- •Реактивные методы ионного травления.
- •4. Катодное распыление – Физические основы процесса и простейшая схема установки. Преимущества и недостатки метода по сравнению с термическим вакуумным напылением.
- •Технология изготовления коммутационных плат на основе многослойной керамики.
- •7. Эпитаксия. Гетероэпитаксия, автоэпитаксия. Схема реактора и протекание процесса. Дефекты эпитаксиальных слоев.
- •Гомоэпитаксия (автоэпитаксия)
- •9. Термическое вакуумное напыление: Упрощенная схема внутрикамерного устройства. Основные преимущества и недостатки метода. Факторы определяющие структуру и свойства получаемый тонких пленок.
- •11.Технология изготовления коммутационных плат на металлическом основании. Технология изготовления коммутационных плат на основе анодированного алюминия
- •14.Этапы технологического процесса формирования многоуровневых межсоединений толстопленочной коммутационной платы.
- •17. Классификация технологических процессов изготовления коммутационных плат. Основные этапы изготовления коммутационных плат во всех типовых технологических процессах.
- •18.Ионно-плазменное травление. Ионно-лучевое травление.
- •20. Электронолитография. Возможности процесса.Рентгенолитография, особенности процесса.
- •21. Классификация методов литографии. Использование процессов литографии в производстве имс.Особенности процесса проекционной фотолитографии.
- •22.Операция совмещения. Виды знаков совмещения, последовательность их формирования.
- •23.Технологические операции процесса литографии. Схема процесса контактной фотолитографии.
- •24.Сущность процесса ионной имплантации; схема рабочей камеры.
- •25.Физические основы процесса ионной имплантации, характер торможения ионов при ионной имплантации, эффект каналирования; необходимость отжига
- •26.Термическая диффузия: Последовательность технологических операций процесса диффузии, схема оборудования для проведения процесса, основные легирующие элементы.
- •2. Двухстадийный процесс (для всего остального).
- •28. Термическая диффузия: Физические основы процесса, механизмы диффузии примесей, законы Фика.
- •29. Укрупненная схема технологического процесса изготовления диффузионного транзистора. Последовательность формирования топологических слоев полупроводникового транзистора.
- •30. Классификация имс по технологическому методу изготовления. Параметры, характеризующие сложность имс. Топология имс. Общая топология и послойная топология. Понятие технологической совместимости.
- •31. Интегральная микросхема. Термины и определения. Элемент микросхемы, компонент микросхемы. Подложка имс. Кристалл имс. Контактная площадка имс. Корпус имс. Бескорпусная имс.
20. Электронолитография. Возможности процесса.Рентгенолитография, особенности процесса.
Электронно-лучевая литография
Основана на том, что электроны взаимодействуя с ФР могут разрушать или полимеризировать молекулы ФР, в зависимости от этого различают негативные и позитивные ФР.
Достоинства:
Высокая разрешающая способность
Создание рисунка без использвоания масок и фотошаблона (рисунок получается путем движения луча по пластине и включением и выключением луча в нужные моменты)
Возможность полной автоматизации процесса
Возможность получения субмикронных размеров
Легко перестраивается на различные литографические операции
Недостатки:
Низкая производительность
Рентгенолитография
Обеспечивает более высокое разрешение (0,5 мкм). Требуется специальный рентгено-шаблон (РШ), между пластиной и шаблоном выдерживается расстояние 10 мкм. Время экспонирования: 1 мин.
Достоинства:
Высокая разрешающая способность из-за малой длины волны
Практически неограниченный срок службы РШ
Относительно высокая произвоительность
Любые загрязнения пластины не могут поглощать рентгеновское излучение => не приводят к искажениям рисунка
Недостатки:
Геометрический уход размеров изображения
К рисунку: Ø – 3 мкм, L ~ 50 см, g=10-40 мкм, δ ~ 0,2 мкм.
21. Классификация методов литографии. Использование процессов литографии в производстве имс.Особенности процесса проекционной фотолитографии.
Литография (общая информация)
Получение структуры не полупроводниковой и пленочной
Изготавливается фотошаблон – главный инструмент. Используется для изготовления:
Выводных рамок
Ленточных носителей
От качества выполнения фотолитографии зависит быстродействие и степень интеграции.
Качество определяется условиями, в которых проводится этот процесс. Фотолитография проводится в особочистых помещениях, состоящих из двух комнат: чистой и особочистой (треб. к среде: точка росы -25ºС, температура воздуха 18ºС).
Литография основывается на свойствах резиста.
Шаблон необходим для формирования рисунка.
Задубливание – окончательная полимеризация фоторезиста (термическая обработка, прим. 20 мин.)
Литография в дальней УФ-области (λ=200-300 нм)
Используется обычная установка для ФЛ, только вместо стекла используется кварц для прозрачных элементов (например a ФШ). Предельные размеры рисунка – меньше 0,5 мкм.
Все процессы фотолитографии характеризуются различной степенью явления дифракции:
Без зазора – отсутствует
С микрозазором – незначительная
С зазором – значительное явление дифракции, вследствие чего размывание контуров рисунка и уменьшение разрешающей способности.
Ф отолитография с микрозазором (и просто зазором)
Фотошаблон находится на некотором расстоянии (маленьком) от пластины, с нанесенным ФР. Время засветки: 2-5 с. Для обычного зазора – все тоже самое, только ФШ находится дальше от пластины.
Достоинства:
Повышенная точность совмещения
Фотоштамп – устройство, позволяющее пошагово переносить изображение
Недостатки:
Сложность создания прецизионной оптической системы
Сложность точного совмещения ФШ последующих уровней
При пошаговом нанесении рисунка уменьшается производительность
С оздание новых высокочувствительных ФР
Сущность и последовательность совмещения фотошаблона с пластиной перед экспонированием.
Фотошаблон (ФШ) накладывается к поверхности фоторезиста (ФР) картинкой и экспонируется, Под совмещением понимается точная ориентация ФШ относительно пластины Si, при котором элементы очередного топологического слоя (на ФШ) занимают положение относительно элементов предыдущего слоя.(пластина).