- •Содержание:
- •Исследование полупроводниковых приборов
- •1.1.1 Исследование полупроводниковых диодов
- •Теоретическая часть
- •Типы полупроводниковых диодов и их характеристики. Выпрямительные плоскостные низкочастотные диоды
- •Импульсные диоды
- •Диоды Шотки
- •Туннельный диод
- •Практическая часть
- •Контрольные вопросы:
- •1.1.2 Исследование стабилитрона
- •Теоретическая часть
- •Принцип стабилизации напряжения
- •Параметры стабилитрона
- •Практическая часть
- •Контрольные вопросы
- •1.1.3 Исследование характеристик и параметров биполярного транзистора в схемах с общей базой, общим эмиттером и общим коллектором
- •Теоретическая часть
- •Принцип действия и схемы включения транзистора
- •Статические характеристики
- •Малосигнальные параметры
- •Практическая часть
- •Методика измерений и обработка результатов эксперимента
- •Контрольные вопросы
- •1.1.4 Исследование характеристик и параметров полевых транзисторов
- •Теоретическая часть
- •Классификация и условные обозначения полевых транзисторов
- •Полевой транзистор с управляющим p – n переходом
- •Статические характеристики
- •Полевые транзисторы с изолированным затвором
- •Основные параметры полевых транзисторов
- •Области применения полевых транзисторов
- •Практическая часть
- •Методика измерений и обработка результатов эксперимента
- •Контрольные вопросы
- •1.1.5 Исследование тиристоров
- •Теоретическая часть
- •Диодные тиристоры. Структура и принцип действия.
- •Триодные тиристоры.
- •Уравнение вах тиристора.
- •Классификация, условные обозначения и применение тиристоров.
- •Практическая часть
- •Методика измерений и обработка результатов эксперимента
- •Контрольные вопросы
- •1.1.6 Исследование варикапа
- •Теоретическая часть
- •Теория p-n перехода
- •Диффузионная и барьерная емкости р-n-перехода
- •Варикап, его основные параметры и особенности конструирования
- •Практическая часть
- •Контрольные вопросы
- •Исследование выпрямителей однофазного переменного тока
- •Теоретическая часть
- •Основные параметры выпрямителей
- •Внешние характеристики выпрямителей
- •Практическая часть
- •Однополупериодная схема выпрямления.
- •1.2.2 Двухполупериодные схемы выпрямления.
- •1..2.3 Схемы выпрямления с умножением напряжения.
- •Методика измерений и обработка результатов эксперимента
- •Контрольные вопросы
- •Исследование колебательных контуров.
- •Теоретическая часть
- •Принцип работы пассивных аналоговых фильтров
- •Принцип работы активных аналоговых фильтров
- •Применение
- •Виды фильтров
- •Фильтры нижних частот
- •Фильтры высоких частот
- •Полосовые и заграждающие фильтры
- •Практическая часть
- •Контрольные вопросы
- •1.4 Исследование свойств терморезисторов
- •Теоретическая часть
- •Термистор
- •Как элемент автоматики, позистор может выполнять следующие функции:
- •Практическая часть
- •Контрольные вопросы
- •1.4 Исследование свойств варисторов
- •Теоретическая часть
- •Свойства
- •Применение
- •Практическая часть`
- •Контрольные вопросы
- •1.6.1 Исследование оптоэлектронных приборов.
- •Теоретическая часть
- •Физические основы работы фотодиода
- •Отличительные особенности оптронов
- •Обобщенная структурная схема
- •Применение
- •Практическая часть
- •Контрольные вопросы
- •Список использованных источников
Практическая часть
1. Собрать схему для исследования фильтра нижних частот:
Здесь R=15 KОм (на стенде R3), С=0,01 мкФ (на стенде С17).
Фильтр нижних частот пропускает без ослабления сигнал с частотой до 1061 Гц и подавляет сигналы с большей частотой.
К входу фильтра подключается генератор синусоидальных колебаний. К выходу подключается осциллограф, с помощью которого снимается АЧХ фильтра.
2. Собрать схему для исследования фильтра верхних частот.
Здесь R=15 KОм (на стенде R3), С=0,01 мкФ (на стенде С17).
Фильтр нижних частот пропускает без ослабления сигнал с частотой более 1061 Гц и подавляет сигналы с меньшей частотой.
К входу фильтра подключается генератор синусоидальных колебаний. К выходу подключается осциллограф, с помощью которого снимается АЧХ фильтра.
3. Собрать схему для исследования полосового RLC фильтра.
Здесь R=15 KОм (на стенде R3), С=0,01 мкФ (на стенде С17), L=52 мГн (на стенде L3).
Полосовой фильтр ослабляет сигналы с частотой больше и меньше частоты среза (для данного фильтра 1061 Гц).
К входу фильтра подключается генератор синусоидальных колебаний. К выходу подключается осциллограф, с помощью которого снимается АЧХ фильтра.
4. Собрать схему для исследования режекторного заградительного RLC фильтра (а) и схему режекторного Т-образного фильтра-пробки.
а)
Здесь R=15 KОм (на стенде R3), С=0,01 мкФ (на стенде С17), L=52 мГн (на стенде L3).
