11.1.2.2. Методы выращивания лазерных кристаллов из высокотемпературных растворов

Классификация растворных методов выращивания кристаллов 33 обычно ведется:

1) по характеру перемешивания раствора (динамический и ста­тический)

Рис.11.1.2.4. Температурные зависимости вязкости растворов состава: (п - относительные показания шкалы прибора); 1 - Ba₂О₃; 2 78% ВаО х 22% Ba₂О₃

Оптимальные условия роста кристалла подразумевают сохранение и течение всего процесса равномерного диффузионного слоя в зоне кристаллизации. С этой целью применяются различные способы перемешивания раствора за счет вращения кристалла затравки, тигля, покачивания кристаллизатора, применения реверсных режимов вращения или покачивания. Применение интенсивного перемешивания до определенного предела скорость роста кристаллов (при одном и том же пресыщении), резко снижает концентрацию объемных дефектов, связанных с захватом растворителя растущими гранями, гомогенизирует весь объем системы позволяя осуществлять рост во всех ее частях в одинаковых условиях. В тоже время нельзя не отметить недостатков динамического режима, связанного с осуществлением технологических операций в условиях высоких температур и токсичных реагентов.

Рис. 11.1.2.5. Температурные зависимости вязкости растворителей состава: (+) - ВаB₂О_4; (o) - 0,62 BaO x 0,38 Ba₂О₃; (х) - 0,5 BaO x 0,09 BaF₂; (▀) - 0,41 BaO x 0,41 Ba₂О₃ х 0,18 BaF₂; (•) – 0,35BaO x 0,41 Ba₂О₃ x 0,24 BaF₂

2) В зависимости от используемой технологии и применяемой методике может отсутствовать или дополнительное введение кристаллизуемого вещества в систему;

3) По изменению температуры в ходе процесса выращивания: изотермический температурный профиль системы в процессе роста не меняется и политермический –температура изменяется по заданной программе.

При выращивании лазерных кристаллов методика с постоянным испарением растворителя обычно не применяется, в то время как метод переноса дает хорошие результаты. В этом случае использование конвекционного переноса вещества при наличии двух зон с постоянной разностью температур между ними обеспечивает равномерную по времени и регулируемую по величине подпитку зоны кристаллизации материалом выращиваемого кристалла.

Рис. 11.1.2.6. Температурные зависимости вязкости растворов состава: о - 30% Y₃Al₅O₁₂ в 0,5 BaO x 0,41 Ba₂О₃ х 0,09 BaF₂; + - 30% Y₃Al₅O₁₂ в 0,41 BaO х 0,41 Ba₂О₃ х 0.18 BaF₂

В ниж­нюю часть платинового тигля помещают поликристаллический лом исходного вещества (рис. 11.1.2.3). Тигель находится в двухзонной пе­чи с таким распределением температур, которое обеспечивает эффек­тивное перемещение насыщенного раствора из нижней части в верх­нюю, где он становится вследствие более низкой температуры пере­сыщенным и избыток растворенного вещества осаждается на затра­вочный кристалл.

При политермическом методе выращивания осуществляется плав­ное снижение температуры раствора. Процесс осуществляется в контейнере, в котором заранее составленная смесь предварительно рас­плавляется и гомогенизируется.

Рис. 11.1.2.7. Изотермы вязко­сти для раствора состава:Na₃AlF₆ / Ba₂О₃

Охлаждение ведется либо до темпе­ратуры затвердевания раствора с последующим растворением раство­рителя, либо до температур несколько выше температур плавления растворителя с последующим сливом растворителя.

Для проведения процесса выращивания программная кривая пони­жения температуры должна быть дополнительно скорректирована по следующим соображениям:

а) при росте кристалла потребность в кристаллизуемом веществе вследствие увеличивающейся поверхности растет, программа тем­пература - время должна это учитывать и ускорять охлаждение;

б) во время процесса выращивания может измениться состав расплава вследствие преимущественного испарения одного компонен­та. При сильном испарении растворителя снижение температуры следует замедлять;

в) возрастание вязкости при снижении температуры уменьшает диффузию растворенного вещества к растущему кристаллу. Это можно скомпенсировать более медленным снижением температуры или увеличением степени перемешивания растворителя.

