Добавил:
Опубликованный материал нарушает ваши авторские права? Сообщите нам.
Вуз: Предмет: Файл:

книги из ГПНТБ / Пустынский И.Н. Транзисторные видеоусилители

.pdf
Скачиваний:
7
Добавлен:
23.10.2023
Размер:
6.54 Mб
Скачать

транзистора, ее

можно

считать

справедливой

от

долей

герц до частоты

(0,5-4-1,0) / т .

 

 

 

 

 

 

_

 

 

/

fB

2

 

 

 

 

Н а рис. 9.1

U r 6

= y

 

^ dUr6—напряжение

 

теплово­

 

 

 

 

зи

 

 

 

 

 

го шума базы в полосе

частот

от / н до fB; dUTe

=4kT°r5df;

'эб

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

б = " j / ^ f dile—

шумовой

ток

эмиттер - база

(здесь

di236=

) / э + ^ | df,

 

 

 

 

 

 

 

^ с 7 э л ( 1 - а с т

где

ист — статический

коэффи-

циент передачи

тока

эмиттера;

/ э — постоянная

состав­

л я ю щ а я тока эмиттера;

Л э

— коэффициент,

характеризу­

ющий низкочастотный

шум в

области эмиттерного пере-

6

 

 

 

 

 

 

 

 

к

 

о—

 

 

 

і

(А)

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

3

 

 

 

 

 

 

 

 

—о

 

с-

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Рис. 9.1. Шумовая эквивалентная схема транзистора с ОЭ

х о д а ) ; і'бк =

"|Х

J ^ К ш у м о в о й

ток

перехода база —

коллектор;

/

^2<7

А

Ак

— коэффициент,

йіік

=

Э Л /К 0 + - y - j df;

характеризующий поверхностный шум в области коллек­

торного перехода; г э к == ] / " [

^ к

шумовой ток меж-

К

di\K=

2 q^nacthdj.

ду эмиттером и коллектором;

Поскольку источники шумов в схеме рис. 9.1 не коррелированы, то д л я определения общего н а п р я ж е н и я шу­ ма, приведенного ко входу или выходу транзистора в элементарной полосе частот, м о ж н о воспользоваться принципом суперпозиции [4].

130

Д л я

схемы с

ОЭ

приведенное

ко

входу

 

напряжение

шума транзистора

получается

равным

 

 

 

 

 

 

 

 

 

dUi

 

 

 

dU2r6

+ di236\r6

 

+ Zr\i

+

 

 

 

 

 

 

 

 

 

+

 

di6K

ZAre +

 

rs +

 

ZJ*

+

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

a ZK

Z3

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

+

dii

Z3(r6+Zr

 

+

 

ZK)+ZK(r6

 

 

+

Zr)(\

•a)

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

cc Z^ —

Z3

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

где Z K = l / / c o C K ;

ZT—импеданс

 

 

источника

сигнала;

 

Z3

= Zs/ (1 +}а>Сэгэ);

 

С э

та т т 0 .

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Д л я

коэффициента

шума

 

при

Z3 <CaZK ,

что

обычно

имеет

место,

и Zr=Rr

 

д л я

схемы

с ОЭ получим

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

а с

т

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

RT

 

 

1 +

 

- ^ ( 1 _ а . ) +

 

 

 

«ст.

гэ

,

6 + Rr)2

 

(j

1 + а с

т

+

^

(

1

•а„)2

+

~t~ " 2Rr

 

 

2 ф т / ? г

< :

 

 

 

 

 

 

 

а„

 

 

 

 

+

 

 

(2 л / т э

к в

) 2

+

- ^ f

-

[1 + (2

я / у т т ) 2 Ц -

 

 

 

(9.2)

где qii

— kT/qan

температурный

потенциал;

т а К в = ( С э + 1

+ Скэ

 

— экивавалентная

постоянная

передачи

 

тока

эмиттера;

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

y = (r6 + RMrs

+

 

r6+Rr);

 

 

 

 

 

 

 

 

 

A=A9

 

+

AK[l

 

+ ( 2 л / у т т ) 2 ] / а * у ' -

 

 

 

 

П р и н и м а я во внимание,

что

ч а щ е

всего

( 2 я / у т т ) 2

' С 1 <

и полагая

a C T ~ a o ~ і

(за

 

исключением

случая,

 

когда

имеется двучлен

1—ссо),

получим

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

1 +

_1б_ _|_

 

 

+

(r6

+ Rr

X

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Rr

 

 

2Rr

2 ф т #

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

г

 

 

 

 

 

 

 

X

( / ,

[1 - a 0

+

( 2 к

fxmBf]

 

 

 

 

+

 

 

 

 

 

(9.3)

 

 

 

(

 

измерений

 

 

 

У2

2 <7эЛ /

 

 

 

 

Результаты

зависимости

 

коэффициента

шума

от

частоты

д л я

некоторых

транзисторов при

/ 8 =

= 0,5

ма,

икэ=—3

 

в и Rr=l

 

ком

 

приведены на рис. 9.2

[71], из

которого

видно, что

низкочастотный

шум

транзи ­

сторов изменяется с частотой действительно по закону, близкому К 1//.

