- •Введение
- •Лабораторная работа “Измерение ватт-амперных характеристик инжекционного лазера при различных температурах”
- •Относительная спектральная характеристика инжекционного лазера
- •Диаграмма направленности инжекционного лазера
- •Ватт-амперные характеристики инжекционного лазера при различных температурах
- •Зонная диаграмма инжекционного квантоворазмерного InGaAsP/InPлазера
- •Инжекционный лазер с резонатором Фабри-Перо
- •Инжекционный лазер с распределенной обратной связью
- •Внешний вид волоконно-оптического лазерного модуля
- •Конструкция волоконно-оптического лазерного модуля
- •Блок-схема лабораторной установки
- •Лабораторная работа “Измерение фотоэлектрических характеристик p-I-nфотодиода”
- •Вольт-амперные характеристики p-I-nфотодиода при различных уровнях мощности оптического излучения
- •Энергетическая характеристика p-I-nфотодиода
- •Относительная спектральная характеристика монохроматической чувствительности p-I-nфотодиода
- •CтруктураInGaAs/InPp-I-nфотодиода и его зонная диаграмма
- •Относительная спектральная характеристика InGaAs/ InP p-I-nфотодиода
- •Внешний вид волоконно-оптического фотодиодного модуля
- •Зависимость темнового тока InGaAs/InP p-I-nфотодиода от напряжения обратного смещения
- •Блок-схема лабораторной установки
- •Лабораторная работа “Измерение амплитудно-частотной характеристики p-I-nфотодиода”
- •Переходные характеристики p-I-nфотодиода
- •Частотная характеристика p-I-nфотодиода
- •Зависимость предельной частоты InGaAs/InPp-I-nфотодиода от толщины поглощающегоi-слоя при различных диаметрах фоточувствительной области
- •Эквивалентная электрическая схема p-I-nфотодиода
- •Блок-схема лабораторной установки
- •Лабораторная работа “Измерение фотоэлектрических характеристик лавинного фотодиода”
- •Вольт-амперные характеристики лавинного фотодиода в темновом режиме и при освещении, а также вольтовая характеристика коэффициента умножения
- •Структура InGaAs/InPлавинного фотодиода
- •Блок-схема лабораторной установки
- •Лабораторная работа “Измерение токовой характеристики силы излучения светодиода”
- •Энергетические и фотометрические величины оптического излучения
- •Относительная спектральная характеристика светодиода
- •Диаграмма направленности светодиода
- •Токовые характеристики силы излучения (силы света) в максимуме диаграммы направленности светодиода при различных температурах
- •Поперечное сечение светодиода
- •Внешний вид 5 мм светодиода
- •Относительная спектральная характеристика квантоворазмерного GaAlAs суперяркого красного светодиода
- •Диаграмма направленности квантоворазмерного GaAlAs суперяркого красного светодиода
- •Блок-схема лабораторной установки
- •Спектральная характеристика кремниевого p-I-nфотодиода
- •Относительная спектральная характеристика монохроматической чувствительности глаза человека
- •Оценка погрешностей результатов измерений
- •Значение коэффициента Стьюдента tдля случайной величиныX, имеющей распределение Стьюдента с (n-1) степенями свободы
- •Ряд экспериментальных значений
- •Ряд случайных отклонений результатов
- •Литература
Блок-схема лабораторной установки
Лабораторная установка позволяет измерять силу излучения Iеmaxсветодиода в максимуме диаграммы направленности в зависимости от установленного интерфейсной программой токаILEDчерез светодиод. Излучение светодиода через коллиматор попадает на кремниевыйp-i-nфотодиод с известной спектральной характеристикой (Рис. 5.2.), причем ось симметрии светодиода и коллиматора совпадают. НапряжениеUoutна сопротивлении нагрузкиRLфотодиода измеряется с помощью вольтметра. Так как фотодиод регистрирует оптическое излучение в пределах телесного угла, определяемого площадьюAего фоточувствительной области и расстояниемLдо светодиода, то сила излученияIеmaxсветодиода в максимуме диаграммы направленности излучения может быть определена по следующей формуле:
, (1.1)
(1.2)
где S*– интегральная чувствительность кремниевогоp-i-nфотодиода к излучению исследуемого светодиода,S() – спектральная характеристика монохроматической токовой чувствительности кремниевогоp-i-nфотодиода (Рис. 5.2.),P0() – относительная спектральная характеристика светодиода (Рис. 4.2.).
Спектральная характеристика кремниевого p-I-nфотодиода
Зная силу излучения светодиода в максимуме диаграммы направленности и его спектральную характеристику можно определить силу света в максимуме диаграммы направленности светодиода:
, (2.1)
где K– видность излучения светодиода, определяющая световой эквивалент потока излучения светодиода, то есть она характеризует эффективность воздействия энергии излучения светодиода на глаз человека. Для нормального дневного зрения на длине волны, соответствующей максимальной чувствительности глаза (555 нм), мощность излучения 1 Вт эквивалентна световому потоку величиной 683 лм, то естьК555= 683 лм/Вт. Для немонохроматического излучения светодиода видностьKопределяется выражением:
,(2.2)
где V() –относительная спектральная характеристика чувствительности глаза человека (Рис. 5.3.).
