- •9.8 Электрические модели полевых транзисторов статическая модель
- •9.9 Нелинейная динамическая модель Полевого Транзистора с управляющим p-n-переходом
- •9.10 Малосигнальная модель полевого транзистора с управляющим p-n-переходом
- •Поэтому на схеме для тока генератора надо было бы записать, что
- •Модуль крутизны
- •9.11 Нелинейная динамическая модель мдп-транзистора
- •9.12 Малосигнальная модель мдп транзистора.
- •Шумы Полевых Транзисторов
- •Шумы пт с управляющим p-n-переходом:
- •2 Шумы мдп-транзисторов
- •10 Приборы с зарядовой связью
- •10.1 Применение пзс
- •11 Полупроводниковые элементы
- •11.1 Особенности интегральных транзисторов и диодов
- •11.2 Интегральный n-p-n-транзистор
- •11.3 Интегральные многоэмиттерные транзисторы
- •11.4 Комплектарные интегральные пары транзисторов
- •11.5 Интегральный транзистор с барьером шотки
- •Эквивалентная схема интегрального транзистора с барьером Шотки представлена на рис. 11.8
- •11.6 Интергральный p-n-p-транзистор
- •11.7 Интегральные диоды
- •11.8 Интегральные полевые транзисторы
- •11.9 Интегральные мдп – транзисторы
- •12.2 Инжекционный лазер
- •12.3 Режим работы лазера, его кпд и особенности
- •12.4 Инжекционные лазеры на основе гетеропереходов
- •12.5 Генераторы с двойной гетероструктурой
- •Гетеролазеры с распределенной обратной связью
- •12.7 Полупроводниковые лазеры с возбуждением
- •12.8 Лазеры в технике связи и системах обработки информации
- •12.9 Типы лазерных систем связи
- •12.10 Методы детектирования оптических сигналов
- •12.11 Структурная схема оптического
- •12.12 Виды модуляции лазерных сигналов
- •12.13 Структурная схема
- •Виды лазеров, применяемые в лазерных
- •Структурная схема газового лазера
- •Варисторы, вах, параметры
- •Вах варистора
- •14. Термисторы, вах
- •15 Оптоэлектронные приборы
- •15.1 Фотоприемники, излучатели
- •15.2 Фотоэлементы. Принцип действия, вах
- •Лавинные фотодиоды. Структура, принцип действия
- •Полевые фототранзисторы.
- •Фототиристоры. Структура, принцип действия
- •Оптоэлектронные приборы. Индикаторы информации
- •Полупроводниковые датчики температуры.
- •Терморезисторы
- •16.2 Применение полупроводникового диода
- •Определение температурного коэффициента
- •Применение биполярного транзистора для измерения температуры
- •Датчик температуры на двух идентичных
10.1 Применение пзс
Современные ПЗС представляют собой схемы с большой степенью интеграции. Первые ПЗС насчитывали всего семь конденсаторов, в современных число элементов превышает миллион. Столь внушительный рост за сравнительно небольшой срок объясняется рядом причин. Во-первых, сам принцип зарядовой связи весьма привлекателен своей простотой: информация в ПЗС передается зарядами без промежуточных преобразований заряда (тока) в потенциал и обратно, как это происходит в цепочке связанных транзисторных элементов. Каждое преобразование характеризуется некоторой неопределенностью, следовательно, в ПЗС, где число преобразований сведено к минимуму, достижима обработка информации наиболее воспроизводимым образом. Во-вторых, ПЗС обладают исключительной функциональной широтой: пожалуй, кроме генерации сигналов, они могут выполнять любые действия, связанные в основном с накоплением и преобразованием информации.
Существуют три основные направления применения ПЗС.
Преобразование излучения в электрический сигнал – фоточувствительные ПЗС (ФПЗС).
Аналоговая обработка информации – линии задержки, фильтры.
Запоминающие устройства ПЗС (ЗУ).
В-третьих, конструктивно-технологические особенности ПЗС таковы, что в них достичь высокой степени интеграции легче, нежели в других БИС. Например, ФПЗС представляют собой регулярный массив сравнительно по топологии элементов, для которых необязательно изготовлять индивидуальные контакты.
Наибольшее развитие и практическое применение в настоящее время получили ФПЗС, например в телевидении. Впервые в телевидение пришли твердотельные преобразователи излучения в видеосигнал, способные не только заменить вакуумные электронно-лучевые трубки (ЭЛТ), но и принести с собой новые качества. В отличие от ЭЛТ, ФПЗС характеризуются жестким геометрическим растром, возможностью обработки информации непосредственно на кристалле, нечувствительностью к магнитным полям. Во всех развитых странах ФПЗС выпускаются серийно, а также появился специальный термин «твердотельное телевидение».
11 Полупроводниковые элементы
ИНТЕГРАЛЬНЫХ МИКРОСХЕМ
11.1 Особенности интегральных транзисторов и диодов
Создаются методом планарной технологии в монокристаллических пластинах кремния.
Особенность ИС по сравнению с дискретными приборами – электрическая связь с общей подложкой, а иногда и друг с другом.
Вторая особенность – все элементы ИС получаются в едином технологическом процессе, следовательно, параметры элементов ИС в значительной мере взаимосвязаны и ограничены, что отсутствует у дискретных элементов.
ИС отличаются наличием таких элементов, как многоэмиттерные и многоколлекторные транзисторы, транзисторы с барьером Шотки, которые не имеют аналогов в дискретной электронике.
Изоляция элементов осуществляется двумя способами: обратносмещенным p-n-переходом и диэлектриком. Изоляция p-n-переходом сводится к осуществлению двух встречно-включенных диодов между изолируемыми элементами. Изоляция диэлектриком более совершенная. При комнатной температуре токи утечки в диэлектрике на 3-5 порядков меньше, чем обратные токи p-n-перехода. Паразитная емкость при диэлектрической изоляции на порядок меньше, чем при изоляции p-n-переходом.