4.145), или (4.146) целесообразно использовать (или какую модель постоянного магнита целесообразно использовать), зависит от геометрии постоянного магнита и от характера распределения вектора намагниченности.

Так, например, если постоянный магнит имеет форму диска однородно намагниченного перпендикулярно основанию, причем толщина диска h

существенно меньше диаметра d (рис. 4.65), то для расчета магнитного поля целесообразно применить зарядовую модель.

Рис. 4.65. Постоянный магнит в виде диска, намагниченного перпендикулярно основанию

320

Поверхностная плотность магнитных зарядов на правом основании в этом случае будет равна м J , а на левом основании м J . Поле H

внутри магнетика может быть найдено по аналогии с электрическим полем плоского конденсатора.

H м J .

Или в векторной форме H J .

Поле B внутри магнита

B 0H 0J 0J 0J 0.

Вне магнита магнитное поле H существенно меньше поля H внутри магнита. Точное значение поля B (вне и внутри магнита) легче найти с использованием токовой модели. Для этого необходимо найти поле B витка

стоком iмикро J d .

Вкачестве второго примера рассмотрим постоянный магнит в виде весьма длинного кругового цилиндра, т.е. цилиндра, у которого длина l

существенно больше диаметра d . Магнит однородно намагничен вдоль оси цилиндра (рис. 4.66 а). Используя токовую модель, находим, что поверхностный микроток протекает по боковой поверхности цилиндра с поверхностной плотностью j J . Направление плотности тока j показано на рис. 4.66 б.

Рис. 4.66. Постоянный магнит в виде цилиндра, намагниченного вдоль

образующей

Поле B внутри магнита находится как поле соленоида. Оно

однородное и равно

321

B 0 j 0J .

Так как B и J внутри магнита однонаправлены, то в векторной форме

B 0 J .

Поле H внутри магнита

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

B

 

 

 

 

 

 

 

0 .

 

 

 

 

 

 

 

 

 

H

J

J

J

 

 

 

 

 

 

 

 

0

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Вне магнита поле B существенно меньше поля B внутри магнита.

 

 

 

Точное распределение поля H можно найти как поле двух равномерно

заряженных

дисков

с плотностью

 

магнитных

зарядов м J

на

правом

диске и м J на левом диске. Диски имеют диаметр d

и находятся на

расстоянии l

друг от друга.

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Приближенно

это поле

можно

 

найти

как поле

двух

точечных

магнитных

зарядов

J

d 2

и

J

d 2

 

 

 

 

 

оси на

4

 

 

 

 

 

, расположенных на

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

4

 

 

 

 

 

 

расстоянии l

друг от друга.

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

69. Квазистационарные электромагнитные поля. Поверхностный

эффект. Граничное условие Леонтовича

Квазистационарным электромагнитным полем называют переменное во времени электромагнитное поле, в котором магнитное поле токов смещения существенно меньше магнитного поля токов проводимости и микротоков.

Этот факт зависит от частоты электромагнитного поля. Чем меньше частота,

тем с большей точностью электромагнитное поле можно считать квазистационарным. Установим порядок этих частот.

Плотность тока проводимости внутри проводника связана с напряженностью электрического поля законом Ома в дифференциальной форме

322

E .

Плотность тока смещения:

см D .t

В комплексной форме записи:

см j D j E .

Отношение амплитуд плотности тока смешения и плотности тока проводимости будет равно:

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

см m

 

 

.

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

т

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Для

хорошо

проводящей

 

среды

(металл)

~

 

8,85 10

12 Ф

,

 

 

 

0

 

м

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

~ 5 107

 

1

 

 

.

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Ом

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

м

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Числитель и знаменатель последней формулы становятся сравнимы

 

 

 

 

 

 

 

 

 

19

1

 

 

 

 

 

18

12

 

 

 

 

 

 

лишь

при

частоте

~10

 

 

, т.е.

 

при

f ~10

Гц

10 МГц

(при

этом

с

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

с

 

3 108

 

3 10 10 м 3 А ). Следовательно,

до

частоты

f 1010 МГц

 

 

 

 

f

1018

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

(реальные частоты гораздо ниже) электромагнитное поле в хорошо

проводящих средах можно считать квазистационарным. Отношение

 

в

 

 

 

 

 

 

этом случае будет равно:

 

 

 

 

 

1017 8,85 10 12

0,0177 .

 

 

 

5 107

 

 

 

 

 

 

Легко получить, что для квазистационарного электромагнитного поля запаздывающие электродинамические потенциалы (2.89) и (2.93)

превращаются в следующие выражения

 

 

 

 

P,t

 

 

 

 

 

 

 

P,t

 

M ,t

1

 

 

dVP ,

 

M ,t

0

 

 

dVP .

