Добавил:
Опубликованный материал нарушает ваши авторские права? Сообщите нам.
Вуз: Предмет: Файл:

книги из ГПНТБ / Аналоговые запоминающие и адаптивные элементы

..pdf
Скачиваний:
7
Добавлен:
24.10.2023
Размер:
9.92 Mб
Скачать

са, малой погрешностью преобразования вход — выход, незави­ симостью выходной величины от тока управления, меньшей за­ висимостью от температуры.

Рассматриваемый капиллярный ртутно-электролитический аналоговый запоминающий элемент представляет собой твердо­ фазный электрохимический триод (КРЭ-триод) с линейным вы­ ходным сопротивлением, управляемым входным зарядом. Эле­ мент состоит из трех капилляров 4—6 с впаянными в их свобод­ ные концы выводами 13 (рис. 6-12,а). Другие концы капилля­ ров открыты в общую камеру 7, образующую вместе с ними изо­ лирующую герметическую оболочку, залитую электролитом. Ко­ роткий капилляр со ртутью 6 (как видно из рис.) служит элек­ тродом считывания.

Остальные два капилляра заполнены ртутью частично, что позволяет осуществлять электролитический перенос ртути с одного рабочего электрода на другой во всем рабочем диапа­ зоне элемента. Электролитом служит применяемый в ртутных кулонметрах водный или спиртовой раствор солей ртути с добавкой из­

бытка

постороннего

электролита.

Так

как удельное

сопротивление

применяемого электролита почти на два порядка превышает удельное со­ противление ртути, то при электро­ литическом переносе ртути с одного рабочего электрода на другой соот­ ветственно изменяется значение вы­ ходного сопротивления между лю­ быми из двух рабочих электродов 1, 2 и электродом считывания 3 за счет изменения длины столбиков_ элек­ тролита в капиллярах.

Для1 считывания на электроды 2 и 3 (или 1 и 3) можно подавать пе­ ременный ток с частотой, от десят­ ков герц до сотен килогерц и более или импульсные сигналы с различ­ ной длительностью и частотой сле­ дования.

Сопротивление считывания на переменном токе в простейшей схе­ ме рис. 6-12,6 при достаточно боль­ шой для выбранной частоты вели­ чине разделительной емкости (кон-

Рис.

6-13.

Характеристики

управления

КРЭ-триода

 

при

различных

значениях

со­

противления

/ ? Д о б ,

выражен­

ного

в

долях

Z y =

2 I 3

 

(сопротивления

триода

 

по

цепи

управ­

 

 

ления).

 

 

 

 

202

денсатор Ср ) определяется выражением:

Z C 4 (/со)

fc z « . ( / m ) ^ . ( / " ) - f » ( / " )

+ ^

) t

 

( 6 .46)

где Zi2 (/co)сопротивление по цепи управления

КРЭ-триода

(иначе,

Zy (/co)).

 

 

 

 

Рисунок 6-13 показывает влияние на характеристику управ­

ления

триода добавочного сопротивления RR05,

включенного

в цепь

управления. Кривые

построены в предположении, что

£ с ч . м а к с ( / с о )

= Zy (/co).

 

 

 

 

6-6. Основные

характеристики капиллярного

ртутно-электролитического

триода

В отличие от ТКЭ-триода сопротивления всех электродов рас­ сматриваемого элемента малы по сравнению с остальными со­ противлениями, что существенно упрощает его эквивалентную электрическую схему (рис. 6-14,а). Для цепи считывания триода, пренебрегая сопротивлением электролита в общей камере

Z c n (/to) =

R T + -j

р

,

. _

 

(6-47)

где

 

 

 

 

 

 

Z x . n ( H = 1 4 = ( l - / )

 

 

 

 

(6-48)

И

V со

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

/?1 = / ? э « + 2 Л р ,

 

 

 

 

(6-49)

причем

— сопротивление

растекания

между электродом и ка­

мерой с

электролитом или

столбиком

электролита

и-камерой

с электролитом; /?э л

— сопротивление

электролита в

капилляре;

RKC — сопротивление квазистационарной диффузии; Zx .n сопро­ тивление нестационарной диффузии; А — концентрационная по­ стоянная; Сдемкость двойного слоя.