Рис. 11.1.2.8. Температурные зависимости, растворимости граната состава: Y₃Al₅O₁₂

1 - растворитель состава ВаО - Ba₂О₃; 2 - растворитель со­става РbО - Ba₂О₃ –РbF₂

Необходимо, чтобы программа снижения температуры обеспечи­вала скорость роста монокристалла, не превышающую максимальное стабильное значение с достаточным "запасом" на процессы флуктуа­ции и конвекции. С увеличением размеров выращиваемого кристалла максимальная величина стабильной скорости роста уменьшается. Материалы наивысшего качества обычно образуются на последних стадиях процесса охлаждения, когда большие поверхности растущих граней способствуют уменьшению пересыщения. Неоднородный цикл охлаждения, с очень медленным охлаждением в начале процесса, направленным на уменьшение пересыщения, в период, когда площадь поверхности роста еще очень мала, должен повысить совершенство кристаллов. Малые скорости охлаждения в начале процесса будут также уменьшать число зародышей, тем самым увеличивать средний размер растущих кристаллов. Для уменьшения числа возникающих зародышей может оказаться полезным температурное реверсирование с чередованием роста и растворения, так как в период нагре­вания небольшие зародыши полностью растворяются и образуется больше крупных кристаллов.

Рис. 11.1.2.9.. Температурные зависимости растворимости окислов Y₂O_3; Al₂O₂; Cr₂O₃; Nd₂O₃ и грaнaтa состава Y₃ Al₅O₁₂ в растворителе состава РbО x 0,35 В₂О₃ x 1,2 Pb F₂

Большое значение для получения совер­шенных и больших кристаллов имеет контроль температуры при про­ведении всего процесса выращивания лазерных кристаллов. Настоя­щий уровень технических возможностей обеспечивает контроль с точ­ностью 0,1°.,Однако такая точность становится, нерезультативной из-за наличия колебаний температуры (до 0,5°), вызванных конвекционными потоками в статистическом режиме выращивания. Эти колебания температуры могут быть уменьшены использованием динамического способа выращивания, либо принятием спе­циальных мер, например, введением соответствующих перегородок.

4) Методы выращивания из растворов в расплаве можно также классифицировать по наличию или отсутствию определенным образом подготовленных и заранее сориентированных лазерных кристаллов. Таким способом можно создать условно, препятствующее спонтанному образованию зародышей и работы в области наиболее благоприят­ных для роста совершенных кристаллов величин пересыщения (рис.11.1.2.1). Обычно при выращивании лазерных кристаллов для спонтанного обра­зования единичного затравочного кристалла иногда рекомендуется направленный локализованный обдув дна тигля потоком холодного воздуха (рис. 11.1.2.5).Независимо от метода, выращивания процесс роста включает 8 стадий подготовки и перемешивания исходного состава, расплавления и гомогенизации этого состава в тигле, процессы роста и извлечения выросших кристаллов.

Рис. 11.1.2.10. Температурные зависимости растворимости граната состава Y₃ Al₅O₁₂ в растворителе состава: а) 91,4% вес ВаО - 0,6 В₂О₃ + 8,6% вес Y₃ Al₅O₁₂; б) (▀) -0,62 ВаО -0,38 В₂О₃; (•) - 0,5 ВаО - 0,41 В₂О₃ - 0,09 BaF₂; (+) -0,41 ВаО - 0,41 В₂О₃-0,18 ВаF₂

Рис. 11.1.2.11. Температурная зависимость поверхностного натяжения растворов состава:(X)- 0,62 ВаО - 0,38 В₂О₃; (•) – 0,41 ВаО,- 0,41 В₂О₃ - 0,18 BaF₂; (▀) - 0,25 ВаО - 0,41 В₂О₃- 0,34 BaF₂;(▼)- 30°/о Y₃Al₅O₁₂ в 0,41 ВаО - 0,41 В₂О_{3 -} 0,18 BaF₂

В процессах чаще всего используются платино­вые тигли. Особенно важно избегать восстановительных условий в присутствии таких ионов, как В³⁺ и Рb²⁺, которые приводят к разрушению платинового тигля. Условия выращивания лазерных кристаллов сведены в табл. 11.1.2.2. Для выращивания кристаллов ортофосфатов редкоземельных эле­ментов в качестве растворителя можно использовать Pb₂P₂O₇.

