4. Оптоэлектронные приборы. Индикаторы информации

Индикатор: служит для визуального представления информации.

Низковольтные индикаторы: активные, преобразующие энергию электрического тока в световой поток, и пассивные, основанные на модуляции внешнего светового потока под действием электрического поля.

К активным относятся:

1. вакуумный накаливаемый индикатор – электровакуумный прибор, внутри которого расположены элементы излучения в виде нитей накаливания. Внутреннее расположение нитей дает возможность отображать арабские цифры от 0 до 9, а также буквы русского и латинского алфавита (рис.15.12);

2. полупроводниковый индикатор выполняют на основе светоизлучающих диодов (цвет от красного до зеленого), которые применяют в виде семи-десятичных индикаторов (рис. 15.13, а) и матричные (рис. 15.13, б), многоразрядные (рис. 15.13, в).

3. вакуумный люминицентный индикатор аналогичен ЭЛТ и использует эффект свечения люминофора при бомбардировке его потоком электронов. Например, ИЛТ4-30М (табло) применяется для индикации уровня сигнала в стереофонической аппаратуре.

К пассивным относятся:

1,3 – Стеклянные пластины; 2 – клеевое соединение; 4 – передний прозрачный электрод; 5 – жидкокристаллическое вещество; 6 – задний прозрачный электрод; 7 - задний отражающий электрод.

Жидкокристалический индикатор (ЖКИ), который под действием внешнего освещения изменяет оптическую плотность жидкого кристалла. ЖКИ состоят из двух параллельно расположенных стеклянных пластин, на внутренних поверхностях которых нанесены пленочные электроды. Межэлектродное пространство заполнено жидкокристаллическим веществом. Один из электродов выполняется в виде рисунка отображаемого знака, а второй является общим. Изображение светлое на темном фоне (рис. 15.14, а) и изображение темное на светлом фоне (рис. 15.14, б).

15. Полупроводниковые датчики температуры.

1. Терморезисторы

К датчикам температуры относятся полупроводниковые терморезисторы, диоды и транзисторы.

Полупроводниковые терморезисторы. Параметры. Зависимость сопротивления терморезисторов от температуры.

Это приборы, принцип действия которых основан на использовании терморезисторного эффекта, заключающегося в значительном изменении сопротивления полупроводникового материала при изменении температуры.

Полупроводниковые терморезисторы отличаются от проволочных приборов не только большими собственными сопротивлениями, но и малыми размерами. На их основе создают устройства, обладающие повышенными точностью и быстродействием. К недостаткам полупроводниковых терморезисторов следует отнести нелинейность их характеристик R= ( T⁰C ) и значительный технологический разброс параметров.

Аналитическая зависимость сопротивления терморезистора от температуры имеет вид R_T=ATexp(B/T), где А, , В – постоянные, определяемые свойствами полупроводникового материала и конструкцией терморезистора. Для большинства терморезисторов   1 и поэтому можно пользоваться более простым выражением R_TAexp(B/T). Из этого выражения следует, что с ростом температуры сопротивление терморезисторов уменьшается.

Температурную чувствительность принято характеризовать величиной их температурного коэффициента сопротивления (ТКR), типовое значение которого лежит в диапозоне от –2 до –8,5 % / ⁰С.