- •А.А. Шерченков, ю.И. Штерн Материалы электронной техники
- •Оглавление
- •Лабораторная работа № 1 Определение удельного сопротивления полупроводников
- •Теоретические сведения
- •Бесконтактные методы
- •Контактные методы
- •Температурный коэффициент сопротивления кремния
- •Порядок выполнения работы
- •Требования к отчету
- •Контрольные вопросы
- •Собственный полупроводник
- •Примесный полупроводник
- •Вырожденный и невырожденный полупроводники
- •Концентрация электронов и дырок
- •Температурная зависимость концентрации носителей
- •Температурная зависимость подвижности носителей заряда
- •Температурная зависимость электропроводности
- •Описание лабораторной установки
- •Порядок выполнения работы
- •Экспериментальные результаты
- •Контрольные вопросы
- •Теоретические сведения Эффект Холла
- •Температурная зависимость коэффициента Холла
- •Температурная зависимость удельного сопротивления
- •Расчет дрейфовой подвижности
- •Описание измерительной установки
- •Порядок выполнения работы
- •Требования к отчету
- •Контрольные вопросы
- •Вычисление коэффициента термоЭдс
- •Температурная зависимость коэффициента термоЭдс
- •Зависимость коэффициента термоЭдс от концентрации свободных носителей
- •Измерительная установка
- •Порядок выполнения работы
- •Требования и отчету
- •Контрольные вопросы
- •Лабораторная работа № 5 Исследование температурной зависимости подвижности электронов и дырок в полупроводниках
- •Теоретические сведения Определение подвижности
- •Температурная зависимость подвижности носителей заряда в полупроводнике
- •Порядок выполнения работы
- •Сущность методов икс
- •Техника выполнения анализа
- •Порядок выполнения работы
- •Порядок выполнения работы
- •Требования к отчету
- •Дифференциальный сканирующий калориметр dsc-50
- •Порядок проведения измерений
- •Порядок выполнения работы
- •Требования к отчету
- •Контрольные вопросы
Температурная зависимость удельного сопротивления
Для удобства сочетания графиков измеряемых величин в соответствии с R1/en экспериментально обычно определяется не электропроводность , а обратная ей величина – удельное сопротивление
. (5)
Температурные зависимости удельного сопротивления для полупроводников n- и p-типа сходны между собой (в отличие от R(T)). Температурная зависимость удельного сопротивления определяется совокупностью зависимостей n(T) и (T). При этом в области собственной проводимости
i(T)T3/2exp(-Eg/2kT)[n(T)+p(T)]-1 . (6)
Используя предположения, аналогичные сделанным при обсуждении зависимости R(T), получаем
i(T) exp(Eg/2kT) .
Следовательно, (6) тоже можно использовать для определения .
Температура, при которой начинает проявляться собственная проводимость, определяется степенью легирования. Германий с удельным сопротивлением 10 Омсм становится собственным при 90 0С, с удельным сопротивлением 1 Омсм – при 120 0С, с удельным сопротивлением 0,01 Омсм – при 200 0С, с удельным сопротивлением 0,001 Омсм – при 500 0С. Дальнейшее добавление примесей не приводит к заметному снижению сопротивления, что связано с увеличением примесного рассеяния. Однако постоянная Холла при этом продолжает уменьшаться, так как дополнительные носители все еще поставляются примесью.
Расчет дрейфовой подвижности
В области примесной проводимости зависимости (Т) и R(T) используются для нахождения (Т).
Как видно из соотношений (2) и (5), для областей с явно выраженной примесной проводимостью (соответственно для n- и p-типа)
; . (7)
Кроме того, если в каком-то интервале температур в области примесной проводимости известны значения Ri и I (рис.2), то можно определить подвижность неосновных носителей заряда (см. (3), (6), (7)):
В образце n-типа
, (8)
в образце p-типа
. (9)
Рис.2. Температурные зависимости удельного сопротивления (кривая 1) и коэффициента Холла (кривая 2)
В собственной области ни одна из подвижностей методами, используемыми в данной работе, не может быть определена.
Описание измерительной установки
Принципиальная схема измерительной установки представлена на рис.3. Измерения проводятся на образце германия на постоянном токе и в постоянном магнитном поле.
Рис.3. Принципиальная схема установки для измерений коэффициента Холла и удельного сопротивления: 1 – 2 – контакты для измерений коэффициента Холла; 2 – 3 – контакты для измерений удельного сопротивления
Магнитное поле создается электромагнитом. Для проведения температурных измерений держатель с образцом помещается в термокамеру так, чтобы широкая грань образца была перпендикулярна магнитному полю. Температура образца измеряется с помощью термопары.
К образцу германия, вдоль которого течет ток I, прижаты контакты 1 – 2 для измерения поперечной разности потенциалов U12 и контакты 2 – 3 для измерения продольной разности потенциалов U23. Все напряжения и ЭДС термопары измеряются цифровыми вольтметрами.
При измерении поперечного падения напряжения на контактах 1 – 2 уже в отсутствии магнитного поля практически всегда есть разность потенциалов U0, обусловленная неэквипотенциальностью контактов. Для исключения вклада этой немагнитной разности потенциалов измерения U12 производятся при двух противоположных полярностях магнитного поля.
Из-за различия в отношении величин Uн и U0, измеряемых лишь по модулю, напряжения U12 могут быть либо разных знаков, либо одного, что приводит к двум способам расчета Uн:
а) Uн U0. Знаки поперечных разностей потенциалов при одной ( ) и другой ( ) полярностях магнитного поля разные (совпадают со знаками Uн)
,
.
Тогда холловская разность потенциалов равна полусумме абсолютных значений U12
; (10)
б) Uн U0. Знаки поперечных разностей потенциалов при разных полярностях магнитного поля одинаковые (совпадают со знаком U0)
,
.
Тогда холловская разность потенциалов равна полуразности абсолютных значений U12
. (11)
Коэффициент Холла может быть рассчитан по формуле
.
С учетом размерностей соответствующих величин получим
, [см3/Кл] , (12)
где Uн измеряется в вольтах, b – в сантиметрах, I – в амперах, B – в гауссах.
Значение продольного падения напряжения U может быть определено как полусумма абсолютных значений U23 при противоположных направлениях тока
. (13)
Удельное сопротивление определяется соотношением
, (14)
где b, d, l – толщина, ширина и расстояние между контактами 2 – 3 исследуемого образца.