Экспериментальная

зависимость коэффициента шума

от тока эмиттера д л я

/ = 5 0 0 гц приведена на рис. 9.3.

5*

131

5

100

3 5

IT

3

5

ЮТ

f,

01 2

5

0,1

г

5

1,0

13,ма

Рис. 9.2. Зависимость коэффи­

Рис. 9.3. Зависимость коэффи­

циента

шума от

частоты

 

циента

шума

от тока

эмиттера

По известным

 

п а р а м е т р а м

АЖгоа2

 

 

 

 

 

 

транзистора

и

 

 

значенням

 

 

 

 

 

 

коэффициента

шу.ма NF

на

 

 

 

 

 

 

 

основании

формулы

(9.3)

 

 

 

 

 

 

 

при

( 2 я / т э к в ) 2 < 1 — а 0

были

 

 

 

 

 

 

 

рассчитаны зависимости А —

 

 

 

 

 

 

 

=fa(h),

 

которые

 

изображе ­

 

 

 

 

 

 

 

ны на рис. 9.4.

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Зависимости NF=f(I0)

и

 

 

 

 

 

 

 

A—f\(I3)

 

имеют

явно выра­

 

 

 

 

 

 

 

женный минимум при опре­

 

 

 

 

 

 

 

деленном

 

токе

 

эмиттера

 

 

 

 

 

1Э,на

Лі —ЛхштА-

 

При

 

 

 

 

 

 

 

А —

 

 

 

 

 

 

 

^ / а о п т А зависимость

Рис. 9.4. Зависимость коэффи­

=fi(lo)

 

может

быть в

пер­

 

циента,

характеризующего

низ­

вом

приближении

представ­

кочастотные

шумы

 

транзисто­

лена

в

виде

 

 

 

 

 

ра,

от тока эмиттера

 

 

 

 

 

 

А

 

 

 

 

 

А).

 

 

 

 

где АК

= Атп5у2;

 

АШН

при / э = / э о п т А/ А'Э

коэффици ­

ент пропорциональности, который може т быть найден из

соотношения А'Ъ ={угАг—yiAt)/(Iaz—hi);

 

At, уи А2,

у2

значения коэффициента А и у при

токах

эмиттера

Ізі

и

/Э 2 соответственно

(в случае / э > 0 , 5 ма можно

полагать,

что у2 ~ у І ~ 1) •

 

 

 

 

 

 

Если известно значение Np д л я

определенной

частоты

{, то коэффициент

А при Rr~>r§ и

Rr^>r3

може т

быть

легко найден-из упрощенной формулы:

 

 

 

 

-4 = 4 < ? э л / Ф т ( А ^ - 1 ) / Я г .

 

 

 

 

З н а ч е н ия коэффициентов А

(при / э = 0 , 5 ма)

дл я не­

которых

транзисторов

приведены в табл . 9.1, из

которой

видно, что ориентировочные значения

коэффициентов,

 

 

 

 

Т а б л и ц а 9.1

Транзисторы

П403

П416А

П416Б

ГТ308В

Л х К Г 2 0 ,

а"-

6,6

3,3

0,3

2,01

Л 3 Х Ю - 1 7 ,

а

18

11,3

3,5

5,85

Л х к г 2 0 ,

сР

1,1

0,83

0,15

0,355

характеризующих поверхностные шумы в области эмиттерного и коллекторного 'Переходов, соответственно равны А'э = (3,5-7-18) Ю - 1 7 а, Ак= (0,15-1,1) Ю - 2 0 а2 .

Измерение коэффициента шума на частотах 500 гц и 200 кгц при изменении н а п р я ж е н и я на коллекторе £/,„ от

0,5 до 10 в показали,

что коэффициенты NF и А практиче­

ски не зависят от

UK0, в то время к а к ранее предполага ­

лось [4], что Л к =

/

UK3.

