- •Федеральное агентство по образованию
- •Конспект лекций
- •1 Цели и задачи изучения дисциплины
- •1.1 Цель преподавания дисциплины
- •1.2 Задачи изучения дисциплины
- •Часть 2. Электротехнические материалы
- •Классификация этм по электропроводности
- •Диэлектрики. Электропроводность диэлектриков в слабых полях
- •Для газов мала: 1,000072…1,0019
- •Электропроводность диэлектриков в сильных полях Пробивное напряжение и электрическая прочность
- •Определение электрической прочности
- •Электрический пробой
- •Электротепловой пробой
- •Количество отводимого тепла определяется равенством
- •Электротепловой пробой
- •Электрохимический пробой
- •Пробой газообразных диэлектриков
- •Пробой жидких диэлектриков
- •Пробой твердых диэлектриков
- •Проводниковые, полупроводниковые и сврхпроводящие материалы Проводники п рирода проводимости и основные характеристики проводниковых материалов
- •Зависимость удельного электрического сопротивления металлов от температуры
- •Физическая природа сверхпроводимости
- •Магнитные элементы и материалы Физические процессы в магнитных элементах
- •Потери в обмотках
- •Поверхностный эффект или эффект вытеснения тока
- •Эффект близости
- •Потери в сердечнике
- •Магнитные материалы
- •Схемы замещения магнитных элементов
- •Контрольные вопросы
- •Особенности электpопpоводности полупpоводников
- •Примесные полупроводники
- •Кристаллическая решетка примесного полупроводника
- •Основные и неосновные носители заряда.
- •Зависимость концентрации носителей заряда от температуры. Элементы статистики электронов.
- •Положение уровня Ферми.
Положение уровня Ферми.
Уровень Ферми является одним из основных параметров характеризующих электронный газ в полупроводниках.
Найдем положение уровня Ферми в невырожденном полупроводнике при низких температурах.
Прологарифмируем выражение
Получаем
Отсюда
(1)
(а)
Как видим, согласно (1), при очень низких температурах уровень Ферми в полупроводнике n-типа лежит посередине между дном зоны проводимости и донорным уровнем. С повышением температуры вероятность заполнения донорных состояний уменьшается, и уровень Ферми перемещается вниз. При высоких температурах полупроводник по свойствам близок к собственному, а уровень Ферми стремится к середине запрещенной зоны (рис.43).
(Но при T=00К доноры не ионизированы и вроде должно быть Эф=Эi ?).
Для полупроводника p-типа
Отсюда
(b)
Переход к собственной проводимости происходит при некоторой температуре Тi, которую можно определить из выражения для Эф для собственных полупроводников и выражений (а) и (b).
n-тип:
p-тип:
Множитель взят из условия Эф=Эд, а значит n=Nд/2.
Например, для Ge при Nд=1016см-3 и Э=0.01 эВ то Тист=320К.
Заметим
nпр - концентрация электронов, обусловленная ионизацией примеси.
При температурах Т>Тист
При T>Ti
(Например, для Ge с Nд=1016 см-3 Ti=4500K)
В заключении напомним, что все рассуждения о структуре энергетических диаграмм и распределении по энергиям электронов в примесных полупроводниках проведены в предположении малой концентрации примесных атомов, когда их взаимодействие между собой практически отсутствует и локальный уровень не расщеплен ,и здесь нужно учитывать факторы вырождения g. При увеличении концентрации примесных атомов, т.е. уменьшении расстояния между ними, вырождение локального уровня постепенно снимается и он размывается, образуя примесную зону.
В соответствии с законом действующих масс , уравнениям электронейтральности
и уравнением
зависимость концентрации электронов и дырок от температуры определяется следующими соотношениями:
-
для полупроводника n-типа
-
для полупроводника p-типа
где - факторы вырождения донорного и акцепторного уровней; - константы равновесия.
При высоких температурах ка>>Na, Nд значит p=Na-Nд, т.е. концентрация дырок не зависит от температуры.
При низких температурах, когда ка<<Na, Nд
В этом температурном интервале
Контрольные вопросы.
-
Особенности электpопpоводности полупpоводников
-
Какой полупроводник называется собственным
-
Энергия активации
-
Влияние примесей
-
Какой полупроводник называется примесным
-
Примеси акцепторного и донорного типа.
-
Кристаллическая решетка примесного полупроводника. Влияние валентности примесных атомов замещения ( когда атомы примеси находятся в узлах кристаллической решетки) на характер их поведения в ковалентных полупроводниках типа кремния или германия.
-
Полупроводники n-типа и полупроводники p-типа.
-
Основные и не основные носители заряда
-
Выражения для произведений концентраций электронов и дырок вырожденных и невырожденных п/п
-
Соотношение для закона действующих масс
-
Выражения для определения концентрации основных и не основных носителей заряда.