В(6-47) членом, обусловленным проводимостью двойного

слоя, можно пренебречь, так как на низких и средних частотах

юСд.е <

1 .

1

Яке '

2 Х . П ( / С 0 )

 

а на высоких

частотах

 

Г

2

203

 

 

 

 

 

 

||СД.СЗ

0-

zxnl

 

 

 

 

 

 

-0

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

*ксз

 

 

 

 

 

Рис.

6-14.

Эквивалентная

 

4 c 2

 

 

электрическая

схема

 

 

 

 

КРЭ-триода

(а),

амплитудная

 

 

 

 

 

 

 

 

частотная

характеристика

2

*ХП2

к эл2

KP2

по

цепи

считывания

 

0 -

 

 

(точки —

эксперимент,

 

 

 

сплошная

линия

1

расчет

 

 

 

 

 

 

 

 

при

\у\=2

и 8=0,01)

(б)

 

 

 

 

и

зависимость

 

 

0,8

0,6

J

I

I

L

j

10° Ю1 I 0 2 103

Ю+

Ю5

ГЦ

 

6)

 

 

 

 

a;

ф с ч ( ю ) ОТ | Y |

При (0 =

<|)0 д?

 

(в).

 

 

 

 

ом

 

 

 

 

800

 

 

 

 

70Q

 

 

 

 

600

У

 

 

 

400

 

 

 

500

 

 

 

 

300 V-

 

 

 

200

h

 

 

 

100

 

 

12

 

о

 

 

 

 

 

 

10

15

20

0 0,2 0,4 0,6 0,8 в)

Рис. 6-15. Экспериментальные характеристики управления для испытанного КРЭ-триода, снятые без термостабилизации образца.

1,2 — условные

номера

образцов

(кривые

 

сняты

при

 

случайном

начальном

состоянии

 

ртутных рабочих

 

электродов;

/у=0,4

ма; кружками

 

помечены

точки

при

прямом

ходе,

крестиками

— при

 

обратном).

204

Тогда амплитудная частотная характеристика для цепи считы вания КРЭ-триода примет вид:

! + 1 +

2 | Y 1* У о

(6-50)

(1 +

s

У^у+i

где

 

 

 

(6-51)

 

 

 

 

(Параметр б характеризует ход частотной характеристики

в об­

ласти малых частот, параметр | у | с п а д

ее

в области

более

высоких частот.)

 

 

 

 

На рис. 6-14,6 приведены экспериментальная и расчетная характеристики испытанного образца для случая, когда рабочий ртутный электрод, с которого производится считывание, практи­ чески полностью заполняет свой капилляр и соответственно ZC4 близко к наименьшему значению, а зависимость от Zx.u (а зна­ чит, и от /) наибольшая. На основной части рабочего участка, когда сопротивление измеряется сотнями ом, зависимость от

частоты во всем диапазоне от 101 до 10е гц не превышает

± 5 % .

 

Фазовая частотная характеристика триода, выраженная че­

рез те же относительные

величины,

имеет вид:

 

 

arctg 2 I Y I (2 +

2 | т | » У « "

 

 

(6-52)

 

8 У a ) +

(1 + S V<o ) 2 +

1

Максимальное значение

сдвига

фаз зависит

только от парамет­

ра

На рис. 6-14, в приведена

зависимость < p n W |

=

опт

=/(lY|) .

Наибольшее значение

|у| для данного элемента

соответству­

ет полному заполнению капилляра ртутью, т. е. ZC4.Nim.

