- •210308 – Техническое обслуживание и ремонт
- •Энергетическая диаграмма твердого тела
- •Энергетическая диаграмма твердого тела выглядит:
- •Ширина запрещенной зоны влияет на электропроводность:
- •2 Внутреннее строение полупроводников
- •2.1 Примесная проводимость полупроводника
- •2.1.1 Донорная (электронная) проводимость
- •2.1.2 Акцепторная (дырочная) проводимость
- •2.2.2 Диффузионный ток
- •3 Контактные явления
- •3.1.1Симметричный p-n переход в равновесном состоянии
- •3.1.2.Обратное включение p-n перехода
- •3.1.3 Прямое включение p-n перехода
- •3.1.4 Вольт-амперная характеристика перехода Выпрямляющий и омический контакты
- •3.2 Емкости p-n перехода
- •3.2.1 Барьерная емкость
- •3.2.2 Диффузионная емкость
- •3.3 Пробой p-n перехода
- •Обратная ветвь вах при пробое:
- •Виды пробоев:
- •3.3.1 Тепловой пробой
- •3.3.2 Электрический пробой
- •А) Лавинный пробой
- •Б) Туннельный пробой
- •Механизм туннельного пробоя:
- •4 Внутренний и внешний фотоэффект
- •4.1 Внутренний фотоэффект
- •4.2 Внешний фотоэффект
- •5.2 Выпрямительный диод
- •Механизм сглаживания пульсаций:
- •5.3 Стабилитрон
- •Применение стабилитронов:
- •5.4 Буквенно-цифровое обозначение стабилитронов бцо стабилитронов состоит из четырех элементов:
- •Пример1: кс182а
- •Пример2: 2с620а
- •5.5 Варикап
- •Принцип работы схемы:
- •Применение варикапа:
- •5.6 Импульсный диод
- •Пример: 2д503а
- •Причины инерционности:
- •Способы уменьшения инерционности импульсного диода (повышение быстродействия)
- •Р hν ассмотрим фотодиодный режим:
- •6.2 Особенности лазерного излучения
- •6.3 Лазеры на гетероструктурах
- •Применение гетеропереходов:
- •6.4 Применение лазеров
- •7 Транзисторы
- •7.1.Биполярные транзисторы
- •Обозначение:
- •7.1.1 Назначение областей транзистора
- •7.1.2 Режимы работы транзистора
- •7.1.3 Буквенно- цифровое обозначение транзисторов бцо транзисторов состоит из четырех элементов:
- •7.1.4 Принцип работы транзистора
- •7.1.5 Основные коэффициенты, характеризующие работу транзистора
- •Выходные характеристики транзистора об
- •Статические вах транзистора оэ
- •Входные характеристики транзистора оэ
- •7.1.9 Динамический режим работы транзистора
- •7.1.10 Первичные параметры транзистора
- •Примечание:
- •7.1.12 Частотные свойства биполярных транзисторов
- •Граничные частоты транзисторов:
- •Способы уменьшения времени пролета нз через базу
- •Время пролета уменьшают:
- •7.2 Полевые транзисторы
- •Полевой транзистор содержит 3 электрода:
- •Полевые транзисторы бывают:
- •7.2.1 Полевой транзистор с p-n затвором
- •Обозначение:
- •Принцип действия полевого транзистора
- •Влияние напряжения на сечение канала
- •Выходные (стоковые) характеристики
- •Стоковые (выходные) характеристики
- •Стоко-затворные (передаточные) характеристики
- •Обозначение:
- •Достоинства:
- •Недостатки:
- •8 Тиристоры
- •8.1 Динисторы
- •Обозначение:
- •Вах динистора
- •8.2 Тринисторы
- •Пример: ку 201а, ку 202а
- •Вах тринистора
- •9 Электронные лампы
- •9.1 Диод
- •9.2 Триод
- •Анодные (выходные) характеристики триода
- •Анодно-сеточные (передаточные) характеристики триода
- •9.3 Тетрод
- •9.4 Пентод
- •Анодные (выходные) характеристики пентода
- •Анодно-сеточные характеристики пентода (в режиме перехвата)
- •Электростатическая отклоняющая система
- •Трубки с магнитным управлением
7.1.5 Основные коэффициенты, характеризующие работу транзистора
-
Статический коэффициент передачи тока эмиттера в коллектор: или
Отсюда вытекает: транзистор является управляемым прибором, т.к. его выходной ток () зависит от входного ().
