Добавил:
Upload Опубликованный материал нарушает ваши авторские права? Сообщите нам.
Вуз: Предмет: Файл:
микра ответы на экз.вопросы.docx
Скачиваний:
11
Добавлен:
23.09.2019
Размер:
1.04 Mб
Скачать

31. Интегральная микросхема. Термины и определения. Элемент микросхемы, компонент микросхемы. Подложка имс. Кристалл имс. Контактная площадка имс. Корпус имс. Бескорпусная имс.

МС – микроэлектронное изделие, выполняющее определенную функцию по преобразованию сигнала. При изготовлении микросхем используется фотопроцесс, при этом схему формируют на подложке, обычно из диоксида кремния, полученной термических оксидированием кремния.

Кристалл ИМС – часть полупров. пластины, в объеме и на поверхности которой сформированы элементы МС. ИМС – МС, каждый элементу принципиальной электр. схемы соответствует подобный элемент пленочный или полупроводниковый. Можно проследить распределение сигнала по принципиальной схеме. Степень интеграции – число элементов МС, приходящееся на один кристалл.

Элемент ИМС – части ИМС, реализующие какую-либо функцию ЭРЭ, при этом не может существовать отдельно от кристалла (диод, резистор и т.д.).

По конструктивно-технологическому исполнению МС делятся на полупроводниковые и гибридно-пленочные. Полупроводниковые имеют в своей основе монокристалл полупроводникового материала (обычно кремния) , в поверхностном слое которого методами литографии и избирательного легирования создаются транзисторы, диоды, резисторы, а соединения между ними формируются по поверхности кристалла тонкопленочной технологией. Полупроводниковые МС бывают однокристальные (монолитные) и многокристальные (микросборки). Однокристальная МС может иметь индивидуальный герметизированный корпус с внешними выводами для монтажа на коммутационной (печатной) плате или быть бескорпусной и входить в состав микросборки. (Многокристальная микросборка - совокупность бескорпусных МС, смонтированных на общей коммутационной плате.)

Контактные площадки - это элементы топологии ИС, располагаемые обычно по периферии полупроводникового кристалла, и служащие для создания соединений полупроводниковой схемы с выводами корпуса с помощью металлических (золотых, алюминиевых) проволочек методом термокомпрессии.