Добавил:
Upload Опубликованный материал нарушает ваши авторские права? Сообщите нам.
Вуз: Предмет: Файл:
_7_КурсЛекций(9_7-16_6).doc
Скачиваний:
20
Добавлен:
22.08.2019
Размер:
725.5 Кб
Скачать

Частотные свойства полевых транзисторов определяются постоянной времени RC-цепи затвора. Поскольку входная емкость у транзисторов с p-n-переходом велика, их применение в усилительных каскадах с большим входным сопротивлением возможно в диапазоне частот, не превышающих сотен кГц – единиц МГц.

При работе в переключающих схемах скорость переключения полностью определяется постоянной времени RC-цепи затвора. У полевых транзисторов с изолированным затвором входная емкость значительно меньше, поэтому их частотные свойства намного лучше, чем у ПТ с p-n-переходом. Граничная частота определяется по формуле fгр≈159S/Сзu, где S-крутизна хар-ки ПТ, Сзu – емкость при коротком замыкании по переменному току выходной цепи.

9.8 Электрические модели полевых транзисторов статическая модель

М одель для транзистора с n-каналом показана на рис. 9.8.

Диоды Д и Дсз представляют собой модель затвор-исток и затвор-сток, и включены в обратном направлении. Резисторы Ru и Rс учитывают последовательные сопротивления от вывода истока до начала канала и от конца канала до вывода стока. Генератор тока Iс отображает ток стока.

Влияние сопротивлений Ru и Rс проявляется в том, что на них проис­ходит падение напряжения IсRн и IсRс в цепи сток-исток, что приводит к снижению крутизны транзистора в области крутых участков выходных характеристик.

В области насыщения большое влияние оказывает сопротивления Ru, оно снижает значение крутизны по сравнению со случаем, когда Ru = 0. Влияние же Rc сводится к некоторому увеличению напряжения насыщения.

9.9 Нелинейная динамическая модель Полевого Транзистора с управляющим p-n-переходом

Н а рис. 9.9 показана динамическая модель для большого сигнала в случае n-канального ПТ. От статической модели она отличается конденсаторами Сuз и Ссз, учитывающими барьерные емкости переходов (Д и Дсз), имеющих обратное включение. Значения емкостей определяются мгновенным значением напряжения на переходах (диодах). Последовательно с конденсаторами С и Ссз, включены резисторы Rк' и Rк". Реально цепи затвора и канала представляют собой распределенную RC цепь из емкости затвора на канале и сопротивления канала. Для упрощения распределенную цепь заменяют двумя простыми цепями с фиксированными параметрами: одна состоит из последовательно соединенных емкости Сиз, называемой емкостью затвор-исток, и резистора Rк', а вторая из емкости Сcз (емкость затвор-исток) и резистора Rк". Сумма С + Ссз полной емкости затвора относительно канала. Значения Rк' и Rк" приближенно связываются с полным

сопротивлением канала Rк' или находятся

экспериментально. В рабочих режимах эти сопротивления составляют единицы-десятки Ом. Ток генератора Ic в статической и нелинейной динамической моделях достаточно сложно зависят от напряжений Uзu и Uсu. Однако Ic можно представить как сумму двух встречных токов I1 и I2 (рис.б) каждый из которых определяется только одним напряжением.

U = Uсз + Uзи

Можно записать:

Ic = I1 (Ucз) – I2 (Uзu); где I1 = I0 (1-Ucз/U0)² I2 = I0 (1-Uuз/U0)².

При U зu = 0 IСнас =I0 , UЗUотс ≈ U0 = qNдd2/2εε0, где

q-заряд электричества, Nд концентрация доноров, а- толщина образца, ε,ε0- диэлектрическая проницаемость вакуума и относительная диэлектрическая проницаемость.

9.10 Малосигнальная модель полевого транзистора с управляющим p-n-переходом

На рис.9.10 показана схема для канала n-типа. Схему можно получить из нелинейной модели (для большого сигнала). При малом сигнале диоды заменяются дифференциальными сопротивлениями rзu и rзc. При обратном напряжении на диодах эти сопротивления очень велики. Значения емкостей Сuз и Ссз в этой схеме постоянны и определяются выбранными рабочими напряжениями Uзu и Uсu. Зависимый генератор в случае малой амплитуды переменного тока можно представить Iс=SUзи , где (1) S – комплексная (частотозависимая ) крутизна. В управлении током канала участвует не весь входной сигнал Uзи. Управление осуществляется напряжением Uзи имеющимся на емкости Cзи. При этом:

U ' зи = Uзи - I сR u .

Если пренебречь шунтирующим действием большого сопротивления rзи , то

.

Соседние файлы в предмете [НЕСОРТИРОВАННОЕ]