Рис. 11.1.2.12. Области стабильного существования Al₂O₃, Y₃Al₅O₁₂ и YalO₃ в растворителе состава РbО X Ba₂О₃

В связи с тем, что полное изучение всей диаграммы системы Ln₂О₃ – Р₂О₅ – Рb₂Р₂О₇ представляет значительные трудности для получения кристаллов LnPO₄, определялась только температурную зависимость растворимости LnPO₄ в расплаве пирофосфата свинца Рb₂Р₂О₇.При выращивании кристаллов LnPO₄ берется смесь, состоящая из редкоземельных оксидов Ln₂О₃ и пирофосфата свинца Рb₂Р₂О₇ в пропорции 4 и 96% вес соответственно. Кристаллы LnPO₄ извлекаются из массы застывшего расплава с помощью вытравливания горячей разбавленной НNO₃. По данной технологии были получены монокристаллы ортофосфатов иттрия, лан­тана, скандия, а также кристаллы СlРО₄ и LnPO₄. Варьи­рованием скорости охлаждения можно получить кристаллы различных размеров. В зависимости от скорости охлаждения расплава наблюда­лись изменения размеров и габитуса получаемых кристаллов.

Рис. 11.1.2.13. Установка для выращивания монокристаллов на затравку: 1 - вал мешалки; 2 - огнеупорный кирпич; 3 - держатель (Pt), 4- затравка; 5 - мешалка ( Pt ); 6 - тигель (Pt ); 7 - нагреватель; 8 - аллундовая трубка с канавкой на поверхности; 9 - алундовый цемент; 10 - изоляция; 11 - шихта; 12 - перегородка; 13-зонa роста; 14 - расплав растворителя; 15 - металлический кожух

Так, например, при скорости охлаждения 5-6 град/ч обычно наблюдалось большое число мелких кристаллов ортофосфатов иттрия, а при уменьшении скорости охлаждения до 0,7-1,0 град/ч получалось 3-4 кристалла, но их размеры существенно возрастали. Из литературы известен метод выращивания CaVO₄ методом движущегося растворителя (табл. 11.1.2.2). Этот метод основан на при-нении перемешивающейся зоны расплавленного растворителя когда раствор находится между двумя блоками выращиваемого вещества.

Рис. 11.1.2.14. Схема кристал­лизационной установки для выращивания кристаллов из раствора в расплаве на затравку:1 - растущий кристалл;2 - тигель; 3 - раствор; 4 - нагреватель; 5 - термо­пара

Градиент температуры обеспечивает разницу концентраций в растворе, причем на горячей границе зоны происходит растворение, на холодной - кристаллизация. Чтобы достичь надежного роста кристалла, в качестве подложки используют совершенную поверхность протравленного монокристалла. Часто раствор наносится напылением тонкого слоя. В экспериментах либо перемещается зона раствора при постоянном температурном градиенте в направлении высокой температуры, либо двигается нагреватель, либо соответственно ампула, причем зона раствора следует этому движению.

Возможно также выращивание монокристаллов, имеющих перетектику с использованием аппаратуры ОЗП. В этом случае прессованная палочка исходного материала делается переменного состава, резко сдвинутого по отношению к перетектической точке, равновесной с составом выращиваемого соединения, что обеспечивает постоянную температуру в зоне кристаллизации. Описан синтез ванадата кальция СаVО₄, путем кристаллизации в гелях. Гель действует как химически инертная высоковязкая среда, замедляющая конвекционные и диффузионные процессы и уменьшающая величину вероятности образовании зародышей. Средой для роста кристалла состава СаVО₄ является гель силиката натрия. Он возникает при взаимодействии раствора силиката натрия (плотность 1,035-1,06) с соляной или уксусной кислотами. Избыток кислоты определяет значение РН геля. Выращивание ведут при комнатной температуре или несколько выше. Скорость роста определяется плотностью геля, концентрацией реагирующих веществ в геле, температурой геля и конструкцией кристаллизационной аппаратуры

Рис. 11.1.2.15. Схема кристаллизационной установки для выращивания кристаллов из раствора в расплаве при внешнем инициировании образования зародыша посредством потока холодного газа (аргона): 1 - растущий кристалл; 2 - тигель с крышкой; 3 - раствор; 4 - нагреватель; 5 - термопара; 6 - поток голодного газа

Таблица 11.1.2.2

Сводная таблица условий выращивания диэлектрических лазерных кристаллов из высокотемпературных растворов

Кристалл (исх. компоненты)	Растворитель (исх. Компоненты)	Способ	Диапазон температуры, оС	Параметр скорости роста	Размер/вес кристалла (мм.г)	Дополнения
1	2	3	4	5	6	7
Al2O3	Na3AlF6	MO	1040-960	1,5o/час	12x12x5, преобладающее направление роста [0001]
Al2O3	Na3AlF6	Г/З	1120-1000	50-200 час	20х20х5
Al2O3	РbO/B2О3, РbF2/ Ba2О3	MO	1200-800		15x10x0,2 листовидные по [0001]
Al2O3	РbF2	-	-	-	30 (пластина)
Al2O3	РbF2	MO	1250	1-2o/час	3г
Al2O3	РbF2	MO/И	1400-100	30-50мм	Верхняя часть тигля более холодная чем нижняя
Al2O3	Bi2O3/РbF2/La2О3	MO	1250-1000	2-8o/час
Al2O3	РbF2/B2О3/La2О3	MO	1250-1000	2-8o/час
Al2O3	РbF2/Bi2О3	MO	1250-1000	2-10o/час	6x6x4
Al2O3	Bi2O3/ V2О5	MO	1300-900	5o/час	5x5x5
Al2O3	РbF2/B2О3	И	1300	20-120 час	Листовидные 4х5х0,2 ,тонкие стержни длиной до 7 при добавке B2О5, дисковидные кристаллы на поверхн. р-ра, Ø57, толщиной 2
Al2O3	Фториды	MO	1200-700	-	6x6x1
Al2O3	Na2O3/TiO2	И	1550	4 час	4x4x1
Al2O3	Pb5O2F6	MO	1260-1000	3o/час	10x10x5
Al2O3	РbO/B2О3	MO	1300-915	2o/час	30 (пластина) 5x5x5
Al2O3	РbO/РbF2	MO	1250-950	0,25-5o/час	1,3мм/сутки
Al2O3	BaF2 /AlF3	MO	1550-1300	0,25-5o/час	1,3мм/сутки
Al2O3	РbO/B2О3	Г(З)	1000	∆Т=50о	0,75мм/сутки
Al2O3(Cr)	РbO/B2О3	MO	1300-600	4o/час	7x7x4 на поверхности гексогональные пластинки
Al2O3	Na2O3/WO3	Г(З)	1200	∆Т=50о	6-8
Al2O3	Sr/ WO3	MO	1500-1100	16o/час	1,5-2
Al2O3(Cr)	РbF2	MO	1400-900	1	30 (пластина) (001) (012) и (104) выше 1250оС отсутствует
Al2O3(Cr)	РbF2	Г/MO	1100	0,5	40х40х12
BaF2	LiF	ВЗ/MO	880-860		10
Ba2MgGe2O7	BaO/Ge2O	ВЗ/MO	1345	1	72г
CaAl12O19 (Pb)	Рb2OF2	MO	1260-1000	3	3х3х3
CaF2	NaCl/NaF	MO	890-760	15	1
