- •Цели и задачи курса. Комплексная микроминиатюризация эа.
- •Уровни функционально-конструктивной сложности. Требования к современным конструкциям и их взаимосвязь с производством.
- •3. Элементная база и ее влияние на конструкцию мэа. Выбор конструктивно-компоновочной схемы и методов монтажа электронной аппаратуры.
- •4. Корпусные имс. Государственные, отраслевые и международные стандарты. Конструкционные материалы.
- •5. Конструктивные исполнения бескорпусной элементной базы.
- •6 Компьютерно-интегрированные технологии проволочного микромонтажа и монтажа сбис с организованными выводами в производстве эвс.
- •7. Констуктивно-технологические особенности сборки и монтажа бескорпусных микросхем на гибких полиимидных носителях.
- •8. Коммутационные системы микросборок и ячеек. Конструктивные типы многослойных жёстких и гибких плат, оснований и технология их производства.
- •9. Конструктивные и технологические особенности изготовления мпп.
- •10. Конструктивные и технологические особенности изготовления мккп.
- •11.Многокристальные модули. Конструкция и технология производства мкм без сварных и паяных соединений. Трехмерные конструкции и технологии производства
- •12. Конструктивно-технологические методы обеспечения эффективного теплостока от кристаллов мкм.
- •15. Способы образования электрических соединений.
- •16. Микросварные соединения.
- •17. Физико-химические основы микросварки.
- •18. Технологические особенности, напряженно-деформированное состояние и факторы прочности.
- •19. Паяные соединения. Физико-химические основы пайки.
- •Особенности и способы пайки. Бесфлюсовая пайка.
- •Конструктивы и производственные особенности получения непаяных соединений (накрутка, контактолы, анизотропные ленты, press-fit-технология).
- •23. Поверхностный монтаж. Пайка оплавлением дозированного припоя в парогазовой среде.
- •24. Поверхностный монтаж. Пайка ик-нагревом и лазерным излучением.
- •25. Припойные пасты, теплоносители, очистители, защитные покрытия.
- •Трафаретный метод нанесения припойной пасты.
- •Диспенсорный метод нанесения припойной пасты
- •Пути реализации бессвинцовой технологии монтажа в соответствии с директивой Евросоюза rohs.
- •27. Виды дефектов в паяных соединениях.
- •Межъячеечный и межблочный монтаж. Жгуты, кабели, шлейфы. Особенности крепления конструкций. Формообразование конструкционных элементов.
- •Герметизация компонентов и рэа. Способы контроля герметичности.
- •Контроль качества герметизации
Цели и задачи курса. Комплексная микроминиатюризация эа.
Современная электроника остро ставит вопрос о микроминиатюризации электронных средств при одновременном улучшении их функциональных и эксплуатационных характеристик. Решение этого вопроса возможно за счет повышения степени интеграции элементной базы и разработки технологий компактного монтажа микроэлектронной аппаратуры, которая охватывает все многообразие современных электронных средств различного назначения.
Кроме информационных и технических областей применения микроэлектронной аппаратуре предстоит широкое освоение ряда новых областей (здравоохранение, метеорология).
Направления развития радиоэлектронных средств определены: комплексная микроминиатюризация, расширение функциональных возможностей, снижение материалоемкости, стоимости, повышение надежности и удобств эксплуатации.
Комплексная микроминиатюризация МЭА идет по двум встречным направлениям:
1) миниатюризация элементной базы, когда в одной интегральной микросхеме удается разместить целые устройства, комплексы и даже системы;
2) миниатюризация ячеек и блоков, когда за счет освоения микроэлектронной тонкопленочной и толстопленочной технологий удается создать ячейки и блоки с высокой плотностью размещения полупроводниковых БИС и СБИС.
Комплексная микроминиатюризация: задачи, содержание, проблемы.
Основные тенденции при создании ЭА для быта и общения людей:
— широкое внедрение ИМС, специализированных БИС и микропроцессоров;
— применение новых индикаторных приборов, новых функциональных устройств на основе акустоэлектронных, оптоэлектронных приборов;
— расширение функциональных возможностей за счет применения новых устройств — электронных переводчиков, синтезаторов речи, устройств сбора и отображения на экране телевизоров информации о состоянии внешней среды (температуры и влажности в помещении и на улице, атмосферного давления);
— улучшение комфортных характеристик — введение автопоиска программ, беспроводного дистанционного управления, информации о состоянии и параметрах аппаратуры;
— повышение ремонтопригодности аппаратуры за счет разработки и серийного выпуска унифицированных функциональных модулей с устройствами самоконтроля и отображения данных о наличии отказа.
