- •210308 – Техническое обслуживание и ремонт
- •Энергетическая диаграмма твердого тела
- •Энергетическая диаграмма твердого тела выглядит:
- •Ширина запрещенной зоны влияет на электропроводность:
- •2 Внутреннее строение полупроводников
- •2.1 Примесная проводимость полупроводника
- •2.1.1 Донорная (электронная) проводимость
- •2.1.2 Акцепторная (дырочная) проводимость
- •2.2.2 Диффузионный ток
- •3 Контактные явления
- •3.1.1Симметричный p-n переход в равновесном состоянии
- •3.1.2.Обратное включение p-n перехода
- •3.1.3 Прямое включение p-n перехода
- •3.1.4 Вольт-амперная характеристика перехода Выпрямляющий и омический контакты
- •3.2 Емкости p-n перехода
- •3.2.1 Барьерная емкость
- •3.2.2 Диффузионная емкость
- •3.3 Пробой p-n перехода
- •Обратная ветвь вах при пробое:
- •Виды пробоев:
- •3.3.1 Тепловой пробой
- •3.3.2 Электрический пробой
- •А) Лавинный пробой
- •Б) Туннельный пробой
- •Механизм туннельного пробоя:
- •4 Внутренний и внешний фотоэффект
- •4.1 Внутренний фотоэффект
- •4.2 Внешний фотоэффект
- •5.2 Выпрямительный диод
- •Механизм сглаживания пульсаций:
- •5.3 Стабилитрон
- •Применение стабилитронов:
- •5.4 Буквенно-цифровое обозначение стабилитронов бцо стабилитронов состоит из четырех элементов:
- •Пример1: кс182а
- •Пример2: 2с620а
- •5.5 Варикап
- •Принцип работы схемы:
- •Применение варикапа:
- •5.6 Импульсный диод
- •Пример: 2д503а
- •Причины инерционности:
- •Способы уменьшения инерционности импульсного диода (повышение быстродействия)
- •Р hν ассмотрим фотодиодный режим:
- •6.2 Особенности лазерного излучения
- •6.3 Лазеры на гетероструктурах
- •Применение гетеропереходов:
- •6.4 Применение лазеров
- •7 Транзисторы
- •7.1.Биполярные транзисторы
- •Обозначение:
- •7.1.1 Назначение областей транзистора
- •7.1.2 Режимы работы транзистора
- •7.1.3 Буквенно- цифровое обозначение транзисторов бцо транзисторов состоит из четырех элементов:
- •7.1.4 Принцип работы транзистора
- •7.1.5 Основные коэффициенты, характеризующие работу транзистора
- •Выходные характеристики транзистора об
- •Статические вах транзистора оэ
- •Входные характеристики транзистора оэ
- •7.1.9 Динамический режим работы транзистора
- •7.1.10 Первичные параметры транзистора
- •Примечание:
- •7.1.12 Частотные свойства биполярных транзисторов
- •Граничные частоты транзисторов:
- •Способы уменьшения времени пролета нз через базу
- •Время пролета уменьшают:
- •7.2 Полевые транзисторы
- •Полевой транзистор содержит 3 электрода:
- •Полевые транзисторы бывают:
- •7.2.1 Полевой транзистор с p-n затвором
- •Обозначение:
- •Принцип действия полевого транзистора
- •Влияние напряжения на сечение канала
- •Выходные (стоковые) характеристики
- •Стоковые (выходные) характеристики
- •Стоко-затворные (передаточные) характеристики
- •Обозначение:
- •Достоинства:
- •Недостатки:
- •8 Тиристоры
- •8.1 Динисторы
- •Обозначение:
- •Вах динистора
- •8.2 Тринисторы
- •Пример: ку 201а, ку 202а
- •Вах тринистора
- •9 Электронные лампы
- •9.1 Диод
- •9.2 Триод
- •Анодные (выходные) характеристики триода
- •Анодно-сеточные (передаточные) характеристики триода
- •9.3 Тетрод
- •9.4 Пентод
- •Анодные (выходные) характеристики пентода
- •Анодно-сеточные характеристики пентода (в режиме перехвата)
- •Электростатическая отклоняющая система
- •Трубки с магнитным управлением
Вах динистора
Iа
С
Uпр
Iауд В
Iавкл А
Iко
О Uа
Uавкл
Д
а) Участок ОА (Uа < Uавкл):
ВАХ динистора напоминает ВАХ обратно смещенного перехода.
Iа = Iко - обратный ток КП, инжекции нет, динистор закрыт.
б) Участок АВ (Uа > Uавкл):
В точке А происходит пробой динистора => Iа=> Gкп=>Rкп,
следовательно уменьшается и падение напряжения на этом
сопротивлении, т.е. возникает участок с отрицательным
дифференциальным сопротивлением. Динистор открывается.
в) В точке В создается минимальное напряжение на динисторе (все три
перехода смещены в прямом направлении и их сопротивления малы).
Uпр=(1,5÷2)В – падение напряжения на трех прямо смещенных
переходах.
Участок ВС напоминает ВАХ прямо смещенного перехода.
8.2 Тринисторы
Если от одной из баз динистора сделать вывод и подавать через него прямое напряжение на эмиттерный переход, то ток тиристора увеличится (за счет роста инжекции ОНЗ в область базы). Причем, чем больше ток через такой управляющий электрод, тем ниже напряжение включения, т.е. можно регулировать момент включения прибора.
Тиристор с управляющим электродом называется тринистором.
а) Если управляющим электродом является база, ближайшая к катоду, то это будет тринистор с катодным управлением.
Пример: ку 201а, ку 202а
б) Если управляющим электродом является база, ближайшая к аноду, то это будет тринистор с анодным управлением.
Пример: Д235 (старое обозначение)
Вах тринистора
Iа
Iупр2
Iупр1
Iупр=0
о Uа
Uавкл2 Uавкл1
Iупр2 > Iупр1; Uавкл2 < Uавкл1
При нулевом управляющем токе ВАХ тринистора такая же, как и ВАХ динистора.
При управляющем токе не равном нулю ВАХ тринистора смещается влево, т.к. усиливается инжекция одного из эмиттеров и пробой КП произойдет при меньшем анодном напряжении. Чем больше управляющий ток, тем меньше напряжение включения.
Для включения тринистора требуется незначительный управляющий ток (десятки mA), незначительное напряжение управления, т.е. включение тринистора производится с небольшой затратой мощности. При этом в анодной цепи могут протекать токи в десятки и сотни ампер, при напряжении в тысячи вольт. Таким образом, тринистор – прибор, обладающий очень эффективным управлением.