- •Лекция №12. Электрические явления в проводниках и полупроводниках.
- •I.Классическая теория электропроводности металлов.
- •II.Контактная разность потенциалов.Термоэлектричество.
- •1. До соприкосновения:
- •2. Момент соприкосновения:
- •3. После соприкосновения.
- •III.Полупроводники и их свойства.
- •IV.Собственная и примесная проводимости полупроводников.
- •V.Контакт двух полупроводников.
- •VI.Применение полупроводников.
V.Контакт двух полупроводников.
Граница соприкосновения двух полупроводников с различными n и р – типами проводимости называют p – n переходом. При p – n переходе в результате перемещения электронов из n в р – полупроводник (т.к. Ар > An) и дырок в обратном направлении образуется двойной электрический слой (это равносильно подключению батареи Ек).
прямое напряжение
|
Приложим к n – p полупроводникам напряжение. Внешнее поле, созданное Евн уменьшит поле контакта Ек, т.е. облегчит передвижение свободных носителей заряда в этой области. Ток будет больше. |
обратное напряжение
|
Внешнее поле, созданное Евн увеличит поле внутри контакта (Ек) т.е. сопротивление этой области для подвижных носителей заряда становится большим и ток проводимости резко уменьшается. |
|
Статическая вольтамперная характеристика n – p перехода имеет вид на рисунке. ОА – прямое напряжение ОВ – обратное напряжение ВС – пробой контактного слоя |
VI.Применение полупроводников.
Полупроводниковые выпрямители (диоды).
Диоды: точечные (точечный контакт кристалла и проводника Ge или Si с металлической проволокой);
плоскостные (контакт путем наплавки на Ge или Si индия).
Полупроводниковые усилители – транзисторы (триоды).
Термосопротивления (термисторы).
Фотосопротивления.
Полупроводниковые фотоэлементы.