CaMo1-xWxO4	NaCl	MO	1200-500	15-18	1-4
CaMoO4	LiCl, CaCl2	MO	1000	0,7	2
CaMoO4	Li2SO4	ДР	835-960	0,2мм/сутки	2
CaMoO4 (Nb205=7.2 мол%	CaF2 CaF2=41,8мол% MgF2=51мол%	MO	1315-915 выдержка при Т=1315-84	3-5	5x5x3	Есть включения
Ca5(PO4)3F	CaF2	MO	1375-1220	2-4	6	Прозрачные призмы
CaWO4	LiCl	MO	700-550	0,2-0,3мм/час	10-12
CaWO4	Флюориты	MO	1200-700		4х3х0,5
CaWO4 (CaWO4)		Г/З	~900	5х10-4/час		Заданное подложкой направление роста [001], ширина зоны плавления~3мм
CaWO4 (CaO)	Na2W2O7 Na2SO4	MO	1100÷ 1250-700	2,5	10х5х5	Иглы, также полн.формы
CaWO4	Na2O/ WO3	MO	1000
CaY2Mg2Ge3O12	CaO/Ge2O/B2O3	ВЗ/MO	1491	0,4	115г
CeF3	CrF2, BaF2	MO	1000-900
εrAl5O12 (Tm)		MO	1300-950
εrSiO5 (Tm)	Li2MoO7		1100
GdAlO3	РbO/РbF2/B2О3	MO/У	1300-950	0,3	20x10x10
GdAlO3 Gd2O3=9,02 Al2O3=2,42	РbO/РbF2 (РbO=57,6г РbF2=38,4г)	И	1200	17суток	4х4х3	Прозрачные кристаллы желтоватого цвета
GdAlO3 81,5г Gd2O3 22,7г Al2O3	Si2O3/ B2О3 642,5г Bi2О3+21,4 B2О3	MO	1340-840	0,7-1,7	5x4x4	Кристаллы темнокоричневого цвета
GdAlO3	РbO/РbF2	MO	1260-1000	3	6x6x3
Nd AlO3 NdO3=20,2г AlO3=6г	РbO/РbF2 РbO=100г РbF2=100г	MO	1280-910	0,7	6-7мм3	Прозрачные кристаллы пурпурного цвета
PrAlO3 PrO3=10г AlO3=3г	РbO/РbF2 РbO=50г РbF2=50г	MO	1285-960	3,5	2-3мм3	Прозрачные кристаллы, большие кристаллы с включениями
Sm AlO3 Sm2O3=35г Al2O3=16,4г	РbO/РbF2 РbO=71г РbF2=103г	МО	1290-960	2,25	2-3мм3	Прозрачные кристаллы светло-желтого цвета
TbAl2O3 Tb2O3=10г Al2O3=2,4г	РbO/РbF2 РbO=58г РbF2=38,4г	И	1207	21сутки	2-3мм3	Прозрачные кристаллы
DyAl2O3 Dy2O3=5,6г Al2O3=1,7г	РbO РbO=80,2г	И	1260	10 суток	2-3мм3	Прозрачные кристаллы желтоватого цвета
YalO3	РbO/РbF2 РbO=70г РbF2=14г	И	1260	10 суток	2мм3	Прозрачные бесцветные кристаллы
GdAlO3	РbO/РbF2/B2О3	MO/У	1300-900	0,3-0,6	35x30x25	Линейная скорость роста 20нм/с
Gd3Al5O12	РbO/B2О3	MO	1300-1000	2	7,5
Gd3Ga5O12	РbF2/РbO	MO	1240-900		1,2г
Gd2(Mo4)3	MoO3	ВЗ/MO	1184	0,1	12г
LaAlO3	РbO/РbF2	И	1280	6 суток	3
LaAlO3	РbO/РbF2/B2О3/V2О5	MO	1300-980	0,5	11х9х6
LaAlO3	РbO/РbF2	MO	1200-800	1,5-2	10
