- •Введение
- •1. Электропроводность полупроводников
- •1.1. Электроны в твердом теле
- •1.2. Собственная проводимость
- •1.3. Дрейфовые токи
- •1.4. Примесная электропроводность
- •1.5. Диффузионные токи в полупроводниках
- •2. Электронно-дырочные переходы
- •2.1. Электронно-дырочный переход при отсутствии внешнего напряжения
- •2.2.Электронно-дырочный переход при прямом напряжении
- •2.3. Электронно-дырочный переход при обратном напряжении
- •2.4. Переход металл-полупроводник
- •3. Полупроводниковые диоды
- •3.1. Вольт-амперная характеристика полупроводникового диода
- •3.2. Емкости полупроводникового диода
- •3.3. Модели диодов
- •3.4. Температурные свойства полупроводниковых диодов
- •3.5. Рабочий режим диода
- •3.6. Применение выпрямительных диодов
- •3.7. Импульсный режим диодов
- •3.8. Конструкции полупроводниковых диодов
- •3.9. Стабилитроны
- •3.10. Варикапы
- •3.11. Туннельные и обращённые диоды
- •3.12. Полупроводниковые диоды для свч
- •3.13. Лавинно-пролетные диоды
- •3.14. Диод Ганна
- •4. Биполярные транзисторы
- •4.1. Общие сведения о транзисторах
- •4.2. Физические процессы в транзисторе
- •4.3. Основные схемы включения транзисторов
- •4.4. Характеристики транзисторов
- •4.5. Модели транзисторов
- •4.6. Влияние температуры на работу транзисторов
- •4.7. Схемы питания и стабилизации режима транзисторов
- •4.8. Усиление с помощью транзистора
- •4.9. Частотные свойства транзисторов
- •4.10. Импульсный режим транзисторов
- •4.11. Основные типы биполярных транзисторов
- •5. Полевые транзисторы
- •5.1. Полевые транзисторы с управляющим переходом
- •5.4. Биполярные транзисторы с изолированным затвором
- •6. Тиристоры и однопереходный транзистор
- •6.1. Диодный тиристор
- •6.2. Триодные тиристоры
- •6.3. Однопереходный транзистор
- •7. Оптоэлектронные приборы
- •7.1. Фотодиоды
- •7.2. Фототранзисторы
- •7.3. Светодиоды
- •7.4. Оптроны
- •8. Элементы интегральных микросхем
- •8.1. Пленочные и гибридные ис
- •8.2. Полупроводниковые ис
- •8.3. Схемы с инжекционным питанием
- •8.4. Схемы на приборах с зарядовой связью
- •Заключение
7.4. Оптроны
Оптрон — это полупроводниковый прибор, в котором конструктивно объеденены источник и приемник излучения, имеющие между собой оптическую связь. Цепь излучателя является управляюще а цепь фотоприемника — управляемой.
Диодные оптроны (рис. 7.6,а) имеют обычно кремниевый фотодиод и инфракрасный арсенидо-галлиевый светодиод. Фотодиод может работать в фотогенераторном режиме, создавая фото-ЭДС до 0,5 — 0,8 В, или в фотодиодном режиме. Для повышения быстродействия применяют фотодиоды типа р — i — п.
Рис.7.6. Различные типы оптронов
Транзисторные оптроны (рис. 7.6,б) имеют обычно в качестве излучателя арсенидо-галлиевый светодиод, а приемника излучения — биполярный кремниевый фототранзистор типа п — р — п. Они работают, главным образом, в ключевом режиме.
Разновидностью транзисторных оптопар являются оптроны с полевым фототранзистором (рис.7.6,в). Они отличаются хорошей линейностью выходной вольт-амперной характеристики в широком диапазоне напряжений и токов и поэтому используются в аналоговых схемах.
8. Элементы интегральных микросхем
Главные достоинства интегральных схем (ИС) состоят в том, что они имеют малые размеры и массу, потребляют малую мощность от источников питания, обладают высокой надежностью за счет уменьшения числа паяных соединений, высоким быстродействием, так как при очень коротких соединительных линиях между элементами время прохождения сигналов по этим линиям уменьшается, имеют относительно низкую стоимость.
ИС имеют и некоторые недостатки. Прежде всего они являются маломощными. Соединения между микросхемами делаются по старым принципам, занимают значительный объем и снижают надежность.
Цифровые ИС характерны тем, что они работают в импульсном режиме и могут находиться в одном из двух резко различных состояний, поскольку в современных ПЭВМ применяется двоичная система счисления, в которой используются только две цифры — 0 и 1. Аналоговые ИС работают в таких режимах, когда изменения токов и напряжений происходят непрерывно по тому или иному закону, например по синусоидальному. К аналоговым схемам относятся усилители, генераторы и различные преобразователи сигналов.
8.1. Пленочные и гибридные ис
Пленочные ИС имеют подложку из диэлектрика (стекло, керамика и др.). Пассивные элементы, т. е. резисторы, конденсаторы, катушки и соединения между элементами, в таких схемах выполняются в виде различных пленок, нанесенных на подложку. Активные элементы (диоды, транзисторы) не делаются пленочными, так как не удалось добиться их хорошего качества. Таким образом, пленочные ИС содержат только пассивные элементы.
Подложки представляют собой диэлектрические пластинки толщиной 0,5 — 1 мм, тщательно отшлифованные и отполированные. Для резисторов на подложку наносят резистивные пленки. На рис. 8.1 показана структура пленочных резисторов.
Рис. 8.1. Пленочный резистор
1 – резистивная пленка; 2 – вывод; 3 – подложка
Гибридная ИС, состоящая из конденсатора, транзистора и резистора, показана на рис. 8.2. Это может быть, например, часть усилительного каскада. Проводники от транзистора присоединяются к соответствующим точкам схемы чаще всего методом термокомпрессии.
Рис. 8.2. Структура и электрическая схема гибридной интегральной микросхемы