3. Датчик температуры на двух идентичных

n-p-n – ТРАНЗИСТОРАХ

На практике широкое распространение получил датчик температуры на двух транзисторах, технологически выполненных на одном кристалле. Этот датчик, хотя и обладает меньшей чувствительностью, чем датчик на одном транзисторе, но отличается от него меньшей нелинейностью преобразования. Зависимость пределов изменения выходного напряжения от пределов изменения температуры для приведенной на рис. 16.4 схемы описывается выражением , где k – постоянная Больцмана; q – заряд электрона.

И з приведенного выражения можно сделать важный практический вывод: выходное напряжение датчика прямо пропорционально изменению температуры и не зависит ни от свойств полупроводникового материала, ни от технологии изготовления транзистора. Данный датчик дает хорошие результаты при измерении температуры от – 25 до + 100 ⁰С.

16.6 ДАТЧИК ТЕМПЕРАТУРЫ НА p-n-p- ТРАНЗИСТОРАХ

Д ля получения высокого коэффициента преобразования в узком диапазоне изменения температуры может быть применен датчик, схема которого приведена на рис.16.5. В данной схеме транзистор VT1 выполняет роль чувствительного элемента. Для этого его эмиттерный переход смещен в обратном направлении. Транзистор VT2 включен по схеме с ОЭ и выполняет роль усилителя. При изменении температуры изменяется падение напряжения на обратносмещенном эмиттером переходе VT1, а, следовательно, изменяется базовый ток транзистора VT2, что приводит к изменению падения напряжения на резисторе R2.

172