Граничные частоты транзисторов:

На ВЧ происходит уменьшение не только коэффициента , но и коэффициента . Причем, уменьшается гораздо слабее, чем :

;

Принято считать допустимым уменьшение коэффициентов и в раз по сравнению с их максимальными значениями.

Частоты, на которых происходит снижение и в раз по сравнению с их максимальными значениями, называются граничными частотами и .

- граничная частота транзистора ОБ;

- граничная частота транзистора ОЭ.

α

α_о

0,707α_о

0

β

f

0 f

Очевидно: . На практике считают:

Таким образом, транзистор ОБ является более высокочастотным, чем транзистор ОЭ.

Способы уменьшения времени пролета нз через базу

Время пролета НЗ через базу определяется: , где

- толщина базы;

- скорость пролета НЗ через базу.

Таким образом, чем тоньше база и выше скорость пролета НЗ через нее, тем меньше время пролета, меньше фазовый сдвиг между и и лучше усилительные свойства транзистора.

Время пролета уменьшают:

• делая базу очень тонкой, но при тонкой базе необходимо снижать выходное напряжение, чтобы при расширении КП не произошло смыкание коллектора с эмиттером (“прокол базы”).

• используя транзисторы n-p-n проводимости. Электроны обладают бо́льшей подвижностью, чем дырки, следовательно, время пролета их через базу будет меньше. Таким образом, транзисторы n-p-n проводимости более высокочастотны, чем транзисторы p-n-p проводимости.

Влияние емкости коллекторного перехода С_К на усилительные свойства транзистора - См. эквивалентную схему транзистора стр.52-53.

Влияние паразитных межэлектродных емкостей и индуктивностей выводов на усилительные свойства транзистора

Эквивалентная схема транзистора с учетом межэлектродных емкостей и индуктивностей выводов выглядит:

С ростом частоты входного сигнала реактивные сопротивления межэлектродных емкостей уменьшаются (), и через них начинают течь токи, не участвующие в усилении, т.е. ухудшаются усилительные свойства транзистора.

С ростом частоты входного сигнала реактивные сопротивления индуктивностей выводов растут (), следовательно, растет и падение полезного напряжения на них, что приводит к нежелательным потерям полезного сигнала, т.е. к ухудшению усилительных свойств транзистора.

Таким образом, наличие межэлектродных емкостей и индуктивностей выводов приводит к ухудшению усилительных свойств транзистора на ВЧ.

На НЧ и СЧ паразитные емкости и индуктивности влияния на работу транзистора не оказывают.