б)
Здесь R=3,3 KОм (на стенде R21, R16 и R19), С=3300 пФ (на стенде С5, С7), 2C (на стенде С6) частота среза 7800 Гц.
Режекторные фильтры пропускают практически все частоты, подавляя лишь частоту среза и близкие ей частоты.
К входу фильтра подключается генератор синусоидальных колебаний. К выходу подключается осциллограф, с помощью которого снимается АЧХ фильтра.
Контрольные вопросы
Что называется колебательным контуром.
Что называется фильтром нижних частот, верхних частот, полосовым, заградительным?
Для каких целей применяются эти фильтры?
Какие основные характеристики электрических фильтров вы знаете?
Какой принцип положен в основу работы электрических фильтров?
1.4 Исследование свойств терморезисторов
Цель работы:
а) определение зависимости сопротивления терморезисторов от температуры;
б) оценка величины постоянной времени тепловой инерции терморезисторов;
в) построение динамических вольтамперных характеристик терморезисторов.
Теоретическая часть
Терморезистор (от греч. thérme — тепло, жар; от лат. resisto — сопротивляюсь), термистор — полупроводниковый резистор, электрическое сопротивление которого существенно убывает или возрастает с ростом температуры. Для терморезистора характерны большой температурный коэффициент сопротивления (ТКС) (в десятки раз превышающий этот коэффициент у металлов), простота устройства, способность работать в различных климатических условиях при значительных механических нагрузках, стабильность характеристик во времени. Терморезистор изготовляют в виде стержней, трубок, дисков, шайб, бусинок и тонких пластинок преимущественно методами порошковой металлургии; их размеры могут варьироваться в пределах от 1—10 мкм до 1—2 см. Основными параметрами терморезистора являются: номинальное сопротивление, температурный коэффициент сопротивления, интервал рабочих температур, максимально допустимая мощность рассеяния.
Различают терморезисторы с отрицательным и положительным ТКС. Терморезисторы с отрицательным ТКС изготовляют из смеси поликристаллических оксидов переходных металлов (например, MnO, СoO?, NiO, CuO), легированных Ge и Si, полупроводников типа AIII BV, стеклообразных полупроводников и других материалов.
Различают терморезисторы низкотемпераурные (рассчитанные на работу при температуpax ниже 170 К), средне-температурные (170—510 К) и высокотемпературные (выше 570 К). Кроме того, существуют терморезисторы, предназначенные для работы при 4.2 К и ниже и при 900—1300 К. Наиболее, широко используются среднетемпературные терморезисторы с ТКС от — 2,4 до —8,4 % К-1 и с номинальным сопротивлением 1 —106 Ом.
Режим работы терморезисторов зависит от того, на каком участке статической вольт-амперной характеристики (ВАХ) выбрана рабочая точка. В свою очередь ВАХ зависит как от конструкции, размеров и основных параметров терморезистора, так и от температуры теплопроводности окружающей среды, тепловой связи между терморезистором и средой. Терморезисторы с рабочей точкой на начальном (линейном) участке ВАХ используются для измерения и контроля температуры и компенсации температурных изменений параметров электрической цепей и электронных приборов. Терморезисторы с рабочей точкой на нисходящем участке ВАХ (с отрицательным сопротивлением) применяются в качестве пусковых реле, реле времени, измерителей мощности электро-магнитного излучения на СВЧ, стабилизаторов, температуры и напряжения. Режим работы терморезистора, при котором рабочая точка находится также на ниспадающем участке ВАХ (при этом используется зависимость сопротивления терморезистора от температуры и теплопроводности окружающей среды), характерен для терморезисторов, применяемых в системах теплового контроля и пожарной сигнализации, регулирования уровня жидких и сыпучих сред; действие таких терморезисторов основано на возникновении релейного эффекта в цепи с терморезистором при изменении температуры окружающей среды или условий теплообмена терморезистора со средой. Изготовляются также терморезисторы специальной конструкции — с косвенным подогревом. В таких терморезисторах имеется подогревная обмотка, изолированная от полупроводникового резистивного элемента (если при этом мощность, выделяющаяся в резистивном элементе, мала, то тепловой режим терморезистора определяется температурой подогревателя, то есть током в нём). Таким образом, появляется возможность изменять состояние терморезистора, не меняя ток через него. Такой терморезистор используется в качестве переменного резистора, управляемого электрически на расстоянии.
Вольтамперная характеристика (ВАХ) для терморезистора.
Зависимость сопротивления Термистора от температуры. 1:для R<0. 2:для R>0
Из терморезисторов с положительным температурным коэффициентом наибольший интерес представляют терморезисторы, изготовленные из твёрдых растворов на основе BaTiO3. Такие терморезисторы обычно называют позисторами. Известны терморезисторы с небольшим положительным температурным коэффициентом (0,5—0,7 % К-1), выполненные на основе кремния с электронной проводимостью; их сопротивление изменяется с температурой примерно по линейному закону. Такие терморезисторы используются, например, для температурной стабилизации электронных устройств на транзисторах. Хотел бы заметить, что график изображённый на рисунке "Вольтамперная характеристика (ВАХ) для терморезистора." некорректен, т.к. неправильно расположены оси, нужно повернуть график на 90 градусов влево и инвертировать по вертикали для терморезистора с положительным ТКС, для случая с отрицательным ТКС всё верно.