- •Тема 1: Предмет физики конденсированного состояния (фкс)
- •Тема 2: Классификация твёрдых тел. Типы связи.
- •2.1. Классификация твёрдых тел
- •2.2. Типы связи
- •2.3. Энергия связи
- •2.4. Молекулярные кристаллы
- •2.5. Ионные кристаллы
- •2.6. Ковалентные кристаллы
- •2.7. Металлы
- •Тема 3: Структура твёрдых тел
- •3.1. Кристаллические решётки. Трансляционная симметрия
- •3.2. Решётки Браве
- •3.3. Индексы Миллера
- •2.А. Осью симметрии (простой или поворотной) называется линия, при повороте вокруг которой на некоторый определённый угол, фигура совмещается сама с собой.
- •3.4.1. Пространственные группы
- •3.5. Дифракция в кристаллах
- •3.6. Обратная решётка
- •3.7. Зоны Бриллюэна
- •Тема 4: Дефекты кристаллического строения
- •4.1. Классификация дефектов
- •4.2. Точечные дефекты
- •4.2.1. Равновесная концентрация дефектов
- •4.2.2. Условие электронейтральности. Дефекты Шоттки и Френкеля
- •4.2.3. Центр окраски
- •4.2.4. Радиационные дефекты
- •4.3. Дислокации
- •4.3.1. Краевая дислокация
- •4.3.2. Винтовая дислокация
- •4.3.3. Подвижность дислокаций
- •4.4. Контур и вектор Бюргерса
- •4.5. Энергия дислокации
- •4.6. Источники дислокации
- •Тема 5: Энергетический спектр кристаллов.
- •5.1. Описание энергетического состояния кристалла при помощи газа квазичастиц. Примеры квазичастиц.
- •Адиабатическое приближение Борна-Оппенгеймера.
- •Валентная аппроксимация
- •Одноэлектронное приближение
- •5.3. Свойство волнового вектора электрона в кристалле
- •5.4. Энергетический спектр электрона в кристалле. Модель Кронега-Пенни.
- •5.5. Заполнение зон электронами. Металлы. Диэлектрики. Полупроводники
- •5.6. Эффективная масса электрона. Свободный электрон.
- •Тема 6: Тепловые свойства тт. Электронный газ Ферми.
- •Тема 7: Полупроводники
- •7.1.1. Донорные примеси
- •7.1.2. Акцепторные примеси
- •7.2. Собственная проводимость полупроводников
- •7.3. Проводимость примесных полупроводников
- •7.4. Свойства твёрдых тел в сильных электрических полях
- •7.4.1. Разогрев электронного газа
- •7.4.2. Эффект Ганна.
- •7.4.3. Ударная ионизация
- •7.4.4. Эффект Зинера
- •Тема 8: Диэлектрики
- •8.1. Основные механизмы проводимости в диэлектриках.
- •8.2. Поляризация диэлектриков
- •8.2.1. Электронная упругая поляризация.
- •12 И 13 декабря студенческое анкетирование в 10:00 3-02
- •8.2.2. Ионная упругая поляризация
- •8.2.3. Дипольная, упругая и тепловая поляризации
- •8.2.4. Ионная тепловая поляризация
- •8.2.5. Электронная тепловая поляризация
- •8.3. Пьезоэлектрический эффект.
- •8.4. Пироэлектрический эффект
- •8.5. Сегнетоэлектрики
- •Тема 9: Оптические свойства твёрдых тел
- •9.1. Виды взаимодействия света с твёрдым телом
- •9.2. Оптические константы
- •9.3. Поглощение света кристаллами
- •9.3.1. Собственное поглощение
- •Тема 10: Механические свойства твёрдых тел
- •10.2. Упругая деформация
- •Тема 11: Сверхпроводимость
- •11.1. Свойства сверхпроводников
- •4 Класса дефектов – 8 свойств сверхпроводников. Зонное строение металлов (полупроводников). Перечисление типов дефектов, типы частиц.
4.5. Энергия дислокации
Энергия дислокации – энергия, затрачиваемая на искажение решётки при образовании дислокации. Эту энергию рассчитывают как работу, которую нужно затратить против сил связи в решётке, чтобы осуществить разрыв и сдвинуть две атомные плоскости в решётке друг относительно друга, т.е. ввести дислокации:
Где G – модуль сдвига, b – модуль вектора Бюргерса.
Порядок величины U составляет несколько электрон вольт на заданную плоскость. Дислокации с минимальным b обладают наименьшей энергией, они менее подвижны. Дислокации с большими b легко распадаются на дислокации с большими b.
4.6. Источники дислокации
Дислокации возникают в кристаллах в процессе их выращивания. При определённых условиях получают тела с низкой плотностью дислокации (~102см-2 и менее). В то же время известно, что при деформации плотность дислокации возрастает и может достигать 1010см-2. Для объяснения этого факта необходимо допустить, что внутри кристалла имеются источники дислокаций. Одним из возможных механизмов размножений дислокаций был предложен Франком и Ридом, и был назван источник Франка и Рида (рисунок 1). Линия АВ представляет собой краевую дислокацию с закреплёнными концами (рисунок 2). Франк и Рид обнаружили, что отрезок АВ может действовать как источник неограниченного числа дислокаций. Под действием внешнего напряжения τ дислокация начинает выгибаться в плоскости скольжения и занимает положение 1. Если бы концы отрезка были свободны, то дислокация стала бы двигаться путём скольжения. Постепенное выгибание дислокаций может происходить лишь при непрерывно возрастающем напряжении τ, достигающего максимального значения в момент, когда дислокация принимает форму полуокружности. При этом критическое напряжение:
Критическое напряжение источника Франка-Рида, где l – длинна отрезка АВ.