Рись 9.5. Эквивалентная схема каскада с О К с учетом шумов

Д л я схемы

с общим коллектором

(рис. 9.5) приве­

денное ко входу шумовое напряжение

транзистора равно

dm

= dUl6

+ dilb I a (ra

+ Z r ) —

Z, 1 + re + Zr

+ A«K|re + z r | a +

+ di3 Z 9 [ l + - ^ ± ^ - ) + (r e + Z r ) ( l - a )

В ы р а ж е н и е д л я коэффициента

шума

при

Z3 <CccZK в

случае Zr=Rr

 

получим

в

виде

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

1 +

 

 

1 + 1 + ( 2 я / Т т ) 2

+

 

 

 

 

 

 

Я г

 

 

 

 

 

 

 

гэ

 

,

('б + Я г ) 2

X

 

 

 

 

 

+ 2 Я Г [ 1 + ( 2 я / Ч х ) 2 ]

2 ф т Я г

 

 

 

 

 

 

 

/ э [

сс§(1 — а с т ) + а с т

( 1 — а „ ) 2

+

а с т ( 2

 

я / т Э

к в ) 2 ]

+

 

X

 

 

1 + ( 2 я / т т ) 2

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Аэ<4

ав б

+

 

Я г )

 

 

 

 

 

 

Ак

+

 

 

 

 

 

(9.4)

 

 

1 + ( 2 я / т т ) 2

 

 

 

 

 

 

4f

 

 

 

 

 

 

 

П р и н и м а я во внимание,

что ч а щ е всего

( 2 я / т т ) < ^ 1 , и

п о л а г а я а С

т ~ а 0 ~ 1

(за

 

исключением

 

 

случая,

когда

имеется двучлен 1—ао),

в ы р а ж е н и е

(9.4)

 

можно

упрос­

тить:

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

І6_

 

, _[э_

,

(^б +

Я г ) 3

 

 

 

 

 

 

 

Rr

 

2R?

 

2 ф г Я г

 

 

 

 

X { / э И - а„ + (2 я / т э к в ) 8 1 + /к о + ~ ^ } •

 

( 9 - 5 )

где АВК = АК +

АЯ(\

гб

+

Яг

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

\

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Сравнение

выражений

 

(9.3) и

(9.5)

показывает,

что

при принятых допущениях

коэффициенты

 

шума

в

схемах

с ОЭ и ОК. абсолютно

одинаковы,

если

rg<^r5

+ Rrj

т. е.

ус^ 1.

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Рис. 9.6. Эквивалентная схема

каскада

с ОБ

с учетом шумов

Д л я схемы

с общей

базой (рис.

9.6)

приведенное ко

входу шумовое

н а п р я ж

е н и е

транзистора

равно

134

 

 

 

dXJщ вх пт — & U•

 

 

 

 

 

 

+

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Тб

a -^K 4- гб

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

і

 

 

 

 

+

di36 « Z K (гб +

Z r ) — Гб Z 3

 

Кб

ZK(r6

+

 

Zr+Za)

 

+

 

 

 

 

a 2K +

r 6

 

 

 

 

 

 

 

o,ZK

+

 

r6

 

 

 

+

dil

ZK(r6

+

ZK)(l-g)

 

+

Z3(r6

 

+

ZK)

 

 

 

 

 

 

 

 

 

aZK

+

r6

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

В ы р а ж е н и е

д л я

коэффициента

ш у м а

при Г б < с ] а 2 к ] и

Z3<giaZK

в случае Zv—Rr

 

получим в виде

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

1 + J f a . ( i _ a 0 )

і

Ист

гэ

 

 

 

 

 

г б

[ 2 л ; / С к ( г б + Я г ) ] 2

 

1 +

2

CCQ Т^Т

 

 

+

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Ск

 

( г б +

Я г ) 2

 

 

 

 

( 2 r t / t T ) 2 -

6 +

 

 

і fa + А г ) г

 

(j

 

1 — aC T

+

 

 

 

 

 

 

# г ) 2

 

2<pTRr

 

 

 

 

 

 

 

 

+ ^

(1 - a 0 ) 3

+ ( 2 я / О * « c f 1 + Ц и - [1 + (2 л / у т т ) 2 ] +

 

 

+2-7зл/

 

 

 

+ ( 2 л / г т у ) 2

]

 

 

 

(9.6)

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

П р и н и м а я

во внимание, что

ч а щ е

 

всего

(2 я / т т ) 2 < § ; 1,

и полагая

a C

T ~ a o ~ l

(кроме

случая, когда имеется раз ­

ность

ao—1)

