- •Введение
- •Лабораторная работа “Измерение ватт-амперных характеристик инжекционного лазера при различных температурах”
- •Относительная спектральная характеристика инжекционного лазера
- •Диаграмма направленности инжекционного лазера
- •Ватт-амперные характеристики инжекционного лазера при различных температурах
- •Зонная диаграмма инжекционного квантоворазмерного InGaAsP/InPлазера
- •Инжекционный лазер с резонатором Фабри-Перо
- •Инжекционный лазер с распределенной обратной связью
- •Внешний вид волоконно-оптического лазерного модуля
- •Конструкция волоконно-оптического лазерного модуля
- •Блок-схема лабораторной установки
- •Лабораторная работа “Измерение фотоэлектрических характеристик p-I-nфотодиода”
- •Вольт-амперные характеристики p-I-nфотодиода при различных уровнях мощности оптического излучения
- •Энергетическая характеристика p-I-nфотодиода
- •Относительная спектральная характеристика монохроматической чувствительности p-I-nфотодиода
- •CтруктураInGaAs/InPp-I-nфотодиода и его зонная диаграмма
- •Относительная спектральная характеристика InGaAs/ InP p-I-nфотодиода
- •Внешний вид волоконно-оптического фотодиодного модуля
- •Зависимость темнового тока InGaAs/InP p-I-nфотодиода от напряжения обратного смещения
- •Блок-схема лабораторной установки
- •Лабораторная работа “Измерение амплитудно-частотной характеристики p-I-nфотодиода”
- •Переходные характеристики p-I-nфотодиода
- •Частотная характеристика p-I-nфотодиода
- •Зависимость предельной частоты InGaAs/InPp-I-nфотодиода от толщины поглощающегоi-слоя при различных диаметрах фоточувствительной области
- •Эквивалентная электрическая схема p-I-nфотодиода
- •Блок-схема лабораторной установки
- •Лабораторная работа “Измерение фотоэлектрических характеристик лавинного фотодиода”
- •Вольт-амперные характеристики лавинного фотодиода в темновом режиме и при освещении, а также вольтовая характеристика коэффициента умножения
- •Структура InGaAs/InPлавинного фотодиода
- •Блок-схема лабораторной установки
- •Лабораторная работа “Измерение токовой характеристики силы излучения светодиода”
- •Энергетические и фотометрические величины оптического излучения
- •Относительная спектральная характеристика светодиода
- •Диаграмма направленности светодиода
- •Токовые характеристики силы излучения (силы света) в максимуме диаграммы направленности светодиода при различных температурах
- •Поперечное сечение светодиода
- •Внешний вид 5 мм светодиода
- •Относительная спектральная характеристика квантоворазмерного GaAlAs суперяркого красного светодиода
- •Диаграмма направленности квантоворазмерного GaAlAs суперяркого красного светодиода
- •Блок-схема лабораторной установки
- •Спектральная характеристика кремниевого p-I-nфотодиода
- •Относительная спектральная характеристика монохроматической чувствительности глаза человека
- •Оценка погрешностей результатов измерений
- •Значение коэффициента Стьюдента tдля случайной величиныX, имеющей распределение Стьюдента с (n-1) степенями свободы
- •Ряд экспериментальных значений
- •Ряд случайных отклонений результатов
- •Литература
Инжекционный лазер с резонатором Фабри-Перо
Инжекционный лазер с распределенной обратной связью
Схема включения лазерного диода: а) на низких или высоких частотах, б) в СВЧ диапазоне
Объект исследования
В данной лабораторной работе исследуется волоконно-оптический лазерный модуль, который представляет собой кристалл инжекционного квантоворазмерного InGaAsP/InP лазера с распределенной обратной связью, соединенный с одномодовым оптическим волокном и помещенный в герметичный металлический корпус (Рис. 4.1.). Для стабилизации температуры и мощности излучения инжекционного лазера внутри металлического корпуса устанавливается элемент Пельте с терморезистором и фотодиод обратной связи (Рис. 4.2.). Центральная длина волны излучения волоконно-оптического лазерного модуля равна 1550 нм. Резонатор на основе распределенных брэгговских отражателей обеспечивает одномодовый режим работы лазера с подавлением побочных мод более 40 дБ и шириной спектра излучения менее 0.01 нм. Исследуемый волоконно-оптический лазерный модуль предназначен для волоконно-оптических систем связи и измерительных систем.
Внешний вид волоконно-оптического лазерного модуля
Конструкция волоконно-оптического лазерного модуля
Описание лабораторной установки и методов измерения
Рис. 5.1. показывает блок-схему лабораторной установки, в состав которой входят:
стенд для измерения ватт-амперных характеристик инжекционного лазера при различных температурах;
вольтметр универсальный портативный В7-58/2;
персональный компьютер с COM-портом и с интерфейсной программой, управляющей работой стенда.