Относительная спектральная характеристика монохроматической чувствительности глаза человека
В стенде лабораторной установки сопротивление нагрузки RLфотодиода равняется 10 кОм, площадьAфоточувствительной области кремниевогоp-i-n фотодиода равна 7.5 мм2, длинаLколлиматора (расстояние между светодиодом и фотодиодом) равна 8.5 см. В спектральном диапазоне излучения исследуемого светодиода от 615 до 703 нм относительная спектральная характеристика монохроматической чувствительности глаза человекаV(), относительная спектральной характеристика светодиодаP0(), и спектральная характеристика чувствительностиS() кремниевогоp-i-nфотодиода аппроксимируются следующими функциями:
, (3.1)
, (3.2)
, (3.3)
где длина волны выражается в микрометрах.
Лабораторная установка включается в следующем порядке:
Заземлить стенд, вольтметр и персональный компьютер.
Подсоединить стенд к COM-порту компьютера с помощью ноль модемного кабеля.
Подключить блок питания к стенду при нахождении кнопки включения стенда в положении “Выкл.”.
Подключить блок питания стенда к электрической сети 100-240 В, 50/60 Гц.
Включить стенд (перевести кнопку включения стенда в положение “Вкл.”). Индикатор на кнопке включения стенда указывает на наличие напряжения питания на стенде.
Включить компьютер и запустить интерфейсную программу, управляющую стендом.
Выбрать в интерфейсной программе номер COM-порта, к которому подключен стенд, и произвести соединение интерфейсной программы со стендом нажатием кнопки “F9” на клавиатуре компьютера. Интерфейсная программа произведет диагностику работы стенда и при успешном соединении выведет сообщение “Соединение сCOMxустановлено”, где “х” – номерCOM-порта, к которому подключен стенд.
Если самодиагностика стенда не выявила ошибок, включить вольтметр и подключить его к выходному электрическому разъему фотодиода на стенде.
Порядок выполнения работы
Ознакомиться с лабораторной установкой.
Включить приборы в указанном выше порядке.
Ознакомиться с работой интерфейсной программы.
С помощью относительной спектральной характеристики светодиода (Рис. 4.2.), аппроксимируемой функцией 5.5(3.2), и спектральной характеристики чувствительности кремниевого p-i-nфотодиода (Рис. 5.2.), аппроксимируемой функцией 5.5(3.3), рассчитать по формуле 5.5(1.2) интегральную чувствительностьS*кремниевогоp-i-nфотодиода к излучению исследуемого светодиода.
Установить при помощи интерфейсной программы напряжение питания фотодиода -5 В.
Установить при помощи интерфейсной программы ток светодиода 0 мА.
Измерить напряжение Uoutна сопротивлении нагрузкиRLфотодиода с помощью вольтметра. Записать результат измерения напряжения.
Повторить измерение по пп. Рис. 6.6.-Рис. 6.7. для различных токов через светодиод в диапазоне от максимального до минимального значения, установленного интерфейсной программой.
Для уменьшения ошибок измерений повторить измерения не менее 5 раз.
Произвести обработку экспериментальных данных и оценить случайную погрешность измерения силы излучения Iemaxв максимуме диаграммы направленности светодиода, рассчитываемую по формуле 5.5(1.1), для доверительной вероятностиP= 0.95, при этом значения сопротивления нагрузкиRL, интегральной чувствительностиS*и площадьAфоточувствительной области фотодиода, а также расстояниеLмежду светодиодом и фотодиодом, считать постоянными величинами.
Построить токовую характеристику силы излучения Iemaxв максимуме диаграммы направленности светодиода.
С помощью относительной спектральной характеристики светодиода (Рис. 4.2.), аппроксимируемой функцией 5.5(3.2), и относительной спектральной характеристики монохроматической чувствительности глаза человека (Рис. 5.3.), аппроксимируемой функцией 5.5(3.1), рассчитать по формуле 5.5(2.2) видность Kизлучения светодиода, определяющую световой эквивалент потока излучения светодиода.
С помощью формулы 5.5(2.1) построить токовую характеристику силы света Imaxв максимуме диаграммы направленности светодиода.
Содержание отчета
Отчет должен содержать:
название работы, ф.и.о. студента и номер группы;
таблицы с экспериментальными данными;
обработку экспериментальных данных;
значение интегральной чувствительности кремниевого p-i-nфотодиода к излучению исследуемого светодиода;
токовую характеристику силы излучения в максимуме диаграммы направленности светодиода;
значение видности излучения светодиода;
токовую характеристику силы света в максимуме диаграммы направленности светодиода;
выводы.