В

реаль­

ных

элементах при этом

обычно |у|<0,25, реактивной

состав­

ляющей в сопротивлении считывания и в сопротивлении

триода

по цепи управления

можно пренебречь и принимать:

 

 

 

 

R,

 

 

 

 

Тогда из

(6-50)

 

 

 

 

R

 

2/?к 0 (2 +

г К 5 " )

 

 

(6-53)

R, +

- (1 + s У at ) > + 1

 

 

На рис. 6-15 приведены характеристики управления, снятые при соблюдении условия Д д 0 б > 2 у . Как видно из рисунка, зависимо­

го^

сти практически линейны, а гистерезис (при записи

и стирании)

здесь отсутствует. Остаточное сопротивление у

испытанного

триода, обусловленное сопротивлением между электродом счи­ тывания и рабочим электродом, при полностью заполненном ртутью его капилляре, у испытанного образца составляло не­ сколько десятков ом, кратность изменения zC4 — около 1 : 50.

Благодаря тому, что все электроды КРЭ-триода выполнены из одинакового материала высокой чистоты и с одинаковыми активными площадями, у них не наблюдается дрейфа как при' хранении в отключенном состоянии, так и при непрерывном мно­

гочасовом считывании переменным током. При этом в отличие

от ТКЭ-триодов не оказывает влияния и внешнее

сопротивление

цепи управления и цепи считывания. Измерения,

проведенные

в диапазоне длительностей импульсов от нескольких миллисе­ кунд до долей микросекунды, показали возможность неразрушающего считывания униполярными импульсами при достаточ­ ной скважности.

В отличие от считывания переменным током [Л. 237] при считывании короткими импульсами удается просто избежать

влияния тока управления

на выходной параметр элемента

[Л. 243].

 

 

Температурный коэффициент выходного параметра этих трио­

дов в 2—2,5 раза меньше, чем у жидкофазных

систем.

Помимо рассмотренного резистивного, возможно применение

других параметрических методов считывания

(оптоэлектронного,

емкостного, индуктивного,

резонансного),

обеспечивающих

большее быстродействие элемента при заданной кратности из­ менения выходной величины [Л. 244].

диодов
7-1. Основные характеристики концентрационных запоминаюших
7
• • • • • • • • • • • • • • • а
Жидкофазные
(концентрационные)
электрохимические
АЗЭ

В концентрационном диоде [Л. 176, 179, 193, 228], обладающем свой­ ством запоминания протекшего че­ рез него заряда, сохранение концен­ трации неосновных носителей в приэлектродных зонах обеспечивается пористой перегородкой, отделяющей электроды друг от друга и препят­ ствующей выравниванию концентра­ ций за счет диффузии и естествен­ ной конвекции.

Считывание записанной аналого­ вой информации осуществляется здесь по значению концентрацион­ ной э. д. с.

Элемент состоит из герметиче­ ской изоляционной оболочки в виде капилляра 1 (рис. 7-1,а), заполненной раствором и разгорожен­

ной пористой

перегородкой 2,

и из двух

инертных электродов 3.

На рис. 7-1,6

показано обозначение такого диода на

схемах.

При прохождении тока через электролит между

электродами

/ и 2 происходит перераспределение концентраций

компонентов

электролита,

что вызывает

изменение

разности

потенциалов

между электродами в зависимости от протекшего заряда. Время хранения значения протекшего заряда qY определяется гидроди­ намическим сопротивлением пористой перегородки.

Известно большое количество различных окислительно-вос­ становительных систем, которые могут быть применены для по­ строения жидкофазного элемента, различающихся как раствори­ телями, так и составами электролитов и обеспечивающих широ­ кий температурный диапазон [Л. 227]. Для обычных температур наиболее часто применяются водные растворы йодистого калия и йода [Л. 208].

При прохождении тока через диод на аноде происходит про­ цесс окисления

3 J - - 2 e - — Г ,

(7-1)

а на катоде — восстановления

 

J - + 2 e - — 3J - .

(7-2)

Используемые в таких элементах растворы имеют избыток йоди­ стого калия. Соответственно электропроводность раствора опре­ деляется наличием этой нейтральной соли; в растворе в боль-

207

шом количестве содержатся ионы J - и лишь в небольшом — ионы т з . Поэтому скорость электродных процессов определяется

восновном поступлением к катоду этого второго компонента. Концентрационная э. д. с. между электродами

£ с = £ т 1 п - £ - ,

(7.3)

где ci и с% — концентрация потенциалопределяющих ионов, т. е. J~, в прикатодной и прианодной области (рис. 7-2,а), a

Er==~-

^r

— эквивалентный потенциал.

 

(7-4)

" с о

ill

 

 

 

 

В случае

равенства

концентраций c i = C 2 = c °

Ес=0.

После проте­

кания

тока

через

диод концентрации ионов

J~3

У каждого из

электродов изменяются. После их усреднения в пределах каж­

дой из двух

камер

 

 

 

* — с " ~ Л с ;

\

 

 

 

(7-5)

причем

 

 

 

 

 

 

\ Гу (t) dt

 

 

 

 

 

6

 

 

 

 

 

(S

— площадь

поперечного сечения капилляра

и / — длина ка­

меры;.

 

 

 

 

 

 

Концентрационная э. д. с. определяется

по

уравнению

 

 

 

X

 

 

 

c9nPSlth^-=^Ir{t)dt.

 

 

(7-7)

 

 

 

6

 

 

 

Если объемы

 

камер не равны (например, Vi^Vz),

то

изменени­

ем

концентрации в большем объеме можно

пренебречь и тогда

fie

= 2 ^ 1 + ° _ ^ J .

 

 

(7-8)

При небольших значениях концентрационной э. д. с.

(Ес^Е?),

ограничиваясь

двумя первыми членами разложения,

получаем:

Ee

= Sujfy(t)dt1

 

 

 

 

(7-9)

 

о

 

 

 

 

 

2 0 8

Рис. 7-1. Концентрационный диод.

-20

+20

 

+40

а)

 

+60

J

I

J_

 

1,2

1,6

2,0

 

 

 

 

 

 

мккул

Рис.

7-2.

Зависимость

разно­

сти

потенциалов

между

электродами

 

диода от соот­

ношения

 

концентраций

в

прикатодной

и

прианодной

области

ci/c2

(а)

и

зависи­

мость э. д. с.

считывания

от заряда,

протекшего

через

диод на рабочем

участке

характеристики

(б).

 

14—342

 

 

 

 

 

где

•2PJ

(7-10)

(п!)2 SI

 

— чувствительность запоминающе­ го диода, определяемая как отноше­ ние выходного напряжения к заря­ ду, протекшему в цепи управления (см. экспериментальную кривую на рис. 7-2,6).

Чувствительность диодов этого типа находится приблизительно в об­ ласти 0,01 — 1 в/кул. Максимальное значение входного заряда определя­

ется

объемом камер

(V—SI)

и

исходной концентрацией с0 ионов

в растворе

 

 

qMSLKc =

nFc°V.

 

(7-11)

Для обеспечения необходимой точ­ ности записи и считывания значе­ ния интеграла [в соответствии с (7-9)] время интегрирования долж­ но быть много больше времени пере­ ходного процесса или же считыва­ ние должно производиться по дости­ жении практически установившего­ ся значения э. д. с. Для простейшей конструкции диода с плоскими элек­ тродами верхний предел частот тока управления определяется при этом условием

D

(7-12)

 

Время установления Ес зависит от геометрических размеров камеры и электрода (а также от его конфи­ гурации и макроструктуры). Оно ко­ леблется в широких пределах, но да­ же у диодов наиболее совершенных систем измеряется десятками секунд.

209

Время хранения записанной аналоговой информации опреде ляется постоянной времени саморазряда (дрейфа)

т.

