Литература.
Д.В.Сивухин. Общий курс физики. Т.3. Электричество. «ФИЗМАТЛИТ», М., 2002.
С.Г.Калашников. Электричество. «ФИЗМАТЛИТ», М., 2003.
К.В.Шалимова. Физика полупроводников. «Энергоатомиздат», М.1985.
Г.И.Епифанов. Физические основы микроэлектроники. «Советское радио», М., 1971.
С.М.Зи. Физика полупроводниковых приборов. «Мир», М., 1984 г.
Контрольные вопросы
В чём отличие металлов, диэлектриков и полупроводников с точки зрения зонной теории?
Типы носителей заряда в полупроводниках. Объясните понятия «Эффективная масса» и «дырка».
Собственный полупроводник. Объясните механизм собственной проводимости с точки зрения зонной теории.
Примесные полупроводники. Элементы каких групп периодической системы Менделеева являются донорами, а каких – акцепторами в элементарных полупроводниках: кремнии и германии? Приведите примеры.
Объясните механизм донорной проводимости с точки зрения зонной теории.
Объясните механизм акцепторной проводимости с точки зрения зонной теории.
Распределения Ферми и Больцмана, Вырожденный и невырожденный полупроводники. Энергия (уровень) Ферми.
Качественно изобразите графики функций распределения Ферми - Дирака и Максвелла - Больцмана.
Качественно изобразите положение уровня Ферми в невырожденном и вырожденном полупроводниках.
Качественно изобразите и объясните температурную зависимость концентрации основных носителей в примесном полупроводнике.
Качественно изобразите и объясните температурную зависимость подвижности в примесном полупроводнике.
Качественно изобразите и объясните температурную зависимость удельной электропроводности примесном полупроводнике.
В чем отличия температурных зависимостей удельной электропроводности невырожденных кремния и германия, легированными донорной примесью.
Метод определения ширины запрещенной зоны полупроводника по температурной зависимости электропроводности.
Использованная в работе методика измерения ширины запрещенной зоны полупроводника. Последовательность действий.
В каком полупроводнике в области собственной проводимости увеличение концентрации носителей с температурой происходит быстрее: в кремнии, германии или арсениде галлия и почему?
Объясните, как определяется ширина запрещённой зоны из измерений температурной зависимости электропроводности.
Объясните, как можно определить глубину залегания донорного уровня в полупроводнике n-типа проводимости.
Объясните, как можно определить глубину залегания акцепторного уровня в полупроводнике p-типа проводимости.
Можно ли по результатам измерения температурной зависимости удельной электропроводности в невырожденных донорных полупроводников n-Si и n-Ge в диапазоне температур от 273 K до 373 K отличить один полупроводник от другого.