- •Завдання №1
- •Завдання № 2
- •Завдання № 3
- •Завдання № 4
- •Завдання № 5
- •Завдання № 6
- •Завдання №7
- •Завдання №8
- •Завдання №9
- •Завдання № 10
- •Завдання № 11
- •Завдання №12
- •Завдання №19
- •Завдання №20
- •Завдання №21
- •Завдання №22
- •Завдання №23
- •Завдання №24
- •Завдання №25
- •Завдання №26
- •Завдання №27
- •Завдання №28
- •З авдання №29
- •Завдання №30
- •Завдання №31
- •Завдання №32
- •Завдання №33
- •Завдання №34
- •Завдання №35
- •Завдання №36
- •Завдання №37
- •Завдання №38
- •Завдання №39
- •Завдання №40
- •Завдання №41
- •Завдання №42
- •Завдання №43
- •Завдання №44
- •Завдання №45
- •Завдання №46
- •З авдання №47
- •Завдання №48
- •Завдання №49
- •Завдання №50
Завдання №1
Елементи якої групи таб. Менделєєва необхідно добавити до кремнію (4-а група), щоб одержати напівпровідник з дірковою провідністю (р-типу)?
Відповідь: 3-ї групи
Розв’язання. Для одержання напівпровідника з дірковою (р) провідністю необхідно до кремнію, який є 4-х валентним, добавити елементи з меншим числом валентних електронів. Це є елементи 3-ї групи таблиці Менделєєва (наприклад, індій). Атоми таких домішок легко забирають на свої локальні енергетичні рівні електрони з валентної зони атомів кремнію. Внаслідок цього виникає від'ємний іон домішки, а на місці обірваного ковалентного зв’язку атома кремнію – додатній заряд, так звана дірка. Трьохвалентна домішка називається акцепторною, а напівпровідники , в яких основними носіями зарядів є дірки – напівпровідниками р-типу.
Завдання № 2
Елементи якої групи таб. Менделєєва необхідно добавити до кремнію (4-а група), щоб одержати напівпровідник з електронною провідністю (n-типу)?
Відповідь: 5-ї групи
Розв’язання. Для одержання напівпровідника з електронною (n) провідністю до 4-х валентного кремнію вводять домішки 5-ї групи таблиці Менделєєва (наприклад, миш'як). При невеликих додатних температурах атоми домішки легко іонізуються, віддаючи п’ятий електрон (який не задіяний у ковалентному зв’язку). В напівпровіднику виникають вільні електрони. П’ятивалентна домішка називається донорною, а напівпровідники, в яких основними носіями зарядів є електрони, називають напівпровідниками n-типу.
Завдання № 3
Яка буде напруга на виході параметричного стабілізатора, якщо послідовно вмикнути два стабілітрони з напругами Uст1=9 В і Uст2=15 В?
Відповідь: 24 В
Розв’язання. При послідовному з'єднанні стабілітронів загальна напруга буде дорівнювати сумі напруг на окремих стабілітронах. Таким чином, Uст =Uст1+Uст2=9+15=24В.
Завдання № 4
Яка з приведених схем вмикання транзисторів з СБ , з СЕ, з СК має найбільший коефіцієнт підсилення за напругою? (Кu=Uвих/Uвх; Uкб>Uке>Uбе)
Відповідь: Схема з СБ
Розв’язання. Коефіцієнт підсилення за напругою є відношення вихідної напруги до вхідної Кu=Uвих/Uвх.Для приведених схем можна записати: КuСБ=UКБ/UЕБ; КuСЕ=UКЕ/UБЕ; КuСК=UЕК/UБК. Враховуючи, що напруги між електродами транзистора, що працює в активному режимі, мають такі співвідношення: UКБ>UКЕ>UБЕ, то КuСБ=UКБ/UЕБ має найбільше значення. Таким чином, найбільшим коефіцієнтом підсилення за напругою має схема ввімкнення з СБ.
Завдання № 5
Я ка з приведених схем вмикання транзисторів з СБ , з СЕ, з СК має найбільший коефіцієнт підсилення за струмом? (Кі=Івих/Івх; Іе>Ік>Іб)
Відповідь: Схема СК
Розв’язання. Коефіцієнт підсилення за струмом визначається відношенням вихідного струму до вхідного Кі=Івих/Івх. Для зображених схем можна записати: КіСБ=ІК/ІБ; КіСЕ=ІК/ІБ; КіСК=ІЕ/ІБ. Враховуючи, що найбільшим струмом у транзистора є струм емітера ІЕ, а найменшим – струм бази ІБ (ІЕ>ІК>ІБ), то найбільший коефіцієнт підсилення за струмом має схема з СК.