- •А.А. Шерченков, ю.И. Штерн Материалы электронной техники
- •Оглавление
- •Лабораторная работа № 1 Определение удельного сопротивления полупроводников
- •Теоретические сведения
- •Бесконтактные методы
- •Контактные методы
- •Температурный коэффициент сопротивления кремния
- •Порядок выполнения работы
- •Требования к отчету
- •Контрольные вопросы
- •Собственный полупроводник
- •Примесный полупроводник
- •Вырожденный и невырожденный полупроводники
- •Концентрация электронов и дырок
- •Температурная зависимость концентрации носителей
- •Температурная зависимость подвижности носителей заряда
- •Температурная зависимость электропроводности
- •Описание лабораторной установки
- •Порядок выполнения работы
- •Экспериментальные результаты
- •Контрольные вопросы
- •Теоретические сведения Эффект Холла
- •Температурная зависимость коэффициента Холла
- •Температурная зависимость удельного сопротивления
- •Расчет дрейфовой подвижности
- •Описание измерительной установки
- •Порядок выполнения работы
- •Требования к отчету
- •Контрольные вопросы
- •Вычисление коэффициента термоЭдс
- •Температурная зависимость коэффициента термоЭдс
- •Зависимость коэффициента термоЭдс от концентрации свободных носителей
- •Измерительная установка
- •Порядок выполнения работы
- •Требования и отчету
- •Контрольные вопросы
- •Лабораторная работа № 5 Исследование температурной зависимости подвижности электронов и дырок в полупроводниках
- •Теоретические сведения Определение подвижности
- •Температурная зависимость подвижности носителей заряда в полупроводнике
- •Порядок выполнения работы
- •Сущность методов икс
- •Техника выполнения анализа
- •Порядок выполнения работы
- •Порядок выполнения работы
- •Требования к отчету
- •Дифференциальный сканирующий калориметр dsc-50
- •Порядок проведения измерений
- •Порядок выполнения работы
- •Требования к отчету
- •Контрольные вопросы
Порядок выполнения работы
1. Включить измерительные вольтметры, источник питания зондов и дать им прогреться в течение 10 минут.
2. Перевести вольтметр 1 в режим измерения постоянного тока. Выставить предел измерения 10 мА.
3. С помощью регулятора на блоке питания установить значение тока, протекающего через образец 10 0,05 мА.
4. Провести измерение напряжения на образце с помощью вольтметра 2 (левая сторона на лицевой панели управления), отжав клавишу «».
5. Провести измерение температуры образца. Для этого с помощью вольтметра 2 измерить термо-ЭДС с хромель-алюмелевой термопары, подсоединенной к образцу. Измерения проводить на правой половине вольтметра 2, после нажатия клавиши «».
6. Включить питание нагревателя с помощью прибора «ЛИПС». Для этого установить питание 15 В и включить тумблер «вкл. Нагрузки».
8. При повышении температуры на 5 градусов провести измерения тока и напряжения аналогично измерениям при комнатной температуре.
9. Дальнейшие измерения проводить с шагом в 5 - 10 градусов в температурном диапазоне от комнатной температуры до 100 С.
Требования к отчету
Отчет должен содержать:
1) краткий конспект теоретической части;
2) результаты измерений и расчетов, оформленные в виде таблицы;
3) уравнение температурной зависимости подвижности в виде уравнения = ATp.
Контрольные вопросы
1. Подвижность носителей заряда.
2. Механизмы рассеяния носителей в полупроводниках.
3. Подвижность носителей заряда в полупроводниках в полярных и неполярных полупроводниках.
4. Температурная зависимость подвижности в полупроводниках.
5. Экспериментальное определение температурной зависимости подвижности носителей заряда.
Лабораторная работа № 6
Определение по ИК спектрам пропускания состава материала
и концентрации связей в тонких пленках сплавов
на основе аморфного кремния
Цель работы: ознакомление с методом определения состава материала и концентрации связей по ИК спектрам пропускания.
Теоретические сведения
Особенности ИК спектроскопии
Инфракрасная спектроскопия (ИКС) - это раздел спектрофотометрии, охватывающий длинноволновую область оптического спектра, границы которой достаточно условны: начинается она сразу за красной границей видимого спектра и простирается далеко в микроволновую область, т.е. область с длинами волн 0,8 - 300 мкм.
Методы ИКС позволяют проводить исследования структуры массивных образцов и пленок, не разрушая образец, что является их отличительной чертой и преимуществом по сравнению с другими методами анализа. Методы ИКС применимы для исследования практически всех веществ независимо от их физического состояния, цвета, кристаллической формы, молекулярного веса, числа компонентов, растворимости или числа фаз. С помощью этих методов можно получить информацию о строении молекул, характере их движения, взаимодействии между ними. Исключение составляют металлы, которые не могут анализироваться с помощью ИК-техники.
Сущность методов икс
В основе всех спектроскопических методов анализа структуры лежит поглощение молекулами лучистой энергии. Молекулы могут поглощать энергию в четырех областях электромагнитного спектра, в результате чего появляются вращательные, колебательные, колебательно-вращательные и электронные спектры. Поглощение в ИК диапазоне осуществляется благодаря фундаментальным растягивающим колебаниям большинства связей.
В ИКС излучение характеризуется длиной волны [мкм] или волновым числом = 1/ [см–1]. В ИК исследованиях используют следующие спектральные диапазоны излучения:
- ближний или “фотографический” (0,8 - 2,5 мкм или 12500 - 4000 см –1);
- средний или “основной” (2,5 - 50 мкм или 4000 - 200 см –1);
- дальний (50 - 300 мкм или 200 - 30 см –1).
Спектр поглощения (пропускания) вещества - это распределение интенсивности поглощения (пропускания) в зависимости от или . Обычно он представляет собой набор широких полос или тонких линий.
По числу и положению пиков поглощения на спектрограмме можно судить о природе вещества (качественный анализ), а по интенсивности полос - о его количестве (количественный анализ).
При наличии в спектре поглощения изолированных полос для его характеристики используют интегральную интенсивность всей полосы и ее полуширину (на середине высоты). В спектрах поглощения интенсивностью принято называть оптическую плотность А поглощающего слоя, связанную с интенсивностью падающего I0 и прошедшего I световых потоков уравнением
A = lg I0/I .