- •Тестовые задания по теме «Полупроводники».
- •Раздел 1.Свойства материалов.
- •1. На два больше, чем у исходного полупроводникового материала;
- •4. На один больше, чем у исходного полупроводникового материала;
- •Раздел 2. Движение носителей заряда
- •Раздел 3.Свойства переходов
- •Тестовые задания по теме «Ключи на диодах и стабилитронах». Во всех тестах с ключами на диодах и стабилитронах правильный -ответ №1
- •Тестовые задания по теме «Биполярные транзисторы».
- •Раздел 2. Фототранзисторы и схема Дарлингтона.
- •Раздел 3. Составные транзисторы и транзисторы в схеме об.
- •Раздел 4. Транзисторы в схеме с общей базой и с общим коллектором.
- •Раздел 5.Транзисторы Шоттки.
- •Раздел 6. Зависимости между электрическими величинами.
- •3.57. Установить соответствие между h-параметрами и их названиями …
- •3.58. . Установить соответствие между h-параметрами и их названиями …
- •Раздел 7.Определение параметров транзисторов по их характеристикам.
- •4. Тестовые задания по теме «Полевые транзисторы».
- •Раздел 1. Определения типов транзисторов
- •Раздел 2. Вольтамперные характеристики транзисторов
- •5. Тестовые задания по теме «Логические интегральные микросхемы».
- •Раздел 1. Названия и условные графические изображения логических элементов
- •Раздел 2. Переходные характеристики и принципиальные схемы логических элементов.
- •6.Тестове задания по теме «Аналоговые устройства на основе операционных усилителей».
- •Раздел 1. Линейные устройства.
- •6.2 Данное устройство выполняет функцию …
- •6.3 Данное устройство выполняет функцию …
- •6.4 Данное устройство выполняет функцию …
- •6.5 Значение коэффициента передачи этой схемы… (9, 10, 11, 12)
- •6.6 Значение коэффициента передачи этой схемы… (9, 10, 11, 12)
- •Раздел 2. Генераторы, фильтры, нелинейные устройства
Раздел 7.Определение параметров транзисторов по их характеристикам.
3.61. Параметр h21Э определяется по графику, представленному на рисунке… 3
3.62. Параметр h21Б определяется по графику, представленному на рисунке… 4
3.63. Параметр h22Э определяется по графику, представленному на рисунке… 3
3.64. Параметр h22 Б определяется по графику, представленному на рисунке… 3
3.65. Параметр h12 Б определяется по графику, представленному на рисунке… 2
4. Тестовые задания по теме «Полевые транзисторы».
Раздел 1. Определения типов транзисторов
4.1 МДП-транзистором со встроенным каналом называется … 1
полевой транзистор, который может работать в режиме обогащения и обеднения;
полевой транзистор, который может работать в режиме обогащения;
полевой транзистор, который может работать только при обратном напряжения на затворе;
полевой транзистор, который может работать только при прямом напряжения на затворе;
4.2 Пороговым напряжением в МДП-транзисторе с индуцированным каналом называется … 2
напряжение сток-исток, при котором образуется канал проводимости;
напряжение затвор-исток, при котором образуется канал проводимости;
напряжение сток-исток, при котором происходит перекрытие канала;
напряжение затвор-исток, при котором происходит перекрытие канала.
4.3. Напряжением отсечки полевого транзистора называется … 2
напряжение сток-исток, при котором происходит перекрытие канала;
напряжение затвор-исток, при котором происходит перекрытие канала при нулевом токе транзистора;
напряжение сток-исток, при котором происходит перекрытие канала при нулевом токе транзистора;
напряжение затвор-исток, при котором происходит перекрытие канала при ненулевом токе транзисторов.
4.4 Стоком полевого транзистора называют … 2
один из выводов транзистора, через который основные носители заряда входят в канал;
один из выводов, через который основные носители заряда выходят из канала;
вывод от управляющего электрода;
вывод от области, в которой создается канал.
4.5. Истоком полевого транзистора называется … 1
один из выводов, через который основные носители заряда поступают в канал;
один из выводов, через который основные носители заряда выходят из канала;
вывод от управляющего электрода;
вывод от области, в которой создается канал.
4.6. Затвором полевого транзистора называется … 2
один из выводов, через который основные носители заряда входят в канал;
вывод от управляющего электрода;
один из выводов, через который основные носители заряда выходят из канала;
вывод от области, в которой создается канал.
4.7. МДП-транзистором с индуцированным каналом называется … 2
полевой транзистор, который может работать в режиме обогащения и обеднения;
полевой транзистор, который может работать в режиме обогащения;
полевой транзистор, который может работать только при обратном напряжения на затворе;
полевой транзистор, который может работать только при прямом напряжения на затворе;
4.8. Управление током стока в полевом транзисторе с управляющим p-n переходом основано на …1
изменении ширины и сечения канала при изменении обратного напряжения «затвор – исток»;
изменении ширины и сечения канала при изменении прямого напряжения «затвор – исток»;
изменении сопротивления канала вследствие изменения концентрации инжектированных носителей;
изменении ширины и сечения канала при изменении напряжения «сток – исток»;