- •Вакуумная и плазменная электроника
- •1 Электровакуумные приборы
- •Электроны в твердом теле
- •1.2. Термоэлектронная эмиссия
- •Термоэлектронные катоды
- •1.3.1. Параметры катодов
- •1.3.2. Типы катодов
- •1.3.3. Катоды из чистых металлов
- •1.3.4. Пленочные катоды
- •1.3.5. Полупроводниковые катоды
- •1.3.6. Конструкции катодов и особенности их эксплуатации
- •1.4. Прохождение тока в вакууме
- •1.4.1. Пространственный заряд в диоде
- •1.6. Трехэлектродные электронные лампы (триоды)
- •1.7. Тетрод
- •1.8. Классификация и система обозначения электронных ламп
- •1.9. Электровакуумные приборы сверхвысоких частот
- •1.10. Электронно-лучевые трубки
- •2 Ионные приборы
- •2.1. Основы физики процессов в ионных приборах
- •2.2. Несамостоятельный разряд в газе
- •2.3. Самостоятельный разряд в газе
- •2.4. Виды ионных приборов
- •2.5. Трубчатые люминесцентные лампы
- •2.6. Газоразрядные лампы высокого давления
- •2.7. Индикаторные газоразрядные приборы
- •3 Электронно-ионная технология
- •3.1. Взаимодействие ускоренных электронов с веществом
- •3.2. Тепловые эффекты при электронно-лучевом нагреве
- •3.3. Технологические процессы с электронным нагревом
- •3.4. Установки для термических процессов электронной технологии
- •3.5. Технология и оборудование нетермической электронно-лучевой обработки
- •3.6. Электронно-зондовые методы анализа веществ
- •3.7. Ионная обработка материалов
3.6. Электронно-зондовые методы анализа веществ
Известны десятки методов анализа вещества, использующих энергетические потоки как аналитические инструменты. В основе диагностики лежит регистрация вторичных потоков, испускаемых веществом и несущих информацию о его природе и особенностях строения. Электронный поток легче других потоков частиц и излучений сформировать в зонд очень малого диаметра (единицы и даже доли нанометра) на поверхности анализируемого объекта. Для получения информации о поверхности достаточно регистрировать энергию и пространственное распределение упруго- и неупругоотраженных первичных электронов зонда, вторичных электронов, оже-электронов, рентгеновского излучения, люминесценции, наведенных в образце токов, в некоторых случаях – ток и пространственное распределение электронов, прошедших сквозь тонкие образцы.
Р астровая электронная микроскопия – это метод исследования поверхности образца, использующий энергетическое и пространственное распределение электронов, эмиттированных из поверхностного слоя образца под воздействием остросфокусированного электронного луча (зонда). Для создания изображения структуры поверхности в растровом электронном микроскопе (РЭМ) регистрируются либо вторичные электроны, либо упругорассеянные первичные. Для этого луч сканирует поверхность образца, а эмитируемые с поверхности электроны собираются коллектором. Когда первичные электроны соударяются с поверхностью образца, в энергетическом спектре испускаемых с поверхности электронов можно выделить три основные зоны (см. рис. 26): истинно вторичные электроны 1; неупругоотраженные электроны 2; упругоотраженные электроны 3. По оси абсцисс на рис. 26 – энергия электронов, по оси ординат – интенсивность потока электронов.
Электронные микроскопы делятся на три типа: эмиссионные, просвечивающие и зеркальные. В каждом могут быть реализованы проекционный и растровый режимы работы. В узле регистрации используются следующие способы детектирования электронов:
под углом к образцу расположен металлический коллектор под положительным потенциалом, выходным параметром служит ток этого коллектора;
непосредственно у образца смонтирован каналовый электронный умножитель;
коллектор выполнен в виде полупроводникового детектора – пластины с pn – переходом; вторичные электроны в таком детекторе генерируют электронно-дырочные пары, а под действием внешнего источника напряжения смещения в цепи детектора возникает ток;
вторичные электроны вызывают в сцинтилляторе кванты света, которые попадают в фотоэлектронный умножитель, где вновь появляются фотоэмиссионные электроны, усиливаемые этим умножителем.
При выборе узла регистрации имеют значение его коэффициент передачи и уровень шумов.
Перспективным методом анализа поверхности является оже-спектроскопия. С ее помощью изучают физические и химические свойства поверхности, оценивают степень чистоты полупроводниковых пластин, анализируют причины отказа изделий электронной техники. В оже-спектроскопии измеряют энергию и количество оже-электронов, эмиттируемых с поверхности мишени в результате электронной бомбардировки. Оже-эффект связан с ионизацией атома в результате соударения первичного электрона с электроном на одной из внутренних оболочек атома (K, L, M,…), на которой возникает вакансия. За очень короткое время (10-14 …10-16 с) происходит переход электрона с более высоких оболочек на образовавшуюся вакансию. Выделяющаяся в результате такого перехода энергия может либо перейти в энергию -кванта (радиационный переход), либо перейти к электрону одной из внешних оболочек, который покинет атом и регистрируется как оже-электрон.