Добавил:
Опубликованный материал нарушает ваши авторские права? Сообщите нам.
Вуз: Предмет: Файл:

книги из ГПНТБ / Пустынский И.Н. Транзисторные видеоусилители

.pdf
Скачиваний:
7
Добавлен:
23.10.2023
Размер:
6.54 Mб
Скачать

появления

выброса (6 = 0),

равный

 

 

_ (0,25(1

+

тпу при

/ п п < 1 ,

 

(. т п

 

при

mn > 1.

Время нарастания фронта импульса при зімиттерной

коррекции

равно

 

 

 

 

*н к =

2,2т к р 0 п ;

(2.9)

где 9п — импульсная эффективность.

Зависимость коэффициента импульсной эффективно­ сти эмиттерной схемы .коррекции от параметра тл при различных выбросах па переходной характеристике при­ ведена на рис. 2.4.

2.3. РАСЧЕТ У С И Л И Т Е Л Ь Н О Г О К А С К А Д А С Э М И Т Т Е Р Н О И К О Р Р Е К Ц И Е Й

Расчет усилительного

к а с к а д а может

производиться

из условия

получения оптимальной частотной характе ­

ристики пли

необходимой

переходной

характеристики.

а) Расчет усилителя частотным методом

Обычно исходными данными для расчета являются

З а д а ч а

сводится к выбору типа

транзистора, который

•сможет обеспечить

необходимую

 

площадь

усиления

П = /С«о/вк,

определению

сопротивления

 

эквивалентной

нагрузки /?н (или сопротивления Як, если

известно

зна­

чение R't)

и элементов

звена tRoC0 в цепи эмиттера,

обес­

печивающих оптимальную частотную характеристику.

Расчет

усилителя

можно

 

произвести

следующим об­

ра зо'м:

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Кио =

1. Выбираем

тип

транзистора .

Так

каїк*)

= $оКн/ОЯб + >'б)сіоз, а

граничная

частота

при

эмиттерной

коррекции

равна

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

^ в к

= 9л;тЭ

Ф ч =

0

~

D

ч\

I ° I R

wt-

і

„•>

)

 

(2.4а)

 

Z J l T i<p

 

 

2 Я С

К

# „ (1

+

Ро)

 

( < 7

 

 

*) Д л я практических расчетов часто можно полагать, что k\ — = 1 / ? и ( 1 + Р о ) / Г к < 1 .

выбранный транзистор должен обеспечить максимально возможную площадь усиления (максимальную доброт­ ность) , равную

 

 

П и и а к с

= п ( і +

^ - ) і ± 5 - .

 

 

(2.10)

Принимая ориентировочно

Л5= 100 сщ и

<Зч=1 + 9,

по

известным

величинам

П

и

го определим

максимальную

добротность:

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

П М Н . К С

=

П ( І

+

^ - ] ,

 

 

(2.11)

по которой

м о ж н о выбрать тип

транзистора

(ом. при­

ложение

2) .

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Если

у выбранного транзистора окажется г с < 100 ОЛІ,

то следует проверить

выполнение

неравенства

 

 

 

 

 

П < П м н а в с / ( 1

+

^ - ) .

 

 

(2.12)

Если

условие

(2.12)

не

выполняется,

то следует

вы ­

брать ТраНЗИСТОр С боЛЬШИМ значением Пммакс

 

 

Выбрав

транзистор

и зная его п а р а м е т р ы

рЧ гэ , гб,

С к

п Тр, приступнім

непосредственно

к расчету,

порядок

ко­

торого может быть следующим.

 

 

 

 

 

2. В

зависимости от требуемой

стабильности

к а с к а д а

и величины напряжения источника питания задаемся со­

противлением

Ro= МОч-400 ом. Д л я обеспечения лучшей

стабильности схемы необходимо иметь

iRo^fg.

3. Определяем коэффициент обратной связи:

Й о э

~ 1 + 0 +

ra) (1 -!- р„)/(Я6

+ лб ).

4. Находим

величину

сопротивления

эквивалентной

нагрузки:

 

 

 

Я„ = Kuoaoa (R6 + /'б)/Ро-

В случае глубокой противоовязн (аО э^з=10)

RH ~

Ku0R0.

5.По формуле (1.7) вычисляем коэффициент внут­ ренней обратной связи а3.

6.Определяем эквивалентную постоянную передачи тока базы тир по формуле (1.8).

 

7.

Находим

параметр

ти:

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

m„ =

[CK

(RH +

R6

+ r6) +

C„R] «о э /т,< р .

 

 

 

 

 

8.

Вычисляем

п а р а м е т р

коррекции т ч ,

при

котором

обеспечивается

оптимальная

частотная

характеристика,

по

формуле

(2.3),

 

если ат~^Ьа3.

Д л я

'более точных

 

рас­

четов

можно воспользоваться

выражением

(2.2).

 

 

 

 

9.

Определяем

 

корректирующую

емкость

 

в

 

цепи

эмиттера:

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

С о ч

=

тч тк р /ЯоЯоэ-

 

 

 

 

 

(2-13)

 

10. Находим эффективность коррекции Q» по

форму­

ле

(2.5). На

практике ч а щ е

всего Q4=

1,2ч-1,6.

 

 

 

 

 

11. П о формуле

(2.4)

вычисляем

действительное

зна­

чение

граничной

частоты

/ в к .

Н а й д е н н а я

величина

fBK

должна

быть

не

менее

 

заданной.

Если

она

окажется

меньше вследствие

того,

что

Q 4 < l + < 7 ,

то

следует

 

выб­

рать транзистор с большей

величиной Ом маис-

 

 

 

 

 

Бел и

известны

 

тип

транзистора,

на

котором

должен

быть

выполнен видеоусилитель, коэффициент

усиления

по напряжению д л я средних частот Кио,

а т а к ж е

вели­

чины RQ и СИ,

а задача

сводится к

определению

величин

Ro,

R„, С 0 ч и і/в, то в этом случае расчет выполняется, к а к

изложено выше, начиная

с п. 2.

 

 

 

 

 

 

 

 

 

При необходимости менее строгий расчет можно вы­

полнить по следующим

формулам:

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Ra

~

KuoRo,

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

с о ч

~ [ с л я в

+ K e ) + с н я н ] / Я 0 ,

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

f B K ~ £ 0 p 0 / 2 J t T K p ( f l 6

+ / - 6 ) .

 

 

 

 

 

 

 

Пример 1. При эквивалентном сопротивлении

источника сигнала

i?o =

0,5

ком и емкости

нагрузки

С н =

5 пф

усилительный

каскад

дол­

жен

обеспечить

усиление по

 

напряжению

на

средних

частотах

Ки о ^ 5

при верхней

граничной

частоте / и к ^ 1 0

Мгц.

 

 

 

 

 

Необходимо выбрать транзистор, позволяющий получить задан­

ную

площадь усиления

П = 50

Мгц, и определить

,/?„,

R0

и

С„,,.

 

 

Расчет

выполняем

в следующем

порядке:

 

 

 

 

 

 

 

I. Выбираем тип транзистора. Максимальная добротность тран­

зистора

должна

быть

не менее

величины,

полученной

по

формуле

(2.11), т. е.

300

Мгц.

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

По таблице приложения 2 находим, что этой

добротности

соот­

ветствует

транзистор

 

типа

 

Л416,

параметры

которого

равны

р0

= 50,

г б =

100

OJK, С н = 5

пф,

 

= 0 , 2

мксек

и

г э =

25

ож (при

S 1 ма).

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

2.

Задаемся

сопротивлением

7?о =

 

240

ом

исходя

 

из

условия

/ ? о > ' э -

Д л я того

чтобы уменьшить

влияние паразитной

емкости, ве­

личина

сопротивления

эквивалентной

нагрузки •Ru~Ki,oRo не должна

быть слишком

большой.

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

3.

Находим

 

а 0 о = 4 5 , 6

и /?д =

1,37

ком.

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Выбираем

ближайший

больший

поминал

/ ? п = 1 , 5 ком. При чтом

коэффициент

усиления

по напряжению

будет /Сi,o =

5,5.

 

 

 

 

 

4.

Определяем

я э = 5 , 2 1 ,

т к р = 0 , 9 6

мксек, ш п =

0,855.

 

 

 

 

5.

Так как о 0 э > 5

а3, то параметр

 

коррекции

можно

находить

по

упрощенной

формуле

(2.3): ш . , = 1,105.

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

6. Вычисляем

С 0 ч = Э8

пф

Выбираем

ближайший

больший

но­

минал

С о . , =

100 пф, так как по упрощенной

формуле

(2.3)

по срав­

нению

с

точной

 

формулой (2.2) параметр коррекции получается

не-

скол ько

з а и и ж е 11 и ы м.

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

7.

Находим

 

Q 4 =

1,355,

/ви =10.25 Мгц.

Значение

/„„ оказы­

вается не меньше заданного.

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

в)

Расчет

 

усилителя

по

заданным

 

 

искажениям

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

импульса

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

В

этом

случае исходными данными ч а щ е

всего яв ­

ляются

Ки0,

Re,

tint, б и Сп.

