29. Что в иерархической системе памяти определяют термины «промах» и «попадание».

30. Основные характеристики оперативной памяти пэвм.

В отличие от статического, которые строятся на триггерах с непосредственными связями (состоящие из 4, либо 6 транзисторов) и могут неограниченно долго хранить информацию при включенном питании, запоминающий элемент динамического типа состоит из 1 конденсатора и 1 транзистора. Это обуславливает очень короткий промежуток времени для хранения записанной информации и необходимость ее регенерации (1-2 мили сек). Регенерацией занимается контроллер памяти.

Характеристики:

• Емкость,

• Стоимость,

• Длительность цикла обращения (время доступа + время регенерации)

• Пропускная способность – количество единиц информации передаваемой за 1 секунду.

• Разрядность шины памяти, должна быть согласованна с разрядностью шины данных процессора. (для этого вводятся кэш1, кэш2 уровня)

• Частота синхронизации – частота, с которой контроллер памяти выдает тактовый импульс.

• Частота передачи данных – частота, на которой передаются данные.

• Латентность – задержка между поступлением команды и ее реализации.

31. Пути повышения пропускной способности оперативной памяти.

32. Принцип блочной организации оперативной памяти.

Оперативная память имеет блочную организацию.

Если разрядность запоминающей ячейки микросхемы памяти < разрядности слова шины данных системного интерфейса, то несколько ИМС объединяются в модули. В модуле может быть и 1 микросхема, если она имеет разрядность. Совокупность модулей – банк памяти. Совокупность банков – блок.

Блочная организация позволяет:

1. Уменьшить разрядность адреса необходимого слова выставляемого на шину адреса системного интерфейса.

2. позволяет увеличить разрядность слова выставляемого на шину данных системного интерфейса.

3. Позволят использовать преимущество расслоения памяти (когда n последовательных адресов приходятся на n банков).

4. Чередование адресов (банков) – номер банка кодировался младшими линиями адреса …

5. Использование независимых банков памяти (со своими контроллерами для поддержки.

33. Преимущества блочной организации оперативной памяти.

34. Дзупв: уго, применение, принцип работы, основные типы и характеристики.

DRAM (Dynamic random access memory, Динамическая память с произвольным доступом) — тип энергозависимой полупроводниковой памяти с произвольным доступом; DRAM широко используемая в качестве оперативной памяти современных компьютеров, а также в качестве постоянного хранилища информации в системах, требовательных к задержкам.

Как запоминающее устройство, DRAM представляет собоймодуль памяти различных конструктивов, состоящий из электрической платы, на которой расположены микросхемы памяти и разъёма, необходимого для подключения модуля к материнской плате.

Основными характеристиками DRAM являются рабочая частота и тайминги. Основными таймингами DRAM являются: задержка между подачей номера строки и номера столбца, называемая временем полного доступа (англ. RAS to CAS delay), задержка между подачей номера столбца и получением содержимого ячейки, называемая временем рабочего цикла (англ. CAS delay), задержка между чтением последней ячейки и подачей номера новой строки (англ. RAS precharge). Тайминги измеряются в наносекундах или тактах, и чем меньше величина этих таймингов, тем быстрее работает оперативная память.

Основные типы:

1. Страничная память

2. Быстрая страничная память

3. EDO DRAM – память с усовершенствованным выходом

4. SDR SDRAM — синхронная DRAM

5. Enhanced SDRAM (ESDRAM)

6. Пакетная EDO RAM

7. Video RAM

8. DDR SDRAM

9. Direct RDRAM или Direct Rambus DRAM

10. DDR SDRAM

11. DDR2 SDRAM

12. DDR3 SDRAM