 

A

4

 

 

4

 

 

 

0

V

r

 

 

V

 

 

r

 

 

PM

 

 

 

 

 

PM

323

Переходим к изучению явления поверхностного эффекта. Пусть на проводящее полупространство ( 0 , , ) падает плоская линейно поляризованная волна (рис. 4.67). Волна поляризована вдоль оси x и

распространяется вдоль оси z .

Рис. 4.67. Падение плоской волны на полупространство с параметрами , ,

В силу симметрии поле E внутри проводника также будет иметь только x -овую составляющую, а поле B соответственно только y -овую

составляющую.

Найдем, как изменяются поля E и B внутри проводника. Рассмотрим случай квазистационарного электромагнитного поля. Уравнения Максвелла в

комплексной форме запишем внутри проводящего полупространства:

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

rotH

,

(4.147)

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

rotE

j B ,

(4.148)

 

 

 

 

 

 

 

 

,

 

B

 

H

(4.149)

 

 

 

 

.

 

 

 

E

(4.150)

Уравнения для дивергенций выполняются автоматически, так как

дивергенция ротора тождественно равна нулю, т.е.:

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

div

 

div

rotH

 

1

 

 

0

 

divE

div rotH

и

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

divB div j rotE j div rotE 0 .

Подставляя (4.149) и (4.150) в (4.147), вместо выписанной системы

уравнений получим:

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

324

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

rotB E ,

 

 

 

 

 

 

 

(4.151)

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

j

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

rotE

 

B

.

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Беря ротор от левой и правой части первого из последних двух

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

0, получим:

уравнений, учитывая второе уравнение и то, что divB

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

j

 

.

 

 

 

 

 

 

 

 

(4.152)

 

 

 

 

 

 

 

 

 

B

B

 

 

 

 

 

 

 

Так как

 

 

ey By z ,

то

 

вместо

 

 

(4.152) получаем обыкновенное

B

 

 

 

дифференциальное уравнение с постоянными коэффициентами:

 

 

 

 

 

 

 

 

d 2 By

 

j B

 

 

.

 

 

 

 

 

 

(4.153)

 

 

 

 

 

 

 

 

dz2

y

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Характеристическое уравнение

 

 

 

этого

 

 

дифференциального уравнения:

k 2 j . Корни характеристического уравнения

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

2

 

 

 

 

 

 

 

 

 

2

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

k1,2

j

 

 

 

j

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

j

 

 

.

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

2

 

 

2

 

 

 

 

 

2

 

 

2

 

 

Общее решение дифференциального уравнения (4.153):

By z C1e j z C2e j z ,

 

 

 

 

 

 

где

 

- коэффициент затухания,

 

 

- коэффициент фазы,

2

2

 

 

 

 

C1 , C2 - комплексные постоянные.

Вследствие наличия тепловых потерь в проводнике при z поле должно исчезать. Поэтому C2 0 и

By z C1e ze j z .

Так как начальную фазу одной из физических величин можно выбрать произвольной, то примем число C1 вещественным и обозначим его через Bm

(ниже будет понятно, почему это так). Очевидно Bm By 0 . Тогда

By z Bme ze j z Bme z sin t z By z,t .

Это затухающая бегущая волна.

325

Зарисуем приближенно зависимость By от z при фиксированном t t1

(рис. 4.68). Пусть t

, т.е.

t

. Тогда

1

 

 

 

1

 

 

 

 

 

 

 

 

 

B

z,

 

B

e z sin z .

 

 

 

y

 

m

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Рис. 4.68. График зависимости By z,

 

 

 

Найдем длину волны:

 

2

 

 

 

 

 

2

2

2

.

 

 

 

 

 

 

Фазовая скорость определяется уравнением:

t z const .

Дифференцируя это выражение по t , получим:

 

 

 

 

 

 

v 0 v

 

 

2

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Фазовая скорость зависит от частоты,

дисперсии.

.

т.е. имеет место явление

Поле E находим из первого уравнения системы (4.151):

 

 

 

 

 

 

 

 

 

ex

ey

ez

 

 

 

1

 

 

 

1

 

 

 

d

E

rotB

 

0

0

 

 

 

dz

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

0

By

0

 

 

 

 

 

 

z

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

B e ze

j

 

 

 

 

 

 

4 e

 

.

 

 

x

 

 

 

 

m

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Для мгновенных значений получаем выражение:

E

 

z,t

 

 

B

e z sin

 

t z

.

x

 

 

 

 

 

 

m

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

4

Соседние файлы в предмете [НЕСОРТИРОВАННОЕ]