в ы р а ж е н и е

(4.6)

 

м о ж н о упростить:

 

 

 

 

 

 

 

N F об '

і

_|_ & d

+

_ D L

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Rr

 

 

2 Rp

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

+ (2 i t / ) 2

C t ( r 6

+ i ? r

) 2 r 6

+

 

 

2xTCKr6

+

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

+ (

Г о + У

 

f 7 » [ 1 - a ° + ( 2

« f * - ) ' ] +

 

 

 

A_\

 

 

A

2

' 2 ? M / J '

 

 

2 Фт Rr

{

 

 

 

 

 

 

 

 

Y

 

 

 

 

 

 

9.2. ШУМОВЫЕ СВОЙСТВА

ВИДЕОУСИЛИТЕЛЯ

 

 

 

 

 

 

ПРИ ВХОДНОМ КАСКАДЕ С ОЭ

 

 

 

 

 

Принципиальная схема входного к а с к а д а с О Э видео­

усилителя

д л я

высоких

частот

приведена

на

 

рис.

9.7,а.

Н а

рис. 9.7,6

изображен а его эквивалентная

схема

с

уче­

том источников

шумов.

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

На рисунках приняты следующие обозначения:

гс

ток сигнала иа

входе

усилителя

(превышение

сигнала

н а д током фона

іф);

 

 

 

 

Re — активная составляющая эквивалентного сопро­

тивления источника

сигнала;

 

 

 

 

Со — о б щ а я п а р а з и т н а я

емкость;

 

 

 

Z H

сопротивление

нагрузки

каскада;

 

1ф

=

j / ~ j' duli

,-ф

эффективное

напряжение шу-

ма, обусловленное флюктуациями тока

фона;

duli

<ф =

di\ |Z6 |2 ;

 

 

 

 

 

 

 

 

\Z6\

=

R6lYl+(2

л / т в

х ) 2

— модуль импеданса цепочки

Твх =

Сб

У

 

 

 

 

 

 

 

 

di% =

2 ^ э л г'ф а ф df;

 

 

 

 

 

 

 

аф — коэффициент,

зависящий

от типа и режима ис­

точника

сигнала (для

видиконов

аф

1 +/П А'Ф, где /'п —ток

пучка

[72], д л я диссекторов

аф = iCf

( 1 + Б і )

а£ , где КІ =

= 1-М,5,

B i = 0 , 5 - h l , 5

коэффициенты,

учитывающие

увеличение

шума в

умножителе

из-за

пролета электро­

нов и флюктуации коэффициента вторичной эмиссии со­ ответственно [73, 74], п — число каскадов умножителя,

136

Gy •— коэффициент

вторичной

эмиссии

каскада

у м н о ж и ­

теля) ;

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

итгб—у

 

j"d«Tz6 —

эффективное

напряжение

теп-

 

 

к

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

лового шума цепочки

ReCs;

 

 

 

 

 

 

Шіг'б

=

4kTRe

 

[Z6]dj;

 

 

 

 

 

 

 

i?e[Z6 ]

=

Я б / [ 1 + ( 2 я / г в х ) 2 ] - —

активная

 

составляющая

импеданса

Zg;

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Uc в х =

icR6l{l

+j

2 я / т в х ) — напряжение

сигнала

на

входе усилителя

при

отключенном транзисторе;

 

 

-

і

/ r S

*

 

 

 

 

 

 

 

 

 

! ш н =

ь

а г ш н — т е п л о в о й

 

шумовой

ток

нагрузки

каскада;

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

57шн=

AkTdf/Re

 

[Z,,];

 

 

 

 

 

 

 

/?e[ZH ] — активная составляющая импеданса

нагрузки.

Общий

шум,

приведенный

ко

входу

усилительного

каскада в

элементарной

полосе

частот,

составляет

 

 

dllai вх 2 =

dU-щ І ф -\- dt(T

гб

dllai

вх пт н'

 

 

где сїишвхптн — приведенный ко входу

шум

транзистора

и нагрузки, который при Z3<^aZK

 

может быть

определен

по формуле

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

dtlui

вх пт н =

dlljQ

+

Л'эб

|

Гб+^б

| 2

. +

 

 

+ ш2бк-1-

|

r6

+ z3

+

z61

z+(di!K

+

dlL)x

 

Z 8

( l +

- ^ ± ^ -

U ( r e

+

Z e ) ( l - c i )

.

