- •Реактивные методы ионного травления.
- •4. Катодное распыление – Физические основы процесса и простейшая схема установки. Преимущества и недостатки метода по сравнению с термическим вакуумным напылением.
- •Технология изготовления коммутационных плат на основе многослойной керамики.
- •7. Эпитаксия. Гетероэпитаксия, автоэпитаксия. Схема реактора и протекание процесса. Дефекты эпитаксиальных слоев.
- •Гомоэпитаксия (автоэпитаксия)
- •9. Термическое вакуумное напыление: Упрощенная схема внутрикамерного устройства. Основные преимущества и недостатки метода. Факторы определяющие структуру и свойства получаемый тонких пленок.
- •11.Технология изготовления коммутационных плат на металлическом основании. Технология изготовления коммутационных плат на основе анодированного алюминия
- •14.Этапы технологического процесса формирования многоуровневых межсоединений толстопленочной коммутационной платы.
- •17. Классификация технологических процессов изготовления коммутационных плат. Основные этапы изготовления коммутационных плат во всех типовых технологических процессах.
- •18.Ионно-плазменное травление. Ионно-лучевое травление.
- •20. Электронолитография. Возможности процесса.Рентгенолитография, особенности процесса.
- •21. Классификация методов литографии. Использование процессов литографии в производстве имс.Особенности процесса проекционной фотолитографии.
- •22.Операция совмещения. Виды знаков совмещения, последовательность их формирования.
- •23.Технологические операции процесса литографии. Схема процесса контактной фотолитографии.
- •24.Сущность процесса ионной имплантации; схема рабочей камеры.
- •25.Физические основы процесса ионной имплантации, характер торможения ионов при ионной имплантации, эффект каналирования; необходимость отжига
- •26.Термическая диффузия: Последовательность технологических операций процесса диффузии, схема оборудования для проведения процесса, основные легирующие элементы.
- •2. Двухстадийный процесс (для всего остального).
- •28. Термическая диффузия: Физические основы процесса, механизмы диффузии примесей, законы Фика.
- •29. Укрупненная схема технологического процесса изготовления диффузионного транзистора. Последовательность формирования топологических слоев полупроводникового транзистора.
- •30. Классификация имс по технологическому методу изготовления. Параметры, характеризующие сложность имс. Топология имс. Общая топология и послойная топология. Понятие технологической совместимости.
- •31. Интегральная микросхема. Термины и определения. Элемент микросхемы, компонент микросхемы. Подложка имс. Кристалл имс. Контактная площадка имс. Корпус имс. Бескорпусная имс.
31. Интегральная микросхема. Термины и определения. Элемент микросхемы, компонент микросхемы. Подложка имс. Кристалл имс. Контактная площадка имс. Корпус имс. Бескорпусная имс.
МС – микроэлектронное изделие, выполняющее определенную функцию по преобразованию сигнала. При изготовлении микросхем используется фотопроцесс, при этом схему формируют на подложке, обычно из диоксида кремния, полученной термических оксидированием кремния.
Кристалл ИМС – часть полупров. пластины, в объеме и на поверхности которой сформированы элементы МС. ИМС – МС, каждый элементу принципиальной электр. схемы соответствует подобный элемент пленочный или полупроводниковый. Можно проследить распределение сигнала по принципиальной схеме. Степень интеграции – число элементов МС, приходящееся на один кристалл.
Элемент ИМС – части ИМС, реализующие какую-либо функцию ЭРЭ, при этом не может существовать отдельно от кристалла (диод, резистор и т.д.).
По конструктивно-технологическому исполнению МС делятся на полупроводниковые и гибридно-пленочные. Полупроводниковые имеют в своей основе монокристалл полупроводникового материала (обычно кремния) , в поверхностном слое которого методами литографии и избирательного легирования создаются транзисторы, диоды, резисторы, а соединения между ними формируются по поверхности кристалла тонкопленочной технологией. Полупроводниковые МС бывают однокристальные (монолитные) и многокристальные (микросборки). Однокристальная МС может иметь индивидуальный герметизированный корпус с внешними выводами для монтажа на коммутационной (печатной) плате или быть бескорпусной и входить в состав микросборки. (Многокристальная микросборка - совокупность бескорпусных МС, смонтированных на общей коммутационной плате.)
Контактные площадки - это элементы топологии ИС, располагаемые обычно по периферии полупроводникового кристалла, и служащие для создания соединений полупроводниковой схемы с выводами корпуса с помощью металлических (золотых, алюминиевых) проволочек методом термокомпрессии.