 

 

 

 

 

 

(7-13)

где 5„ — суммарная эквивалентная площадь

поперечного сече­

ния

капилляров

в пористой

перегородке;

/к

— толщина

перего­

родки.

 

 

 

 

 

 

У

известных

образцов т х р

очень велико

(например,

при /„==

= (J,1

см,

1=1 см, S/S K =1*10 3

и £ > = 1 0 ~ 5 см'г/сек получим т х р =

= 107

сек).

Поэтому концентрационные диоды при соответствую­

щем их исполнении и схемах включения могут сохранять уста­ новившееся значение Ес с допустимой ошибкой в течение не­ скольких месяцев.

Температурная погрешность концентрационных диодов вы­ сока, так как Ес пропорционально Т. Однако она может быть уменьшена примерно на порядок путем применения схем термо­ компенсации с термисторами, термостабилизации ячейки или использования термостабилизированных электролитов.

7-2. Основные характеристики концентрационных триодов и тетродов

Основным недостатком запоминающего концентрационного элек­ трохимического диода является практическая невозможность одновременной записи и считывания информации (требуется очень большое время ожидания).

Ьолее совершенен способ считывания, состоящий в использо­ вании зависимости предельного тока диффузии между выходны­ ми электродами от концентрации ионов в соответствующей каме­ ре. В качестве выходных электродов используется общий элек­ трод 2 (рис. 7-3,а), который служит анодом при накоплении не­ основных носителей, и электрод считывания 3 (1 — электрод управления), на который подается отрицательное смещение £ = .

Так как ток в выходной цепи /С ч ограничен сопротивлением нагрузки RB, ТО при достижении входным зарядом значения

(7-14)

о

наступает насыщение, при котором все падение напряжения между электродами 2 и 3 определяется только диффузией ионов в растворе. Предельный ток диффузии определяется активной площадью выходных электродов, расстоянием /23 (а при

210

S3 < c 52 — толщиной диффузионного слоя на электроде

считыва­

ния б) и концентрацией ионов в интегральной камере

сж

nFDcBS3,2

(7-15)

' пд -

 

В этих условиях, обычно используемых в запоминающем эле­ менте,

/ C , =

S/ f Iy(t)dt,

(7-16)

где

 

 

S i

=

k^-\ceK-l\

 

 

 

'23

 

чувствительность

интегрирующего элемента; k — конструк­

тивная константа элемента. Следует иметь в виду, что зависи­ мость, выражаемая (7-16), справедлива, когда верхний предел спектра частот выходного сигнала существенно меньше п£)//2 2з- Напряжение смещения Е= выбирается в пределах 0,6—0,8 в, так как напряжение больше 0,9 в соответствует началу возник­ новения реакции восстановления ионов водорода и образования

газовой фазы.

Практическое применение в аналоговых запоминающих и адаптивных элементах получили концентрационные жидкофаз­ ные тетроды (ЖТ) [Л. 229—233], представленные наибольшим

iv

 

 

.

J L

, 'сч

| R P

X

ГМВЫХ 0

 

 

 

 

sr \

..

Рис.

7-3.

Элементарная

схе­

ма

включения

концентра­

ционного

 

запоминающего

трио­

да

(а)

и

простейшая

экви­

валентная

схема

(б).

 

15—382

 

 

 

 

числом конструкций и отличающие­ ся от других электрохимических эле­ ментов рассматриваемой группы большим быстродействием и боль­ шей чувствительностью. Здесь для уменьшения входного сопротивления применены более проницаемые перегородки, а для уменьшения скоро-

сти дрейфа (и улучшения таким образом сохранности информации) в интегральную камеру введен еще один — экранирующий — электрод, на который подано постоянное отри­ цательное смещение Е = от вспомо­ гательного источника напряжения. Значение £ = выбирается так, чтобы в цепи экранирующего электрода

211

Соседние файлы в папке книги из ГПНТБ