Принцип комплексной миниатюризации можно сформулировать таким образом:
- комплексный анализ, оптимизация и синтез аппаратуры и систем на базе интегральных микросхем и интегральной технологии;
- выбор перспективной микроэлектронной элементной базы, т. е, такой, электрофизические и технические характеристики которой развиваются в сторону достижения их теоретического предела, а наличие экспериментальных образцов и их свойства уже позволяют применить их в проектируемых устройствах;
- стремление к созданию функционально полной аппаратуры, соединению функций различных микроэлектронных устройств в одном многофункциональном устройстве, например функций приемной и передающей антенн в одной приемопередающей активной фазированной антенной решетке (АФАР);
- конструирование микроэлектронных ячеек и блоков на основе единого конструктивно-технологического подхода к созданию блоков различного назначения и различных диапазонов частот от низкочастотных до СВЧ;
- объединение и использование с целью решения конкретной задачи всех достижений микросхемотехники, системотехники, интегральной технологии, конструктивных решений и методов машинного проектирования.
Комплексная миниатюризация, обеспечивающая высокие плотности упаковки ИМС и микросборок, малые коэффициенты дезинтеграции, порождает ряд проблем, органически присущих устройствам с плотным размещением элементов. К ним относятся проблемы теплоотвода, помехоустойчивости, количества контактов и др.
1. Проблема теплоотвода. Уменьшение объемов МЭА приводит к уменьшению площади поверхности и возрастанию удельных тепловых потоков от микроэлектронных устройств в окружающее пространство. Увеличение числа электрорадиоэлементов в единице объема МЭА приводит к повышению выделяемой удельной мощности. Все это вызывает резкое возрастание тепловых нагрузок, повышение рабочей температуры и увеличение интенсивности отказов элементов МЭА.
Эта проблема может быть решена снижением потребляемой интегральными микросхемами мощности (в первую очередь снижением напряжения питания ИМС), повышением предельной рабочей температуры ИМС, разработкой эффективных устройств теплоотвода, не снижающих показателей микроминиатюризации и т. д.
2. Проблема помехоустойчивости МЭА. Повышение плотности электромонтажа в пределах интегральных полупроводниковых микросхем, микросборок
и функциональных ячеек, применение многоуровневой разводки, снижение напряжения питания обусловливают, наличие паразитных связей, паводок, возникновение внутренних помех при функционировании МЭА. Основными видами паразитных связей в МЭА являются емкостные и индуктивные связи, а также связь через общее активное и индуктивное сопротивления шин питания.
Для снижения уровня помех, обусловленных емкостной и индуктивной связями между коммутационными элементами МЭА, следует располагать проводники в соседних слоях во взаимно перпендикулярных направлениях, обеспечивать минимальную длину проводников. Длина проводников не должна превышать допустимых значений, определяемых из условий помехоустойчивости и заданного быстродействия ИМС. Значение паразитных емкостей уменьшается при использовании проводников малой ширины, однако сужение проводников приводит к заметному увеличению их сопротивлений. Для снижения уровня помех, обусловленных индуктивностями шин питания и заземления, необходимо увеличивать их ширину и располагать шины друг под другом на соседних уровнях коммутации. Существенного снижения паразитных эффектов и повышения помехоустойчивости МЭА можно добиться экранированием связей, конструированием линий электромонтажа с учетом компенсации помех противоположной полярности, использованием развязывающих фильтров и элементов согласования.
3. Проблема количества контактов. Рост функциональной сложности МЭА — объективная закономерность научно-технического прогресса в информационной технике. Одним из ограничивающих факторов, сдерживающих процесс роста функциональной сложности, является увеличение числа соединений между элементами МЭА (ИМС, БИС, МСБ), функциональными ячейками, блоками и т.д. Эти соединения, занимая большие площади и объемы в МЭА, с одной стороны, снижают показатели комплексной миниатюризации МЭА, а с другой, — являясь потенциальными и наиболее вероятными носителями отказов, снижают надежность МЭА.
Решение старой проблемы «тирании количеств» соединений, вновь возникшей в условиях комплексной миниатюризации, основано на том, что при проектировании радиоэлектронных функциональных узлов и устройств стремятся сосредоточить максимально возможное число связей в пределах интегральных микросхем, снижая тем самым число соединений между микросхемами.