- •Введение
- •Лабораторная работа “Измерение ватт-амперных характеристик инжекционного лазера при различных температурах”
- •Относительная спектральная характеристика инжекционного лазера
- •Диаграмма направленности инжекционного лазера
- •Ватт-амперные характеристики инжекционного лазера при различных температурах
- •Зонная диаграмма инжекционного квантоворазмерного InGaAsP/InPлазера
- •Инжекционный лазер с резонатором Фабри-Перо
- •Инжекционный лазер с распределенной обратной связью
- •Внешний вид волоконно-оптического лазерного модуля
- •Конструкция волоконно-оптического лазерного модуля
- •Блок-схема лабораторной установки
- •Лабораторная работа “Измерение фотоэлектрических характеристик p-I-nфотодиода”
- •Вольт-амперные характеристики p-I-nфотодиода при различных уровнях мощности оптического излучения
- •Энергетическая характеристика p-I-nфотодиода
- •Относительная спектральная характеристика монохроматической чувствительности p-I-nфотодиода
- •CтруктураInGaAs/InPp-I-nфотодиода и его зонная диаграмма
- •Относительная спектральная характеристика InGaAs/ InP p-I-nфотодиода
- •Внешний вид волоконно-оптического фотодиодного модуля
- •Зависимость темнового тока InGaAs/InP p-I-nфотодиода от напряжения обратного смещения
- •Блок-схема лабораторной установки
- •Лабораторная работа “Измерение амплитудно-частотной характеристики p-I-nфотодиода”
- •Переходные характеристики p-I-nфотодиода
- •Частотная характеристика p-I-nфотодиода
- •Зависимость предельной частоты InGaAs/InPp-I-nфотодиода от толщины поглощающегоi-слоя при различных диаметрах фоточувствительной области
- •Эквивалентная электрическая схема p-I-nфотодиода
- •Блок-схема лабораторной установки
- •Лабораторная работа “Измерение фотоэлектрических характеристик лавинного фотодиода”
- •Вольт-амперные характеристики лавинного фотодиода в темновом режиме и при освещении, а также вольтовая характеристика коэффициента умножения
- •Структура InGaAs/InPлавинного фотодиода
- •Блок-схема лабораторной установки
- •Лабораторная работа “Измерение токовой характеристики силы излучения светодиода”
- •Энергетические и фотометрические величины оптического излучения
- •Относительная спектральная характеристика светодиода
- •Диаграмма направленности светодиода
- •Токовые характеристики силы излучения (силы света) в максимуме диаграммы направленности светодиода при различных температурах
- •Поперечное сечение светодиода
- •Внешний вид 5 мм светодиода
- •Относительная спектральная характеристика квантоворазмерного GaAlAs суперяркого красного светодиода
- •Диаграмма направленности квантоворазмерного GaAlAs суперяркого красного светодиода
- •Блок-схема лабораторной установки
- •Спектральная характеристика кремниевого p-I-nфотодиода
- •Относительная спектральная характеристика монохроматической чувствительности глаза человека
- •Оценка погрешностей результатов измерений
- •Значение коэффициента Стьюдента tдля случайной величиныX, имеющей распределение Стьюдента с (n-1) степенями свободы
- •Ряд экспериментальных значений
- •Ряд случайных отклонений результатов
- •Литература
Относительная спектральная характеристика инжекционного лазера
Современные инжекционные лазеры на основе соединений AIIIBV,AIIBVIиAIVBVIи их твердых растворов, работающие при комнатной температуре, перекрывают спектральный диапазон длин волн от 0.38 мкм до 4.5 мкм. Типичные значения ширины спектра излучения1/2для современных инжекционных лазеров с резонатором Фабри-Перо составляют 0.33 нм, а для инжекционных лазеров с распределенной обратной связью – 0.0010.01 нм.
Диаграмма направленностиотражает зависимость силы излучения инжекционного лазера от направления излучения (Рис. 2.4.).
Угол излучения в плоскости p-n перехода||– плоский угол, содержащий фотометрическую ось, лежащий в плоскостиp-nперехода и образуемый направлениями, в которых сила излучения составляет не менее половины максимальной.
Угол излучения в плоскости, перпендикулярной к p-n переходу– плоский угол, содержащий фотометрическую ось, лежащий в плоскости, перпендикулярной кp-nпереходу и образуемый направлениями, в которых сила излучения составляет не менее половины максимальной.
Диаграмма направленности инжекционного лазера
В связи с малыми размерами объемного резонатора направленность излучения инжекционных лазеров получается невысокой, причем различной в плоскости p-nперехода и в плоскости перпендикулярной кp-nпереходу. Типичные значения углов излучения||в плоскостиp-nперехода для современных инжекционных лазеров составляют порядка 110°, а для углов излученияв плоскости, перпендикулярной кp-nпереходу, – порядка 1040°. Следует отметить, что, если инжекционный лазер изготовлен в виде модуля с оптоволоконным выводом, то диаграмма направленности теряет смысл и не приводится в характеристиках к лазерному модулю. Вместо нее приводят тип оптического волокна, состыкованного с инжекционным лазером, и тип волоконно-оптического разъема на конце оптоволоконного вывода.
Ватт-амперная характеристика отражает зависимость выходной мощности излучения инжекционного лазера от тока накачки (Рис. 2.6.).
Пороговый ток Ith – ток накачки, при превышении которого излучение инжекционного лазера становится когерентным.
Крутизна ватт-амперной характеристикиηопределяет эффективность модуляции мощности излученияPoptинжекционного лазера током накачкиILDи равняется:
. (5.1)
Типичные значения порогового тока для современных инжекционных лазеров составляют единицы миллиампер. Типичные значения крутизны ватт-амперной характерстики для современных инжекционных лазеров лежат в пределах 0.050.3 Вт/А. В общем случае, при увеличении температуры пороговый ток увеличивается, а крутизна ватт-амперной характеристики уменьшается.
Ватт-амперные характеристики инжекционного лазера при различных температурах
Фотоэлектрические процессы в инжекционном лазере
Наиболее распространенным типом полупроводниковых лазеров являются инжекционные лазеры (их также называют лазерными диодами), в которых лазерная активная среда возникает в результате инжекции свободных носителей заряда в область p-nперехода. Под действием напряжения прямого смещения уменьшается высота потенциального барьера p-nпереход, и в область перехода инжектируются основные носители (Рис. 3.1.). При небольших токах инжекции излучение определяется исключительно спонтанными переходами из зоны проводимости в валентную зону. Такое некогерентное излучение называется люминесценцией. Некоторая часть фотонов движется вдольр-nперехода и может вызвать акты индуцированного излучения. При больших токах инжекции доля индуцированного излучения возрастает и наблюдается эффект суперлюминесценции. Он проявляется в увеличении интенсивности излучения в плоскостир-nперехода. Спектр излучения по-прежнему широк, однако он становится неравномерным, с большим числом максимумов и минимумов. Поместив активную среду в резонатор, можно увеличить плотность мощности излучения и получить когерентное излучение.