- •Тестовые задания по теме «Полупроводники».
- •Раздел 1.Свойства материалов.
- •1. На два больше, чем у исходного полупроводникового материала;
- •4. На один больше, чем у исходного полупроводникового материала;
- •Раздел 2. Движение носителей заряда
- •Раздел 3.Свойства переходов
- •Тестовые задания по теме «Ключи на диодах и стабилитронах». Во всех тестах с ключами на диодах и стабилитронах правильный -ответ №1
- •Тестовые задания по теме «Биполярные транзисторы».
- •Раздел 2. Фототранзисторы и схема Дарлингтона.
- •Раздел 3. Составные транзисторы и транзисторы в схеме об.
- •Раздел 4. Транзисторы в схеме с общей базой и с общим коллектором.
- •Раздел 5.Транзисторы Шоттки.
- •Раздел 6. Зависимости между электрическими величинами.
- •3.57. Установить соответствие между h-параметрами и их названиями …
- •3.58. . Установить соответствие между h-параметрами и их названиями …
- •Раздел 7.Определение параметров транзисторов по их характеристикам.
- •4. Тестовые задания по теме «Полевые транзисторы».
- •Раздел 1. Определения типов транзисторов
- •Раздел 2. Вольтамперные характеристики транзисторов
- •5. Тестовые задания по теме «Логические интегральные микросхемы».
- •Раздел 1. Названия и условные графические изображения логических элементов
- •Раздел 2. Переходные характеристики и принципиальные схемы логических элементов.
- •6.Тестове задания по теме «Аналоговые устройства на основе операционных усилителей».
- •Раздел 1. Линейные устройства.
- •6.2 Данное устройство выполняет функцию …
- •6.3 Данное устройство выполняет функцию …
- •6.4 Данное устройство выполняет функцию …
- •6.5 Значение коэффициента передачи этой схемы… (9, 10, 11, 12)
- •6.6 Значение коэффициента передачи этой схемы… (9, 10, 11, 12)
- •Раздел 2. Генераторы, фильтры, нелинейные устройства
Раздел 4. Транзисторы в схеме с общей базой и с общим коллектором.
3.31 Заданному прибору с напряжениями указанных полярностей соответствует вольтамперная характеристика с № 1
3.32 Заданному прибору с напряжениями указанных полярностей соответствует вольтамперная характеристика с № 1
3.33 Заданному прибору с напряжениями указанных полярностей соответствует вольтамперная характеристика с № 1
3.34 Заданному прибору с напряжениями указанных полярностей соответствует вольтамперная характеристика с № 1
3.35 Заданному прибору с напряжениями указанных полярностей соответствует вольтамперная характеристика с № 1
3.36 Заданному прибору с напряжениями указанных полярностей соответствует вольтамперная характеристика с № 1
3.37 Заданному прибору с напряжениями указанных полярностей соответствует вольтамперная характеристика с № 2
3.38 Заданному прибору с напряжениями указанных полярностей соответствует вольтамперная характеристика с № 1
3.39 Заданному прибору с напряжениями указанных полярностей соответствует вольтамперная характеристика с № 1
3.40 Заданному прибору с напряжениями указанных полярностей соответствует вольтамперная характеристика с № 1
Раздел 5.Транзисторы Шоттки.
3.41 Заданному прибору с напряжениями указанных полярностей соответствует вольтамперная характеристика с № 2
3.42 Заданному прибору с напряжениями указанных полярностей соответствует вольтамперная характеристика с № 1
3.43 Заданному прибору с напряжениями указанных полярностей соответствует вольтамперная характеристика с № 1
3.44 Заданному прибору с напряжениями указанных полярностей соответствует вольтамперная характеристика с № 1
3.45 Заданному прибору с напряжениями указанных полярностей соответствует вольтамперная характеристика с № 1
3.46 Заданному прибору с напряжениями указанных полярностей соответствует вольтамперная характеристика с № 5
3.47 Заданному прибору с напряжениями указанных полярностей соответствует вольтамперная характеристика с № 1
3.48 Заданному прибору с напряжениями указанных полярностей соответствует вольтамперная характеристика с № 5
3.49 Входными характеристиками биполярного транзистора, включенного по схеме ОБ называются зависимости …
UЭБ=f(UКБ) при IЭ =const;
IЭ=f(UЭБ) при UКБ =const;
IК=f(UКБ) при IЭ =const;
IК=f(UКЭ) при IБ =const;
IК=f(IБ) при UКЭ=const;
IБ=f(UБЭ) при UКЭ =const;
IК=f(IЭ) при UКБ=const;
UКЭ=f(UБЭ) при IК=const.
3.50 Выходными характеристиками биполярного транзистора, включенного по схеме ОБ называются зависимости…
UЭБ=f(UКБ) при IЭ =const;
IЭ=f(UЭБ) при UКБ =const;
IК=f(UКБ) при IЭ =const;
IК=f(UКЭ) при IБ =const;
IК=f(IБ) при UКЭ=const;
IБ=f(UБЭ) при UКЭ =const;
IК=f(IЭ) при UКБ=const;
UКЭ=f(UБЭ) при IК=const