- •Вакуумная и плазменная электроника
- •1 Электровакуумные приборы
- •Электроны в твердом теле
- •1.2. Термоэлектронная эмиссия
- •Термоэлектронные катоды
- •1.3.1. Параметры катодов
- •1.3.2. Типы катодов
- •1.3.3. Катоды из чистых металлов
- •1.3.4. Пленочные катоды
- •1.3.5. Полупроводниковые катоды
- •1.3.6. Конструкции катодов и особенности их эксплуатации
- •1.4. Прохождение тока в вакууме
- •1.4.1. Пространственный заряд в диоде
- •1.6. Трехэлектродные электронные лампы (триоды)
- •1.7. Тетрод
- •1.8. Классификация и система обозначения электронных ламп
- •1.9. Электровакуумные приборы сверхвысоких частот
- •1.10. Электронно-лучевые трубки
- •2 Ионные приборы
- •2.1. Основы физики процессов в ионных приборах
- •2.2. Несамостоятельный разряд в газе
- •2.3. Самостоятельный разряд в газе
- •2.4. Виды ионных приборов
- •2.5. Трубчатые люминесцентные лампы
- •2.6. Газоразрядные лампы высокого давления
- •2.7. Индикаторные газоразрядные приборы
- •3 Электронно-ионная технология
- •3.1. Взаимодействие ускоренных электронов с веществом
- •3.2. Тепловые эффекты при электронно-лучевом нагреве
- •3.3. Технологические процессы с электронным нагревом
- •3.4. Установки для термических процессов электронной технологии
- •3.5. Технология и оборудование нетермической электронно-лучевой обработки
- •3.6. Электронно-зондовые методы анализа веществ
- •3.7. Ионная обработка материалов
3 Электронно-ионная технология
Электронно-ионная технология – это комплекс способов обработки материалов энергетическими потоками электронов, ионов, плазмы, нейтральных атомов. В результате воздействия таких потоков можно менять форму, физико-химические, механические, электрические и магнитные свойства обрабатываемых изделий, а также контролировать параметры исходных и модифицированных веществ. Простота и широкий диапазон управления энергоносителями – потоками частиц позволяют выполнять многооперационную обработку с одновременным контролем в ходе операций, воздействовать на объект локально и селективно при сохранении чистоты исходного материала, устранить механическое воздействие на объект, широко использовать компъютерное управление технологическими процессами и операциями.
В электронной технологии различают термические и нетермические процессы. Под термическими понимают процессы, связанные с нагревом, плавлением и испарением материала под действием потока быстрых электронов. В этом случае кинетическая энергия электронов превращается в тепловую. Примеры: сварка, размерная обработка, заключающаяся в селективном удалении материала, отжиг, получение пленок и т. д. Отличительные черты термических электронно-лучевых процессов: достижение высоких температур в малых по размеру областях, отсутствие загрязнения, возможность точного дозирования воздействия и быстрого перемещения луча.
3.1. Взаимодействие ускоренных электронов с веществом
Движение ускоренных электронов веществе сопровождается их рассеянием, в результате чего изменяются траектории движения, и происходит торможение электронов. В результате упругих столкновений электрона с атомами вещества в основном изменяется его импульс, то есть. происходит отклонение от первоначального направления движения. Рассеяние быстрых электронов (таких, скорость которых больше орбитальной скорости электронов атома) сопровождается отклонением их на малые углы и изменяет их энергию незначительно. Передача электронами энергии веществу происходит при неупругих их столкновениях с атомами, молекулами, а также со свободными электронами вещества. В результате происходит возбуждение и ионизация атомов, диссоциация молекул или образование новых связей, возбуждение коллективных колебаний в электронной плазме (плазмонов), образованной свободными электронами.
Средняя глубина проникновения электрона в вещество
R = E02/b ,
г де E0 - начальная энергия электрона, b – постоянная, - плотность вещества.
На рисунке 24 изображено пространственное распределение траекторий электронов в веществе. На поверхность твердого тела падает поток электронов поперечным размером d0. Большая часть траекторий электронов заключена в «диффузной сфере» радиусом rd , немногие выходят за ее пределы. Центр сферы находится в веществе на глубине
xD 12 R/(z + 8),
где z – порядковый номер элемента, составляющего вещество, R – расстояние от поверхности тела до наиболее глубокой точки сферы.
Р адиус сферы
rD = R(z – 4)/(z + 8) .
На рисунке 25 представлено распределение плотности поглощенной энергии электронов в веществе по глубине. Максимум выделения энергии приходится на глубину , которую можно оценить неравенством
1 < < 2,
или
< < .
С увеличением энергии электрона максимум выделения энергии смещается в толщу вещества, причем, глубина максимума выделения энергии пропорциональна квадрату энергии падающего на поверхность электрона: ~E2.