- •Введение
- •1. Электропроводность полупроводников
- •1.1. Электроны в твердом теле
- •1.2. Собственная проводимость
- •1.3. Дрейфовые токи
- •1.4. Примесная электропроводность
- •1.5. Диффузионные токи в полупроводниках
- •2. Электронно-дырочные переходы
- •2.1. Электронно-дырочный переход при отсутствии внешнего напряжения
- •2.2.Электронно-дырочный переход при прямом напряжении
- •2.3. Электронно-дырочный переход при обратном напряжении
- •2.4. Переход металл-полупроводник
- •3. Полупроводниковые диоды
- •3.1. Вольт-амперная характеристика полупроводникового диода
- •3.2. Емкости полупроводникового диода
- •3.3. Модели диодов
- •3.4. Температурные свойства полупроводниковых диодов
- •3.5. Рабочий режим диода
- •3.6. Применение выпрямительных диодов
- •3.7. Импульсный режим диодов
- •3.8. Конструкции полупроводниковых диодов
- •3.9. Стабилитроны
- •3.10. Варикапы
- •3.11. Туннельные и обращённые диоды
- •3.12. Полупроводниковые диоды для свч
- •3.13. Лавинно-пролетные диоды
- •3.14. Диод Ганна
- •4. Биполярные транзисторы
- •4.1. Общие сведения о транзисторах
- •4.2. Физические процессы в транзисторе
- •4.3. Основные схемы включения транзисторов
- •4.4. Характеристики транзисторов
- •4.5. Модели транзисторов
- •4.6. Влияние температуры на работу транзисторов
- •4.7. Схемы питания и стабилизации режима транзисторов
- •4.8. Усиление с помощью транзистора
- •4.9. Частотные свойства транзисторов
- •4.10. Импульсный режим транзисторов
- •4.11. Основные типы биполярных транзисторов
- •5. Полевые транзисторы
- •5.1. Полевые транзисторы с управляющим переходом
- •5.4. Биполярные транзисторы с изолированным затвором
- •6. Тиристоры и однопереходный транзистор
- •6.1. Диодный тиристор
- •6.2. Триодные тиристоры
- •6.3. Однопереходный транзистор
- •7. Оптоэлектронные приборы
- •7.1. Фотодиоды
- •7.2. Фототранзисторы
- •7.3. Светодиоды
- •7.4. Оптроны
- •8. Элементы интегральных микросхем
- •8.1. Пленочные и гибридные ис
- •8.2. Полупроводниковые ис
- •8.3. Схемы с инжекционным питанием
- •8.4. Схемы на приборах с зарядовой связью
- •Заключение
2. Электронно-дырочные переходы
2.1. Электронно-дырочный переход при отсутствии внешнего напряжения
Область на границе двух полупроводников с различными типами электропроводности называется электронно-дырочным или p-n-переходом. Электронно-дырочный переход обладает несимметричной проводимостью, т. е. имеет нелинейное сопротивление. Работа большинства полупроводниковых приборов (диоды, транзисторы и др.) основана на использовании свойств одного или нескольких р-n-переходов.
Пусть внешнее напряжение на переходе отсутствует (рис. 2.1). Из полупроводника п-типа в полупроводник р-типа диффундируют электроны, а в обратном направлении из полупроводника р-типа в полупроводник n-типа диффундируют дырки. Это диффузионное перемещение электронов и дырок показано на рис. 2.1,а стрелками. Кружки с плюсом и минусом изображают атомы донорной и акцепторной примеси, заряженные соответственно положительно и отрицательно.
Рис. 2.1. Электронно-дырочный переход при отсутствии внешнего напряжения
В результате в области п возникает неподвижный положительный объемный заряд. Подобно этому в области р возникает отрицательный неподвижный объемный заряд. Между образовавшимися объемными зарядами возникают так называемая контактная разность потенциалов:
φ0 = φn - φp
и электрическое поле (вектор напряженности Ек). На рис. 2.1,б изображена потенциальная диаграмма р-п -перехода, когда внешнее напряжение к переходу не приложено.
Как видно, в р-n-переходе возникает потенциальный барьер, препятствующий диффузионному переходу носителей. На рис. 2.1,б изображен барьер для электронов, стремящихся за счет диффузии перемещаться слева направо (из области п в область р).
Высота барьера равна контактной разности потенциалов и обычно составляет десятые доли вольта. Для германия, например, при средней концентрации примесей φ0= 0,3-0,4 В и d = 10-4-10-5 см, а при небольших концентрациях, создаваемых в кремниевых приборах, φ0≈0,7 В и d = 10-6 см.
Одновременно с диффузионным перемещением основных носителей через границу происходит и обратное перемещение носителей под действием электрического поля контактной разности потенциалов. Это поле перемещает дырки из n-области обратно в р-облгсть и электроны из р-области обратно в п-область. На рис. 2.1,а такое перемещение неосновных носителей, представляющее собой их дрейф, показано также стрелками. При постоянной температуре р-n-переход находится в состоянии динамического равновесия.
Перемещение носителей за счет диффузии является диффузионным током (Iдиф), а движение носителей под действием поля представляет собой ток дрейфа (Iдр). В установившемся режиме, т. е. при динамическом равновесии перехода, эти токи равны и противоположны по направлению. Поэтому полный ток через переход равен нулю, что и должно быть при отсутствии внешнего напряжения.
На рис. 2.1,в показано распределение концентрации носителей в р-n переходе. Взяты значения концентраций, характерные для германия. Так как концентрации основных и неосновных носителей отличаются друг от друга в миллионы раз, то по вертикальной оси концентрации отложены в логарифмическом масштабе.
Концентрации примесей в областях пир обычно бывают различными. Именно такой случай показан на рис. 2.1,в. В полупроводнике п-типа концентрации основных и неосновных носителей взяты соответственно nn = 1018 и pn = 108 см-3, а в полупроводнике р-типа концентрация примесей меньше, и поэтому pp = 1016 и np = 1010 см-3.
Как видно, в р-n-переходе концентрация электронов плавно меняется от 1018 до 1010 см-3, а концентрация дырок — от 1016 до 108 см-3. В результате этого в средней части перехода образуется слой с малой концентрацией носителей (обедненный носителями слой). Например, на самой границе концентрация электронов составляет 1014 см-3, т. е. она в 10000 раз меньше, чем в области п, а концентрация дырок равна 1012 см-3, и она тоже в 10000 раз меньше, чем в области р. Соответственно и удельная электрическая проводимость р-n-перехода будет во много раз меньше, чем в остальных частях областей рип.
Таким образом в р-n-переходе возникает слой, называемый запирающим и обладающий большим сопротивлением по сравнению с сопротивлением остальных объемов р- и п-полупроводников.