35. Сзупв: уго, применение, принцип работы, основные типы и характеристики.

Статическая оперативная память с произвольным доступом (SRAM, static random access memory) — полупроводниковая оперативная память, в которой каждый двоичный или троичный разряд хранится в схеме с положительной обратной связью, позволяющей поддерживать состояние сигнала без постоянной перезаписи, необходимой в динамической памяти (DRAM).

36. Конструктивное исполнение модулей памяти.

1. SIMM (Single Inline Memory Module).

2. SIPP. С односторонним краевым разъемом

3. DIMM (Dual Inline Memory Module).

4. RIMM. Используется для RDRAM.

5. SO-DIMM (Small Outline Dual Inline Memory Module).

6. mSO-DIMM – micro SO-DIMM.

37. Что такое регенерация памяти?

Динамическая память любого типа, в отличие от статической, даже при подаче питающих напряжений не обладает способностью хранить свою информацию сколь угодно долго. Состояние элементарной ячейки динамической памяти определяется наличием или отсутствием заряда на конденсаторе, и этот заряд подвержен утечке. Поэтому для сохранения данных в динамической памяти ее ячейки необходимо периодически подзаряжать, что и составляет суть процесса регенерации. Как это происходит, чуть ниже.

При выполнении операции чтения регенерация выполняется автоматически. Полученные на усилителе сигнала данные тут же записываются обратно.

38. Что такое латентность памяти?

Латентность – задержка между поступлением команды и ее реализации.

39. Энергонезависимая память. Основные типы и их характеристики

энергонезависимая память — любое устройство компьютерной памяти, или его часть, сохраняющее данные вне зависимости от подачи питающего напряжения. 

Постоянная память включается в архитектуру ЭВМ в частности для хранения информации в BIOS. Она является энергонезависимой.

Основным режимом работы ПЗУ является считывание данных, что определяет их общее название Read Only Memory (ROM). Запись в данную память называется программированием, этот процесс существенно сложнее и требует больших затрат времени и энергии (чем считывание, или запись для других устройств), требуется высокое напряжение для программирования от 12 до 26 вольт.

Классификация по возможности программирования: не программируемые, программируемые.

Не программированные – обычные штамповочные или массовые ПЗУ (ROM).

Программируемые – однократно программируемые (осуществляется прожигом, плавкой перемычек PROM); электрически программируемые (многократно программируемые) EPROM (или стираемые Erase/electric PROM). Делятся на 2 класса в зависимости от стирания информации (1ультрафиолетом или рентгеновскими лучами, 2 электрические)

EEPROM – относится к классу энергонезависимой памяти с произвольным доступом (Non-Volatile Random Access Memory «NVRAM»). «NVRAM» подразумевает возможность произвольной смены информации не только во всей области или блоке, но и в отдельной ячейке, это выполняется при помощи обычного машинного цикла.

К данному классу можно отнести так же микросхемы FRAM (Ferro electrical RAM – память с произвольным доступом). Под влиянием электрического поля происходит поляризация кристаллов, которая сохраняется в течении длительного времени после выключения поля. Изменение направления поля на противоположное вызывает быстрое переключение (за 1 нано сек) поляризации. Ячейки памяти FRAM по структуре напоминают DRAM (динамические), но информация уже храниться не в виде заряда конденсатора (который нужно регенерировать), а в виде направления поляризации кристалла. Предварительного стирания не требуется, число циклов перезаписи не ограничено, время хранения 10 лет. Используется в портативных устройствах.

Флешь-память (Flash Erase EEPROM). Мгновенное стирание. Применено компромиссное решение. Нельзя стереть отдельное слово, можно только блоками (512 байт). Это устраняет недостаток EPROM, потребность в сложных схемах управления, необходимых для возможности отдельного стирания байт информации. Во флешь памяти достаточно 1 транзистора на ячейку, более того, современная флешь память позволяет, на одной ячейке хранить несколько бит информации. Схема адресации проще, поэтому флешь-память работает быстрее чем EPROM.

Энергонезависимая память может использоваться двояко.

1 Она может включаться в пространство памяти, и тогда процессор может использовать ее для хранения данных и программного кода.

2 Она может использоваться в качестве носителя, устройств хранения данных (внешних запоминающих устройств). В этом случае для доступа к ней (как к внешней памяти) требуются интерфейсные адаптеры и контроллеры.