Курсовая работа по предмету: Вакуумная и плазменная электроника Вариант №21

1

Расчёт электрических характеристик кремниевого интегрального n-канального МДП-транзистора..................................................................

3

1.1

Исходные данные. Задание.......................................................................

3,4

1.2

Структура и топология МДП-транзистора..............................................

5

1.3

Расчет и корректировка порогового напряжения транзистора.............

8

1.4

Расчёт ВАХ в рамках идеализированной модели..................................

10

1.5

Расчёт ВАХ с учётом неоднородности ОПЗ под затвором...................

12

1.6

Малосигнальная эквивалентная схема и ее параметры.........................

15

1.7

Факультативное задание: Расчёт и корректировка порогового напряжения с учётом эффектов короткого и узкого канала..................

16

1.8

Факультативное задание: Расчёт реальной ВАХ, зависящей от ...

17

1.9

Факультативное задание: Расчёт параметров эквивалентной схемы...

21

1

Материал затвора

N+-Si^*

2

Длина канала L, мкм

3

3

Ширина канала W, мкм

10

4

Толщина подзатворного диэлектрика (SiO₂) d, мкм

0,03

5

Концентрация примеси в подложке , см^-3

10¹⁶

6

Подвижность электронов в канале _n, см²/В.с

600

7

Плотность поверхностных состояний , см^-2

6*10¹⁰

8

Концентрация примеси в n⁺- слоях, см^-3

10²⁰

9

Глубина залегания стока , мкм

0.6