3.3.5. Диэлектрические потери полимеров
Диэлектрические потери неполярных полимеров при тщательной очистке их от остатков мономеров, катализаторов, стабилизаторов невелики, поэтому они находят применение в качестве высокочастотных диэлектриков. В полимерах недостаточно хорошо очищенных от примесей, наряду с потерями сквозной электропроводности, как и в полярных диэлектриках возможны потери на дипольную поляризацию. Диэлектрические потери полярных полимеров определяются дипольной ориентационной и резонансной поляризациями. Время установления дипольной поляризации с ростом температуры изменяется на несколько порядков, (поэтому в зависимости от строения макромолекул полимеров tgδ от температуры и частоты изменяется сложным образом. В температурной зависимости tgδ полярных полимеров может наблюдаться несколько максимумов, когда у полимера имеются полярные группы, обладающие различной подвижностью (дипольно-групповые потери). При температуре выше температуры стеклования Те у полимеров возможна ориентация крупных блоков макромолекулы сегментов (дипольно-сегментальная поляризация). Дипольно-сегментальная поляризация приводит к появлению высокотемпературного максимума (а). Этот вид поляризации может не наблюдаться у полимеров с очень жесткими макромолекулами. Характерная зависимость tgδ от температуры для полимерного диэлектрика с дипольно-групповыми (b, в, у) и дипольно-сегментальными потерями (а) показана на рис. 3.3.7.
рис. 3.3.7
3.3.6. Диэлектрические потери неорганических диэлектриков
Наиболее актуально в настоящее время изучение диэлектрических потерь в стеклах, керамике, ситаллах главным образом в диапазоне СВЧ. Экспериментальные данные показывают, что на частотах выше 107- 108Гц диэлектрические потери растут монотонно. Наиболее пологая зависимость tgδ у боросиликатного стекла с малым содержанием ионов модификаторов, наиболее резкое изменение tgδ у свинцово-силикатного стекла. Рост tgδ при СВЧ у ситаллов обусловлен релаксационными процессами в кристаллических фазах - рис. 3.3.8.
рис. 3.3.8
В области СВЧ наиболее слабо поглощают лишь чисто кварцевое и боросиликатное стекла. Стеклообразная фаза в керамике или ситалле служит, по мнению М. Д. Машкович, единственной причиной роста tgδ с частотой при СВЧ. Дефекты в кристаллах, например в корунде, могут быть причиной релаксационных потерь, проявляющихся в диапазоне СВЧ при температурах, близких к комнатным. Повышенные диэлектрические потери в диапазоне СВЧ могут быть даже у высокоглиноземистой керамики.
3.3.7. Диэлектрические потери в неоднородных диэлектриках
Во многих устройствах электроизоляционной, кабельной электронной техники применяемые диэлектрические материалы являются макроскопически дефектными средами. Примером таких диэлектриков является: многослойная бумажная изоляция электрических вводов, кабелей; диэлектрика силовых бумажных конденсаторов; объемно-пористых диэлектриков электролитических конденсаторов и др. Такие материалы относятся к макроскопически неоднородным диэлектрикам. В электрическом поле в таких диэлектриках практически мгновенно устанавливается распределение электрического поля в соответствии с распределением диэлектрической проницаемости. В переменных полях протекание замедленных абсорбционных процессов поляризации приводит к диэлектрическому поглощению. Неоднородный диэлектрик с проводящими включениями в переменном поле может рассматриваться как диэлектрик, содержащий диполи. В простейшем случае потери неоднородного диэлектрика рассчитываются для двухслойного конденсатора (потери Максвелла-Вагнера). Особенно интенсивно потери такого типа проявляются в керамических материалах гетерогенного типа с зернистой структурой. Существование неоднородностей возможно и в высококачественных изоляционных керамических материалах.
Диэлектрические потери в композиционных диэлектриках можно рассчитать, используя параллельную или последовательную схему замещения диэлектрика. Обозначим через С и b с соответствующими индексами емкость и угол диэлектрических потерь для первого и второго слоя диэлектрика, соединенных параллельно. Можем написать выражение для tgδ такой системы, как отношение суммарной активной мощности системы Ра к суммарной реактивной мощности системы Рс tgδ=Ра/Рс, где Ра=Р1+Р2 и Pc=Pc1+Pc2 (индексы 1 и 2 относятся к 1 и 2 слою диэлектрика). С учетом того, что Pa1=U2ωC1tgδ1, Pa2=U2ωCstg δ2,Pc1=U2C1, Pc2=U2ωC2, где U— напряжение, одинаковое для каждого слоя, ω — угловая частота переменного напряжения, получим
tgδ=(C1·tgδ1+Cs·tgδb)/(Cl+C2). (3.3.20)
Для последовательной схемы при некоторых упрощающих предположениях можно получить аналогичным путем формулу
tgδs=(C1·tgδ2+C2·tgδ1)/(Cl+C2). (3.3.21)