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

З а д а ч а

сводится к выбору

типа

транзистора,

опреде­

лению сопротивления эквивалентной нагрузки Ra (или

сопротивления Rib если известно значение

R'n)

и величин

элементов

корректирующего звена

RQCO в цепи

эмиттера,

обеспечивающего

переходную характеристику с задаины -

• ми

in и б.

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

1.

Выбираем

тип транзистора,

та к ж е

ка к и в

пре­

дыдущем

случае,

с

учетам

того,

что

здесь

П ~

 

Я„о(0,35/*нк).

 

 

 

 

 

 

 

Ro и оп­

 

2.

З а д а е м с я сопротивлением

обратной

связи

ределяем

а0т>, т к р

и

ш п

точно

т а к же , ка к это

делалось

при

расчете усилителя

частотным

методом.

 

 

 

 

3.

По допустимому

выбросу

6 и известному

парамет ­

ру

/ п п

из графиков

(рис. 2.3) находим необходимый

па­

раметр

коррекции

/п.

 

 

 

 

 

 

 

 

4.

Определяем корректирующую емкость в цепи эмит­

тера:

С о = т т к р / # о а о э -

 

 

 

 

 

 

 

 

 

5.

И з рис. 2.4 по допустимому

выбросу

б и

параметру

1пи находим коэффициент импульсной эффективности

Qa.

 

6.

Вычисляем действительное значение времени на­

растания

фронта

импульса по формуле (2.9). Оно должно

быть н е более заданного.

 

 

 

 

 

 

 

2 - ю

3 3

з

КО Р Р Е К Ц ИЯ ВЫСОКОЧАСТОТНЫХ ИСКАЖЕНИЙ

СПОМОЩЬЮ ИНДУКТИВНОСТИ В ЦЕПИ

НАГРУЗКИ ( П А Р А Л Л Е Л Ь Н А Я СХЕМА

КО Р Р Е К Ц И И )

На р я д у с эмиттерной коррекцией в транзисторных видеоусилителях нередко применяются индуктивные схе­

мы

коррекции,

наиболее

р а ш р о с т р а н е н н о й

из которых

является

п а р а л л е л ь н а я [25—29].

 

 

 

Принципиальная схема усилительного .каскада с па­

раллельной схемой коррекции приведена на

рис . 3.1, а

его

эквивалентная

схема

д л я

высших

частот — на

рис. 3.2, где 0Г

= UTZe/Zr

— н а п р я ж е н и е эквивалентного

источника

сигнала;

Z^ = ZT\[Ri<2

его внутреннее сопро­

тивление;

i?l,2 =

^ i l l ^ 2 .

 

 

 

 

Рис. 3.1.

Усилительный

каскад

Рис. 3.2.

Эквивалентная схема

с ОЭ с

параллельной

коррек-

каскада с ОЭ с параллельной кор-

 

цией

 

рекцней

для пысших частот

Коррекция в схеме осуществляется за счет увеличе­ ния с частотой общего сопротивления в цепи коллектора.

Воспользовавшись методикой, изложенной в § 1.1, по­ лучим выражение д л я коэффициента усиления по напря-

жению

схемы

рис. 3.2 при ZQ=RQ

И С В

= 0 * ) :

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Ки =

Ки0

 

 

htHhH

 

 

 

 

 

 

(3.1)

где

Кио—-коэффициент

 

усиления

по

напряжению

на

средних частотах [как и в формуле

(2.1)]:

 

 

 

 

 

 

Й2 = ситцК /аэ

относительная

угловая

частота;

 

 

 

п = Ьа3/ЯнГнк

— п а р а м е т р параллельной

схемы

коррек­

ции;

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

ЬІ=

 

(И-<7 +

/ і 6 і / а з ) / ( 1 + Л і ) ;

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

й 2 = п / ( 1

+ /гі);

 

 

Яп=Я'н\\ЯкжЯ«;

 

 

 

 

 

 

 

 

г™ = ЯИСК

(1 + Ро) постоянная

времени,

характери ­

зующая

искажения,

обусловленные

 

коллекторно-нагру-

эочной

цепью

при

работе

каскада

от генератора

тока,

и

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

3.1. П А Р А М Е Т Р К О Р Р Е К Ц И И , О Б Е С П Е Ч И В А Ю Щ И Й

 

 

 

О П Т И М А Л Ь Н У Ю ЧАСТОТНУЮ Х А Р А К Т Е Р И С Т И К У

 

 

 

Модуль

коэффициента

частотных

искажений,

полу­

ченный из формулы

(3 . 1),

равен

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

1 +

Щ п а

 

 

 

 

 

(3 . 2)

 

 

 

 

Ки

 

 

 

 

1 +

Q\(b\

2 Ь 2 ) - | - Й 2 Ь 2

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Приравня в

в

(3 . 2)

коэффициенты

при Q | ,

получим

уравнение,

из

которого

найдем

п а р а м е т р

коррекции

Пч,

обеспечивающий

оптимальную

частотную

характеристи­

ку

в

к а с к а д е :

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

{-

1

* i

+ Я)

+

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

+

/ і +

( і + , ) 2

_ 2

м н ^ ) ;

1 +

 

 

 

 

 

 

 

*)

Имеется в виду, что (аэ—

1) С к

( Я б + ' б +

Дк)

+ -

«

*„fj +

, L O +

Po)

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

,

+

 

. а э < Р о ,

Я к + ^ б + ^ о ^ Г к .

Эти

условия обычно

выпол-

" K U

«i)

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

няются,

Креме того, предполагается, что RK

<С/?Н , так как -в против­

ном

случае параллельная коррекция будет малоэффективна {15].

 

2*

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

35

Граничная частота в усилителе при п = пч из получается раиной

/вк = аэ <2ч /2ят„,.(1 +</),

где

— эффективность параллельной коррекции при п = Пц. При /«i<C 1, что обычно .выполняется, получим

пч

~ - 1 + f 1 + (1 -!- qf

(3.4)

и

 

 

Таким образом, -коррекция действует тем эффектив ­

нее, чем больше

коэффициент относительной

инерцион­

ности транзистора в усилительном каскаде . Так, при <7<С1, как н случае лампового усилителя, имеем д., = 0,414,

т. е. /,ч=0,414#птВ к/аэ

Q 4 = l , 7 2 ;

д л я

^ = 1

получим

Q4 = 2,41, а при q ^ \

(достаточно

иметь

q^3)

м о ж н о

считать, что n.i = q, Ьчяз

Rnx^a-,,

Q^mq.

 

 

При наличии в нагрузке емкости

С н ^ (0,3-f-0,5) С к ( 1 +

+ Ро)/аэ с достаточной

д л я практики точностью

все рас­

четные соотношения можно считать -справедливыми [25, 26], если полагать, что

т„„ = К „ [ С к ( 1 + Р о ) + Сп аэ ].

(3.5)

В случае использования параллельной схемы при про­ тивошумовой коррекции параметр -коррекции должен быть равен

 

пч = - 1 + | / ч ~ ( 1 ^ ) 2 Т ^ 7

 

где /іВ х = ааТвх/тіш;

Тих-постоянная времени

входной це­

пи камерного усилителя при отключенном

транзисторе.

3.2. П А Р А М Е Т Р К О Р Р Е К Ц И И ,

О Б Е С П Е Ч И В А Ю Щ И Й

О П Т И М А Л Ь Н У Ю П Е Р Е Х О Д Н У Ю Х А Р А К Т Е Р И С Т И К У

Нормированное изображение переходной характери­

стики

схемы рис.

3.2 при ZT=Rr,

С н =0 , RK^R'U

описы­

вается

формулой

(2.6) с учетом

того, что здесь

 

36

 

 

 

 

 

g l =

Vl(\

- M l ) , ^

= ( l +g

+

n^j

JY

n{\+h),

 

 

 

1 f

tl

T H K

 

 

Д л я

критического

режима

(di = 2)

п а р а м е т р коррек­

ции равен .

 

 

 

 

 

 

n K p = J2 (1-і- ^ ) - ^ (1 -b 0) - 2

 

+

[ l + f a - ~*

Переходная характеристика дл я этого случая имеет

вид

где

А (ті) =

1 +

Ы > Ч Р ( 1 +

* I ) -

1') -

Пе-"1,

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

а выброс на переходной

характеристике

равен

 

б = (УЧр (1 +k{j

-

1) е-^ім,

 

(3.7)

где т і м = "|/"nK p(l +ki)/(\/'nKp(l+kl)—

 

1)

 

время, соот­

ветствующее выбросу.

 

 

 

 

 

 

 

 

В случае ki<^ \ формулы

(3.6) и (3.7)

можно заметно

упростить:

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

л к р »

0,25(1 - f o ) 2 ,

 

6 =

0 , 5 ( < 7 - 1 ) е х р [ - ( 1

]-q)/(q-l)].'

Бели п < п К р ,

т. е. di>2,

то имеет

место

апериодичес­

кий р е ж и м . Анализ выражений

 

(ІП.2)

и

(П.З) показы ­

вает, что выброс в случае апериодического

р е ж и м а мо­

жет быть лишь при n>q

и

q>l.