Чем ближе приближается к 1, тем меньше отличаются между собой токи и , тем эффективнее работает транзистор.
-
Статический коэффициент передачи тока базы в коллектор:
= десятки÷сотни
Эти коэффициенты связаны между собой:
или
7.1.6 Транзистор, как усилительный элемент
Т.к. выходное напряжение транзистора является обратным , а входное напряжение – прямым , то справедливо: .
При этом входной ток выходному току :
или .
Определим входную и выходную мощности:
, т.е. транзистор является усилительным элементом.
Прибор, усиливающий сигнал по мощности, называется усилителем.
7.1.7 Схемы включения транзисторов
В зависимости от того, какой из электродов транзистора является общим для входной и выходной цепей, различают три схемы включения транзисторов:
а) Общий эмиттер ( n-p-n)
Изображена теоретическая схема усилителя. Практически используется один источник питания, а не два.
Назначение элементов:
VT – усилительный элемент;
Еп – источник питания, подающий обратное напряжение на КП;
Есм – источник питания, подающий прямое напряжение на ЭП;
Uс – источник переменного сигнала;
Rк – сопротивление коллекторной нагрузки (на нем выделяется усиленный сигнал).
Как расставляются знаки у источников питания?
n – p – n
Э Б К
UПР
UОБР
ЭП должен находиться под прямым напряжением. При прямом напряжении знаки клемм источника питания и ОНЗ соответствующих областей должны совпадать. Эмиттер – это n-область, поэтому на него должен быть подан «минус» источника питания Есм, а на базу, соответственно, - «плюс».
КП должен находиться под обратным напряжением. При обратном напряжении знаки клемм источника питания и ОНЗ соответствующих областей должны быть противоположны. Коллектор – это n-область, поэтому на него должен быть подан «плюс» источника питания Еп.
б) Общая база (n-p-n)
в) Общий коллектор (эмиттерный повторитель)(n-p-n)
RЭ- сопротивление эмиттерной нагрузки.
Для переменного тока источник постоянного напряжения (ЕП) имеет внутреннее сопротивление, стремящееся к нулю, поэтому можно считать, что плюсовая и минусовая клеммы этого источника для переменного тока закорочены, т.е. коллектор соединён с корпусом, что и требуется для схемы ОК.
7.1.8 Статические характеристики биполярного транзистора
Статические ВАХ транзистора ОБ
Входные характеристики транзистора ОБ
при
IЭ, mA
UКБ=5В UКБ=0
UЭБ, В
0 1
а) Пусть
означает, что коллектор и база закорочены,
т.е. транзистор выступает в качестве прямо
смещенного диода:
Входная характеристика для данного случая представляет собой ВАХ прямо смещенного диода - экспоненциальная зависимость тока от напряжения.
б) Пусть , т.е. имеем активный режим работы
транзистора.
С ростом выходного напряжения (был 0, стало 5В) характеристика смещается влево (в сторону больших токов).
Докажем это: КП расширяется в область базытолщина базы концентрация НЗ в базе разность концентраций НЗ в эмиттере и базе диффузионный ток , т.е. характеристика смещается в сторону бо́льших токов.
Дальнейшее повышение выходного напряжения приводит к незначительному смещению входной характеристики (характеристики идут кучно), поэтому ограничиваются двумя характеристиками: при и при