Вывод: рассчитаны граничные частоты в схемах включения об и оэ и предельная частота.

Сводка конечных результатов

№	Параметр	Результат
1	Топологический чертеж транзисторной структуры	Рис. 2.1
2	Малосигнальная эквивалентная схема	Рис. 2.2
3	Коэффициент передачи эмиттерного тока
4	Коэффициент усиления базового тока	273
5	Барьерная емкость перехода ЭБ в рабочем режиме	= 60 фФ
6	Барьерная емкость перехода КБ в рабочем режиме	= 27 ф
7	Диффузионная емкость эмиттерного перехода	= 16 фФ
8	Маршрутная карта изготовления транзистора	§2.2.2

Список используемой литературы.

1. Старосельский В.И. Физика полупроводниковых приборов микроэлектронике. Учебное пособие ЮРАЙТ Высшее образование, Москва, 2009 год.

2. Баринов В.В., Онацко В., Шишина Л.Ю. Основы топологического проектирования ИМС. — под ред. В.Онацко. М.: МИЭТ, 1994.

3. Титова И.Н. Методические указания по выполнению курсового проекта. Учебно-методическая разработка для самостоятельной работы студентов по курсу «Элементы твердотельной электроники и физики полупроводниковых приборов». Электронный вариант по адресу: www.miet.ru/ИЭИРС/кафедра-ИЭМС/НАИМЕНОВАНИЕ ДИСЦИПЛИНЫ - Элементы твердотельной электроники (КП).

26