1 – порт управления стендом
2 – клемма заземления
3 – разъем питания
4 – входной ВЧ разъем лазерного диода
5 – выходной электрический разъем фотодиода
6 – выходной оптический разъем лазерного диода
7 – входной оптический разъем фотодиода
Блок-схема лабораторной установки
Лабораторная установка позволяет измерять мощность Poptизлучения лазерного модуля в зависимости от установленного интерфейсной программой тока накачкиILD и температурыTLD. Излучение лазера по одномодовому волоконно-оптическому кабелю поступает на фотодиод с известным темновым токомIdи монохроматической токовой чувствительностьюSна длине волны излучения лазера. НапряжениеUoutна сопротивлении нагрузкиRLфотодиода измеряется с помощью вольтметра. Так как потери в оптическом волокне для длины волны 1550 нм составляют величину менее 0.2 дБ/км, то при длине кабеле в несколько метров ими можно пренебречь. В этом случае мощность излучения лазерного модуля может быть определена по следующей формуле:
. (1.1)
В стенде лабораторной установки сопротивление нагрузки RLфотодиода равняется 56.2 Ом, чувствительностьS фотодиода на длине волны 1550 нм равняется 1.1 А/Вт, темновой токIdфотодиода при напряжении смещения -5 В равняется 5 пА.
Лабораторная установка включается в следующем порядке:
Заземлить стенд, вольтметр и персональный компьютер.
Подсоединить стенд к COM-порту компьютера с помощью ноль модемного кабеля.
Подключить блок питания к стенду при нахождении кнопки включения стенда в положении “Выкл.”.
Подключить блок питания стенда к электрической сети 100-240 В, 50/60 Гц.
Включить стенд (перевести кнопку включения стенда в положение “Вкл.”). Индикатор на кнопке включения стенда указывает на наличие напряжения питания на стенде.
Включить компьютер и запустить интерфейсную программу, управляющую стендом.
Выбрать в интерфейсной программе номер COM-порта, к которому подключен стенд, и произвести соединение интерфейсной программы со стендом нажатием кнопки “F9” на клавиатуре компьютера. Интерфейсная программа произведет диагностику работы стенда и при успешном соединении выведет сообщение “Соединение сCOMxустановлено”, где “х” – номерCOM-порта, к которому подключен стенд.
Если самодиагностика стенда не выявила ошибок, то включить вольтметр и подключить его к выходному электрическому разъему фотодиода на стенде.
Соединить выходной оптический разъем лазерного диода с входным оптическим разъемом фотодиода с помощью одномодового волоконно-оптического кабеля.
Порядок выполнения работы
Ознакомиться с составом лабораторной установки.
Включить приборы в указанном выше порядке.
Ознакомиться с работой интерфейсной программы.
Установить при помощи интерфейсной программы температуру лазерного диода 20°С и напряжение питания фотодиода -5 В.
Установить при помощи интерфейсной программы ток накачки лазерного диода 0 мА. Подождать пока не установится постоянное значение напряжения на сопротивлении нагрузки фотодиода.
Измерить напряжение Uoutна сопротивлении нагрузкиRLфотодиода с помощью вольтметра. Записать результат измерения напряжения.
Повторить измерение по пп.Рис. 6.5.-Рис. 6.6. для различных токов накачки в диапазоне от нуля до максимального значения, установленного интерфейсной программой.
Повторить измерения по пп.Рис. 6.5.-Рис. 6.7. для значений температур 30, 40 и 50°С.
Для уменьшения ошибок измерений повторить измерения не менее 5 раз.
Произвести обработку экспериментальных данных и оценить случайную погрешность измерения мощности Poptизлучения лазерного диода, рассчитываемую по формуле 1.5(1.1), для доверительной вероятностиP= 0.95, при этом значения сопротивления нагрузкиRL, чувствительностиS и темнового токIdфотодиода считать постоянными величинами.
Построить ватт-амперные характеристики лазерного диода для температур 20, 30, 40 и 50°С.
Построить зависимость крутизны ватт-амперной характеристики лазерного диода от температуры.
Построить зависимость порогового тока лазерного диода от температуры.
Содержание отчета
Отчет о проделанной лабораторной работе должен содержать:
название работы, ф.и.о. студента и номер группы;
таблицы с экспериментальными данными;
обработку экспериментальных данных;
ватт-амперные характеристики инжекционного лазера при различных температурах;
график зависимости крутизны ватт-амперной характеристики лазерного диода от температуры;
график зависимости порогового тока лазерного диода от температуры;
выводы.