8 Слов х 8 разрядов и матрицы датчиков 8 слов X 8 разрядов, а

- 86 -

также ввод данных 8 слов Х 8 разрядов по стробирующему сигна-

лу. Для хранения вводимой информации в микросхеме предусмотрен

обратный магазин - оперативное запоминающее устройство ем-

костью 8 байт, работающее по принципу "первый вошел - первый

вышел". В клавиатурной части предусмотрен специальный режим

обнаружения ошибок при замыкании двух и более клавиш, а также

введена схема устранения дребезга при замыкании - размыкании

клавиши.

Дисплейная часть микросхемы обеспечивает вывод информации

по двум 4-разрядным каналам в виде двоичного кода на 8- и 16-

разрядные цифровые или аналогово - цифровые дисплеи. Для хра-

нения информации, подлежащей отображению, в микросхеме имеется

ОЗУ отображения объемом 18 слов Х 8 разрядов.

Программирование режимов работы, запись информации в ОЗУ

отображения, чтение информации из ОЗУ, а также чтение внутрен-

него состояния микросхемы осуществляется через 8-разрядный

двунаправленный канал данных при подаче соответствующих управ-

ляющих сигналов. МС обеспечивает формирование интерфейсных

сигналов сканирования клавиатуры, а также сигнала для межраз-

рядного гашения информации на дисплее.

Наличие выходной линии запроса прерывания и режима чтения

внутреннего состояния позволяют использовать данную микросхему

в системах с прерыванием и последовательным опросом внешних

устройств. Применение микросхемы КР580ВВ79 позволяет полностью

освободить микропроцессор от операций сканирования клавиатуры

и регенерации изображения на дисплее.

МС КР580ВГ75 - однокристальный контроллер ЭЛТ, предназна-

чен для афавитно - цифровых дисплеев и видеотерминалов. Основ-

ное назначение - вывод информации из памяти ЭВМ на экран ЭЛТ,

- 87 -

промежуточное хранение информации, управление синхронизацией,

параметрами развертки и изображения, выполнение вспомогатель-

ных функций.

МС КР580ГФ24 - генератор тактовых сигналов С1, С2, пред-

назначен для синхронизации работы микропроцессора КР580ВМ80.

Генератор формирует:

две фазы С1, С2 с положительными импульсами, сдвинутыми

во времени, амплитудой 12 В и частотой 0,5 - 3,0 МГц;

тактовые сигналы опорной частоты амплитудой напряжения

уровня ТТЛ;

стробирующий сигнал состояния;

татктовые сигналы С, синхронные с фазой С2, амплитудой

напряжения уровня ТТЛ.

МС КР580ИР82 и КР580ИР83 - 8-разрядные адресные регистры,

предназначенные для связи микропроцессора с системной шиной;

обладают повышенной нагрузочной способностью. МС КР580ИР82 -

8-разрядный D-регистр-"защелка" без инверсии и тремя состояни-

ями на выходе, МС КР580ИР83 - 8-разрядный D-регистр-"защелка"

с инверсией и тремя состояниями на выходе.

МС КР580ВА86 и КР580ВА87 - двунаправленные 8-разрядные

шинные формирователи, предназначенные для обмена данными между

микропроцессором и системной шиной; обладают повышенной нагру-

зочной способностью. МС КР580ВА86 - формирователь без инверсии

и тремя состояниями на выходе, МС КР580ВА87 - формирователь с

инверсией и тремя состояниями на выходе.

.

- 88 -

10. ЗАПОМИНАЮЩИЕ УСТРОЙСТВА. МИКРОСХЕМЫ ПАМЯТИ.

Полупроводниковые запоминающие устройства (ЗУ) являются

одним из основных типов ЗУ ЭВМ и устройств автоматики. Полуп-

роводниковые ЗУ - это БИС, предназначенные для хранения и счи-

тывания двоичной информации.

Микросхемы ЗУ различают по большому набору параметров:

Назначение (ОЗУ, ПЗУ);

Способу хранения информации: статические,

динамические,

на ЦМД;

Емкости;

Быстродействию;

Энергопотреблению и питанию;

Технологии изготовления;

Типу выхода (открытый коллектор, третье состояние, откры-

тый эмиттер)

и другим параметрам.

Микросхемы памяти изготавливают по полупроводниковой тех-

нологии на основе кремния с высокой степенью интеграции компо-

нентов на кристалле, что определяет их принадлежность к БИС.

Конструктивно БИС ЗУ представляют собой п/п кристалл с пло-

щадью в несколько десятков квадратных миллиметров, заключенный

в корпус.

.

- 89 -