4. Конструктивная исполнения модуля оперативной памяти (смотри подробней записи лекций!!!!!)

- SIMM - однорядные;

- DIMM - двухрядные.

И еще – то, что изучали на паре

5. Организация чтения записи в оперативную память

Организация

Чтение:

1) Процессор <высылает> на шину адреса адрес нужной ячейки памяти

2) Память обнаруживает, что этот адрес из её адресного пространства, и записывает в регистр адреса

3) Дешифратор из двоичного кода получает <хрен прочитаешь, какой код>, толи <суммарный>, толи <унитарный>.

4) Процессор дает команду прочитать. Считывает из ячейки информацию в регистр данных. Затем подключается к шине данных.

5) Готово. Процессор забирает с шины данных считанный код.

Запись:

1) Процессор <высылает> на шину адреса адрес нужной ячейки памяти, в которую нужно записать информацию.

2) Память обнаруживает, что этот адрес из её адресного пространства, и записывает в регистр адреса.

3) Процессор отправляет данные на шину данных.

4) С шины данных в регистр данных.

5) Запись в соответствующую ячейку.

Основные характеристики оперативной памяти

1) Латентность (задержка при передаче данных) - у модулей SIMM она составляла около 60 нс, у первых DIMM-модулей 8-10 нс, у современной оперативной памяти DIMM DDR, DIMM DDR2 - 1,6-2,5 нс.

2) Объём одного модуля оперативной памяти может достигать 1 Гб. Стандартный объем современной оперативной памяти: 64, 128, 256, 512, 1024 Мб.

Часто уточняют разрядность процессора и пишут, например, 16/20, что означает, что процессор имеет 16-разрядную шину данных и 20-разрядную шину адреса. Разрядность адресной шины определяет адресное пространство процессора, т. е. максимальный объем оперативной памяти, который может быть установлен в компьютере. Современный процессор Pentium IV имеет разрядность 64/32, т. е. его адресное пространство составляет 4 Гб.

6. Характеристики модулей оперативной памяти

1 Объем

Первым обозначением в строке идет объем модулей памяти. В частности, в первом случае это - 4 ГБ, а во втором - 1 ГБ. Правда, 4 ГБ в данном случае реализованы не одной планкой памяти, а двумя. Это так называемый Kit of 2 - набор из двух планок. Обычно такие наборы покупаются для установки планок в двухканальном режиме в параллельные слоты. Тот факт, что они имеют одинаковые параметры, улучшит их совместимость, что благоприятно сказывается на стабильности.

2 Тип корпуса

DIMM/SO-DIMM - это тип корпуса планки памяти. Все современные модули памяти выпускаются в одном из двух указанных конструктивных исполнений. DIMM (Dual In-line Memory Module) - модуль, у которого контакты расположены в ряд на обоих сторонах модуля. Память типа DDR SDRAM выпускается в виде 184-контактных DIMM-модулей, а для памяти типа DDR2 SDRAM выпускаются 240-контактные планки.

В ноутбуках используются модули памяти меньших габаритов, называемые SO-DIMM (Small Outline DIMM).

3 Тип памяти

Тип памяти - это архитектура, по которой организованы сами микросхемы памяти. Она влияет на все технические характеристики памяти - производительность, частоту, напряжение питание и др.

На данный момент используется 3 типа памяти: DDR SDRAM, DDR2 SDRAM, DDR3 SDRAM. Из них DDR3 - самые производительные, меньше всего потребляющие энергии.

Частоты передачи данных для типов памяти:

• DDR: 200-400 МГц

• DDR2: 533-1200 МГц

• DDR3: 800-2400 МГц

Цифра, указываемая после типа памяти - и есть частота: DDR400, DDR2-800.

Модули памяти всех типов отличаются напряжением питания и разъемами и не позволяют быть вставленными друг в друга.

Частота передачи данных характеризует потенциал шины памяти по передаче данных за единицу времени: чем больше частота, тем больше данных можно передать.

4 Пропускная способность

Важнейшей характеристикой, от которой зависит производительность памяти, является ее пропускная способность, выражающаяся как произведение частоты системной шины на объем данных, передаваемых за один такт. Современная память имеет шину шириной 64 бита (или 8 байт), поэтому пропускная способность памяти типа DDR400, составляет 400 МГц х 8 Байт = 3200 Мбайт в секунду (или 3.2 Гбайт/с). Отсюда, следует и другое обозначение памяти такого типа - PC3200. В последнее время часто используется двухканальное подключение памяти, при котором ее пропускная способность (теоретическая) удваивается. Таким образом, в случае с двумя модулями DDR400 мы получим максимально возможную скорость обмена данных 6.4 Гбайт/с.

Пропускная способность (B) = Частота (f) x разрядность шины памяти (c) x кол-во каналов (k)

Например, при использовании памяти DDR400 400 МГц и двухканального контроллера памяти пропускная способность будет: (400 МГц x 64 бит x 2)/ 8 бит = 6400 Мбайт/с

На 8 мы поделили, чтобы перевести Мбит/с в Мбайт/с (в 1 байте 8 бит).