(9.7)

Шум на выходе видеоусилителя равен

 

 

 

 

dllm вых S =

И

(f)\2

dUm

вх 2

'

 

 

 

где |/Cu(7)| — модуль коэффициента усиления видеоуси­ лителя по напряжению .

Д л я коррекции высокочастотных искажений, обуслов­ ленных цепью R5C5, коэффициент усиления д о л ж е н быть равен *)

* „ ( / / ) = * « о (1 + / 2 Я / 0 ,

где Кио — коэффициент усиления

 

по

напряжению

для

средних частот.

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Тогда

напряжение

сигнала

на

выходе

усилителя

бу­

дет равно

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

:

вх Ки (/ /)

=

'"с ^ б

о>

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

а напряжение

шума

в

элементарной

полосе частот

со­

ставит

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

du^

в

ы х v =

Й«ш вх S КІ0

[1 +

 

(2 Л / Т В ! С ) 2 ] .

 

 

Спектральная плотность шума иа выходе усилителя

запишется

в

виде

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

^"ш вых S

 

dui

К « о П + ( 2 я / Ч в х ) 2 ] .

 

(9.8)

 

 

 

 

 

df

 

 

 

df

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Обычно

( 2 я / т т ) 2 < 1 ,

га + г б < і ? б ,

/"б(1—do) <ra,

< х 0 « 1

(за исключением

случая, когда имеется разность

cto—1),

-±-\r6

+

Z6

+

Z3

|а

=

Rl{\ + ( 2 i t / ) 2

[Cl (r3+r6f+2C6

xT

r3}}

 

a:

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Яб

 

1 - oo +

^ ( с э + С к + Сб )2 +

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

1 + ( 2 n / t 6

) »

 

 

 

 

 

 

 

 

 

+ ( 2 « f l « r | ^ C § ( C s + CK

 

 

 

Учитывая

 

(9.7)

и

в ы р а ж а я

в

(9.8)

значение

й«шВ хг

через

duli

і ф,

du ? Z 6

и

d«m вхптні При Z H

і?н

получим

 

*)

Мы

ограничимся

рассмотрением

простой

противошумовой

коррекции, поскольку сложная схема в транзисторных видеоусили­ телях малоэффективна [55] и к тому ж е часто приводит к самовоз­ б у ж д е н и ю усилителя.

 

 

F{f)

= K2u0Rli~-

+

B + Cf

+

 

Df+Ef^

(9.9)

где

A = Аэ

+

Л к ;

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Я б

1

+

Я б

lx

 

 

 

+

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Ян

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Оф»ф +

(1 —

<*„)+ /„„ +

/:

 

- a 0 ) s

 

 

 

 

 

 

 

 

 

(/-э + г 6 ) 2 +

 

22 гСЭ^

 

 

 

 

D = 4 п 2

(4 k Т С\ гб

+ 2q { С% Г6 / , (1 - <х0) +

 

 

 

+

/к о [Се (г, +

г 6 ) 2 + 2 г* С б С,]

+

/ , r l С\)

+

 

 

 

+

 

 

г2

LГ-

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

46Г - э

S

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Ян

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Су — С э + С к -f- CG ;

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

£ = 3 2 я ^ э л / э С б 2 ^ ^ ( С э + С к ) 2 ( 1 + 2 - ^

 

 

 

 

П р и н и м а я во внимание, что ч а щ е всего

+ 1—«oj <С

« l - a 0

и / э г* С | »

/ , (1—Оо)С§ ^ + / к „ [ С 1 ( г э + г б

) 2 + 2 С б

СА]

>

коэффициенты В и D д л я

практических

расчетов

можно

считать соответственно равными

 

 

 

 

 

 

 

В =

4 / г Г -

 

 

 

 

 

 

я б ; j +

 

 

 

 

 

 

 

я б

L

 

л н

 

I

 

(9.10)

 

+ 2

9Э Л

[ а ф

г ' ф + / э

(1

а„)

+

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

D

^

16 яЧТ

б

СІ +

0,5 гэ &{\

+ 2

^ ~

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

\

 

 

Я н

 

 

 

 

Вплоть до частот 0,2/т

 

обычно f(C+Ef3)<g.

—ЬВ

+

+

Df2, поэтому

в ы р а ж е н и е

 

(9.9) м о ж н о

записать в

виде

 

 

 

 

F(f)^K2uoR26[j

 

+B

+

Df>).

 

 

 

 

Частота,

при

которой

 

значение

F(f)

минимально,

равна

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Соседние файлы в папке книги из ГПНТБ