- •9.8 Электрические модели полевых транзисторов статическая модель
- •9.9 Нелинейная динамическая модель Полевого Транзистора с управляющим p-n-переходом
- •9.10 Малосигнальная модель полевого транзистора с управляющим p-n-переходом
- •Поэтому на схеме для тока генератора надо было бы записать, что
- •Модуль крутизны
- •9.11 Нелинейная динамическая модель мдп-транзистора
- •9.12 Малосигнальная модель мдп транзистора.
- •Шумы Полевых Транзисторов
- •Шумы пт с управляющим p-n-переходом:
- •2 Шумы мдп-транзисторов
- •10 Приборы с зарядовой связью
- •10.1 Применение пзс
- •11 Полупроводниковые элементы
- •11.1 Особенности интегральных транзисторов и диодов
- •11.2 Интегральный n-p-n-транзистор
- •11.3 Интегральные многоэмиттерные транзисторы
- •11.4 Комплектарные интегральные пары транзисторов
- •11.5 Интегральный транзистор с барьером шотки
- •Эквивалентная схема интегрального транзистора с барьером Шотки представлена на рис. 11.8
- •11.6 Интергральный p-n-p-транзистор
- •11.7 Интегральные диоды
- •11.8 Интегральные полевые транзисторы
- •11.9 Интегральные мдп – транзисторы
- •12.2 Инжекционный лазер
- •12.3 Режим работы лазера, его кпд и особенности
- •12.4 Инжекционные лазеры на основе гетеропереходов
- •12.5 Генераторы с двойной гетероструктурой
- •Гетеролазеры с распределенной обратной связью
- •12.7 Полупроводниковые лазеры с возбуждением
- •12.8 Лазеры в технике связи и системах обработки информации
- •12.9 Типы лазерных систем связи
- •12.10 Методы детектирования оптических сигналов
- •12.11 Структурная схема оптического
- •12.12 Виды модуляции лазерных сигналов
- •12.13 Структурная схема
- •Виды лазеров, применяемые в лазерных
- •Структурная схема газового лазера
- •Варисторы, вах, параметры
- •Вах варистора
- •14. Термисторы, вах
- •15 Оптоэлектронные приборы
- •15.1 Фотоприемники, излучатели
- •15.2 Фотоэлементы. Принцип действия, вах
- •Лавинные фотодиоды. Структура, принцип действия
- •Полевые фототранзисторы.
- •Фототиристоры. Структура, принцип действия
- •Оптоэлектронные приборы. Индикаторы информации
- •Полупроводниковые датчики температуры.
- •Терморезисторы
- •16.2 Применение полупроводникового диода
- •Определение температурного коэффициента
- •Применение биполярного транзистора для измерения температуры
- •Датчик температуры на двух идентичных
Частотные свойства полевых транзисторов определяются постоянной времени RC-цепи затвора. Поскольку входная емкость у транзисторов с p-n-переходом велика, их применение в усилительных каскадах с большим входным сопротивлением возможно в диапазоне частот, не превышающих сотен кГц – единиц МГц.
При работе в переключающих схемах скорость переключения полностью определяется постоянной времени RC-цепи затвора. У полевых транзисторов с изолированным затвором входная емкость значительно меньше, поэтому их частотные свойства намного лучше, чем у ПТ с p-n-переходом. Граничная частота определяется по формуле fгр≈159S/Сзu, где S-крутизна хар-ки ПТ, Сзu – емкость при коротком замыкании по переменному току выходной цепи.
9.8 Электрические модели полевых транзисторов статическая модель
М одель для транзистора с n-каналом показана на рис. 9.8.
Диоды Дuз и Дсз представляют собой модель затвор-исток и затвор-сток, и включены в обратном направлении. Резисторы Ru и Rс учитывают последовательные сопротивления от вывода истока до начала канала и от конца канала до вывода стока. Генератор тока Iс отображает ток стока.
Влияние сопротивлений Ru и Rс проявляется в том, что на них происходит падение напряжения IсRн и IсRс в цепи сток-исток, что приводит к снижению крутизны транзистора в области крутых участков выходных характеристик.
В области насыщения большое влияние оказывает сопротивления Ru, оно снижает значение крутизны по сравнению со случаем, когда Ru = 0. Влияние же Rc сводится к некоторому увеличению напряжения насыщения.
9.9 Нелинейная динамическая модель Полевого Транзистора с управляющим p-n-переходом
Н а рис. 9.9 показана динамическая модель для большого сигнала в случае n-канального ПТ. От статической модели она отличается конденсаторами Сuз и Ссз, учитывающими барьерные емкости переходов (Дuз и Дсз), имеющих обратное включение. Значения емкостей определяются мгновенным значением напряжения на переходах (диодах). Последовательно с конденсаторами Сuз и Ссз, включены резисторы Rк' и Rк". Реально цепи затвора и канала представляют собой распределенную RC цепь из емкости затвора на канале и сопротивления канала. Для упрощения распределенную цепь заменяют двумя простыми цепями с фиксированными параметрами: одна состоит из последовательно соединенных емкости Сиз, называемой емкостью затвор-исток, и резистора Rк', а вторая из емкости Сcз (емкость затвор-исток) и резистора Rк". Сумма Сuз + Ссз полной емкости затвора относительно канала. Значения Rк' и Rк" приближенно связываются с полным
сопротивлением канала Rк' или находятся
экспериментально. В рабочих режимах эти сопротивления составляют единицы-десятки Ом. Ток генератора Ic в статической и нелинейной динамической моделях достаточно сложно зависят от напряжений Uзu и Uсu. Однако Ic можно представить как сумму двух встречных токов I1 и I2 (рис.б) каждый из которых определяется только одним напряжением.
U = Uсз + Uзи
Можно записать:
Ic = I1 (Ucз) – I2 (Uзu); где I1 = I0 (1-Ucз/U0)² I2 = I0 (1-Uuз/U0)².
При U зu = 0 IСнас =I0 , UЗUотс ≈ U0 = qNдd2/2εε0, где
q-заряд электричества, Nд концентрация доноров, а- толщина образца, ε,ε0- диэлектрическая проницаемость вакуума и относительная диэлектрическая проницаемость.
9.10 Малосигнальная модель полевого транзистора с управляющим p-n-переходом
На рис.9.10 показана схема для канала n-типа. Схему можно получить из нелинейной модели (для большого сигнала). При малом сигнале диоды заменяются дифференциальными сопротивлениями rзu и rзc. При обратном напряжении на диодах эти сопротивления очень велики. Значения емкостей Сuз и Ссз в этой схеме постоянны и определяются выбранными рабочими напряжениями Uзu и Uсu. Зависимый генератор в случае малой амплитуды переменного тока можно представить Iс=SUзи , где (1) S – комплексная (частотозависимая ) крутизна. В управлении током канала участвует не весь входной сигнал Uзи. Управление осуществляется напряжением Uзи имеющимся на емкости Cзи. При этом:
U ' зи = Uзи - I сR u .
Если пренебречь шунтирующим действием большого сопротивления rзи , то
.