При τкр концентрация становится не стабильной, и дислокация самопроизвольно расширяется, занимая положение 2, 3, 4. В положении 4 части дислокационной петли С и С’ имеют винтовые компоненты противоположного знака, т.е. движутся на встречу друг другу в одной и той же плоскости скольжения, и взаимно уничтожаются. В результате этого происходит разделение дислокации на 2: внешнюю и внутреннюю (положение 5). Внешняя дислокация разрастается до поверхности кристалла, а внутренняя занимает исходное состояние. После этого весь процесс начинается сначала. Число дислокаций, генерируемых источником Франка-Рида, не ограничено.
Лекция № 7 от 11.11.11
К/р вплоть до темы 3 включительно.
Типы сингонии, основные элементы симметрии, условия индексов миллера.
Тема 5: Энергетический спектр кристаллов.
5.1. Описание энергетического состояния кристалла при помощи газа квазичастиц. Примеры квазичастиц.
С точки зрения квантовой теории твёрдого тела энергия колебаний решётки (или энергия упругой волны) являются квантовой величиной. Поэтому вводят понятие о фононах как о некоторых, распространяющихся в решётке квазичастицах, обладающих определёнными энергиями и направлениями движения.
Nβ: Фонон – квант энергии упругой волны в кристалле.
Энергия фононов связана с угловой частотой колебаний:
Волновой вектор определяет так называемый квазиимпульс фонона:
Квазиимпульс есть величина, определённая с точностью до постоянного вектора где – вектор трансляции обратной решётки. Значение отличающееся на такую величину, физически эквивалентно.
Скорость фонона определяется выражением: (скорость фонона)
т.е. связано с угловой частотой колебаний.
Свободному распространению волн в гармоническом приближении соответствует в квантовой теори свободное движение невзаимодействующих друг с другом фононов. Во всех процессах должны соблюдаться законы сохранения и импульса.
Понятие о фононах является частным случаем более общего понятия, играющего основную роль в теории квантовых энергетических спектров всяких макроскопических тел.
Nβ: Всякое слабо возбуждённое состояние макроскопического тела может рассматриваться в квантовой механике как совокупность элементарных возбуждений. Эти элементарные возбуждения ведут себя как некие квазичастицы, движущиеся в занимаемом телом объёме.
Пока число элементарных возбуждений достаточно мало, они не взаимодействуют друг с другом, так что их совокупность можно рассматривать как идеальный газ квазичастицы. Понятие элементарных возбуждений возникает как способ квантово-механического описания коллективного движения атомов тела.
Помимо фононов, существуют и другие важные квазичастицы.
Nβ:
-
Плазмоны – кванты элементарных возбуждений, обусловленные кулоновским взаимодействием между электронами и положительными ионами. Возникают в металлах и полупроводниках.
-
Магноны – кванты элементарных спиновых возбуждений; спиновое возбуждение – нарушение спиновой упорядоченности в кристалле. Возникает в ферромагнетиках, антиферромагнетиках, ферримагнетиках.
-
Экситон – взаимодействие электрона и дырки в кристалле, приводящее к связанному состоянию этих частиц.
-
Поляроны – электроны, взаимодействующие с фононами; или область искажения решётки вместе с находящимся там электроном.
Название |
Обозначение |
Поле |
Электрон |
||
Фотон |
Электромагнитная волна |
|
Фонон |
Упругая волна |
|
Плазмон |
Коллективная электронная волна |
|
Магнон |
Волна перемагничивания |
|
Полярон |
Электрон + упругая деформация |
|
Экситон |
Волна поляризации |
Для твёрдого тела спрведливо стационарное уравнение Шредингера, которое описывает состоятие всех частиц в этом твёрдом теле:
где ψ – собственная волновая функция, Е – энергия.
Энергия:
Перейдём к нашему отношению:
Вернёмся к твёрдому тел и запишем оператор кинетической энергии твёрдого тела:
где mi – масса электрона, Mk – масса ядер.
Потенциальная энергия складывается из трёх составляющих:
где r – радиус электронов, R – радиус-вектор ядер, 1-е слагаемое - , 2-е – энергия взаимодействия ядер с ядрами (кулоновское отталкивание ядер), 3-е – энергия взаимодействия электронов с ядрами (кулоновское притяжение электронов и ядер)
Функция ψ, входящее в уравнение Шредингера, зависит от координат всех частиц:
Если на эту функцию наложить ограничение, вытекающее из её физического смысла, а именно конечность, однозначность и непрерывность, то уравнение Шредингера будет иметь решение не при любых значениях энергии Е, а только при некоторых. Эти решения определяют уровни энергии в твёрдом теле или энергетический спектр твёрдого тела.
Из-за большого числа независимых переменных уравнение Шредингера для твёрдого тела не может быть решено в общем виде, поэтому прибегают к ряду упрощений: