Достоинства:

• Высокое входное сопротивление (достигает 10¹⁴ Ом).

• Бесконечно большое усиление по току

().

коэффициент усиления по току 0

• Малый уровень собственных шумов.

(Наиболее шумящими процессами являются генерация и рекомбинация – образование или исчезновение пары: электрон + дырка. В полевом транзисторе эти процессы отсутствуют, т.к. через их каналы двигаются заряды только одного знака).

• Высокая температурная стабильность, позволяющая исключить специальные меры температурной стабилизации рабочего режима.

• Хорошая развязка между входом и выходом ().

• Малый разброс параметров.

Недостатки:

• Малый коэффициент усиления по напряжению (несколько единиц).

Это связано с тем, что полевой транзистор в рабочем режиме (в режиме насыщения) имеет очень большое сопротивление, на котором теряется значительная часть полезного напряжения.

I_С

А

∆I_С

∆U_СИ

0 U_СИ

0

• МОП-транзисторы боятся статического электричества.

8 Тиристоры

Тиристор – это полупроводниковый прибор с тремя и более p–n переходами, ВАХ которого имеет участок с отрицательным дифференциальным сопротивлением.

Основное назначение тиристоров – переключение.

8.1 Динисторы

Динистор – это неуправляемый тиристор с тремя переходами.

Обозначение:

VD

о о Пример: КН 102А

А

Iа

p₁ + Э1 R_Н

ЭП1 _

n₁ Б1

_ + о +

Uа КП _ Е_ВН о _Еа

p₂ Б2 Е_ВНЕШН

+

ЭП2 _

n₂ Ө Э2

К

ЭП1, ЭП2 – эмиттерные переходы

Э1, Э2 – высоколегированные эмиттеры

КП – коллекторный переход (образован слаболегированными базами Б1 и Б2)

Принцип действия динистора основан на использовании физических явлений: инжекция, экстракция и лавинный пробой.

Если на аноде плюс, то протекающий через динистор ток Iа смещает эмиттерные переходы в прямом направлении, а КП – в обратном (смотри знаки на рисунке).

При малом анодном напряжении практически все оно выделяется на обратно смещенном КП, имеющем большое сопротивление. Эмиттеры при этом не инжектируют. Динистор закрыт.

С ростом анодного напряжения возникает инжекция ОНЗ через эмиттерные переходы (дырки из Э1 перемещаются в Б1, электроны из Э2 – в Б2). Инжектированные в базу ОНЗ становятся ННЗ. Для них суммарное поле (Евнешнее + Евн) является ускоряющим – возникает экстракция (дырки из Б1 перебрасываются суммарным полем в Б2, а электроны из Б2 в Б1). В результате концентрация ОНЗ в базах растет, следовательно, растет проводимость КП, а значит, будет уменьшаться его сопротивление и толщина.

Но рост анодного напряжения сопровождается ростом напряженности электрического поля КП. При определенном значении напряжения (Uа=Uавкл) напряженность поля становиться очень высокой, а толщина КП очень незначительной, в результате чего происходит лавинный пробой КП, анодный ток резко возрастает, базы динистора при этом насыщаются ОНЗ, динистор включается.