 

 

 

 

 

 

В

случае п = q

(L=<RB%p/a3)

 

переходная

характери ­

стика 'ИМЄЄТ в и д

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

h (Хг) =

1 ехр [— ті Y

п (1 +

ki)

I

и время нарастания фронта

импульса

равно

 

 

 

 

*нк =

2,2т н к э (1

+ kx).

 

 

 

В

отсутствие коррекции

в р е м я

нарастания составляет

 

/

— 9 9 ЗіР — 9 9

Х ш

< * 1 +

^

 

 

 

 

с

« ~ ^

а ш

 

 

« , ( 1 + ^ )

 

1

 

 

Таким образом, импульсная

 

эффективность

схемы

при

n = q

благодаря

 

коррекции

увеличивается

в

( 1 + 7 )

раз.

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Д л я к'олебатель'ного.-.режпма

(rfi<2,

т. е. « > » к р )

вы­

брос на переходной

характеристике

равен

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

n[\

+

ki

 

я .

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

arctg

 

+ ? +

 

 

 

 

 

 

 

 

VI-

 

 

 

 

 

X

ехр

 

 

 

 

 

 

V I

-

і

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

где

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

§ =

4п(1 +

 

/еО

 

1 +

9

+

«-=!•

 

 

 

 

 

При

/fi-C 1 іполучіш

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

б = \ r n

— q ехр arctg [(1

+

<?)/(!

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

/

F

T

 

 

 

 

 

где g =

4 n / ( l + 9 ) « .

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Зависимости

6 = f ( / i )

 

при

<7=const и

/еі<СІ

совпадают

с

графиками

рис.

2.3 при

 

замене

параметров

т,

т„

тч

и

/72,], соответственно

 

на

п а р а м е т р ы a,

q,

пч

и «ф.

 

 

У'Слов'не получения

оптимальной

фазовой

характери ­

стики

при

/гі<СІ имеет

 

вид

Пф + З/гф(1+<?) — (1—q)3 =Q.

С

достаточной

для

практики

точностью

п а р а м е т р

/г,р

•МОЖНО О'ПреДеЛПТЬ

ПО

формуле

[26]

Л ф « ( п ч

+ По)/2,

где

«о — п а р а м е т р

(коррекции,

соответствующий

границе

по­

явления

выброса

( 6 = 0 ) ,

равный

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

0,25(1 +qf

 

при

 

1,

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

q

 

 

 

 

 

при

q >

1.

 

 

 

 

 

Время нарастания фронта импульса при параллель ­

ной схеме коррекции равно

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

; н к

= 2,2тн к (1+<7)/аэ <?п.

 

 

 

 

(3.8)

где Q n — импульсная эффективность.

 

 

 

 

 

 

Д л я

облегчения

расчетов

зависимость

 

импульсной

эффективности

 

схемы

от

коэффициента

относительной

инерционности при различных

выбросах

на переходной

характеристике приведена на рис. 3.3.

 

 

В

случае q^l

при 6 = 0

имеем

QB=l+q,

т. е.

£нк

2,2тцк/а8 .

 

 

 

 

П ри наличии в цепи эмиттера резистора Яо, обеспе­ чивающего внешнюю противосвязь в широком диапазо ­ не частот, все полученные формулы в первом приближе ­

нии можно считать

справедливыми,

если Яоэ'СРо

(для

практики

достаточно

иметь

а 0 э ^ 0 , 3 р о ) ,

где аоа

— коэф­

фициент

общей

(внутренней

и внешней)

обратной

связи

для средних частот. В этом

случае в

формулах

коэффи ­

циент а э

следует

заменить на

аоэ:

 

 

 

 

а 0 3 ^ 1 + ( * + * H ' + m .

(Яб + ' б Н І + А і )

3.3.РАСЧЕТ УСИЛИТЕЛЬНОГО КАСКАДА

сПАРАЛЛЕЛЬНОЙ СХЕМОЙ КОРРЕКЦИИ

Расчет

рассматриваемого

к а с к а д а ,

к а к и расчет уси­

лителя

с эмиттерной коррекцией, можно производить,

исходя

из

условия

обеспечения оптимальной частотной

пли необходимой переходной

характеристики.

 

а)

Расчет

усилителя

частотным

методом

При заданных значениях Кио, '/вк, Яв и С„ необходимо выбрать тип транзистора, который сможе т обеспечить необходимую п л о щ а д ь усиления Т\==Кио!в, определить сопротивление RK и корректирующую индуктивность L.|.

Соседние файлы в папке книги из ГПНТБ