LaNbO4	РbF2	MO	1200-900	3	5
La2O3	NaCl	MO	1000	50-80	маленькие
Al2O3(Cr)	Bi2О3+BiF3+ La2O3 Bi2О3+PbF+La2O3	MO	1250-1000 при 1250(1-4)часа	2-4	Ромбоэдрический с малым кол-м включений
Al2O3(Cr)	РbO/B2О3/РbF2 или РbF2	MO З	1400 1000	1	10-12мм
MgO	KOH	MO	600-200	5-40	1
MgO	РbF2	МО			3
MgO	Na2O/ WO3/ P2O5	Г	1300-1200	6суток	5х2х2
MgO	РbF2	МО	1230	0,3мм/сутки	1см3
Na5Nd(WO4)4	Na2WO4	МО	1100-700	5	0,1
LnAlO3 (Ln=Dy-Lu)	NaOH	НО	1200	4 час	Маленькие	При наличии давления
LnAlO3	Рb2OF2	МО	1260-1000	3	6х6х3
LnAlO3	РbO	МО	1300-850	30	1
LnAlO3	РbO/РbF2/B2О3	МО	1290-800	2	3-6
LnAlO3	Bi2О3/ B2О3	МО	1315-815	2	3-6
Ln3Al5O12	РbO/РbF2	МО	1250-1000	4,2	2-10
Ln3Al5O12(Cr)	РbO/РbF2/B2О3	МО	1300-950	0,25-2
Ln3Al5O12	РbF2 /РbO	И	1250	100г	8х8х8
LnF3	BeF2	МО	1100		Маленькие
LnGa5O12	РbO/РbF2	МО	1250-1000	4,2	2-10
LnLiF4	LiF	МО	800-900	0,5-2	20х20х100
LnSeO3	PbO		1300-850	30	1
LnVO4	V2O5	МО	1000		10
LnVO4	Pb2V2O7	МО	1300-950	2-4	6х0,5х0,1
SrAl12O19 (Pb)	Рb2OF2	МО	1260-1000	3	3х3х3
SrMoO4	LiCl,SrCL2	МО	800	0,7	4
SrWO4	SrCl2	МО	1000,1200	2ч	Маленькие
SrWO	LiCl	МО	700-800		Маленькие
SrWO4	Na2W2O7	И	1100-1250-700	2,5	10х5х5
YalO3	РbO/РbF2	МО	1260	10суток	2
Yal5O12 V2O3=720г Al2O3=1220г Nd2O3=253г	РbO/РbF2/B2О3 PbO=3556г PbF2=4346г B2О3=279г		1300-950	0,5	150г
Y3Al5O12	BaOx0,6 B2О3	MO	1125-835		1х1х1
Y3Al5O12	BaO/B2О3	ВЗ/MO	1463	0,5	8г
Y3Al5O12	РbO/РbF2	MO	1150-800	4,3	1,5г
Y3Al5O12	РbF2/РbO	MO/И	1150	4,3
Y3Al5O12	РbOF2	MO	1260-1000	1	2,5г
Y3Al5O12(Nd)	РbO/РbF2/B2О3 PbO=44%вес PbF2=53% вес B2О3=3% вес	MO	1300-950	1
Y3Al5O12	РbO/РbF2/B2О3	MO	1250-950	1	10х7х7
Y3Al5O12	РbO/B2О3	MO	1300
Y3Al5O12	РbO/B2О3	MO	1300-850	3-5	Большие
Y3Al5O12	РbF2/B2О3	MO	1290	Более 1	7х6х6
Y3Al5O12 (Nd+Cr)	РbO/РbF2/B2О3	MO	1300-1000		25
Y1-xεuVO4	NaYO3	MO	1200
Y2O3	РbF2	MO	1200-900	3	5
Y2SiO5	Li2Mo2O7	MO	1100
Y2SiO5	KF	MO	1300-850	1-2,5	4x3x2
YVO4	V2O5	MO	1200-900	3	2
YVO4	V2O5	ВЗ/MO	1050-900	50мкм/ч	15x6
YVO4	NaVO3/Na2B4O7	MO		4 суток	15x3x3
CaMoO4	LiCl/KCl	MO			<10
CaWO4	LiCl/KCl	MO			<10
εrSiO5	РbF2/РbO	MO	950-650	2-50	3
CuWO4	NaCl, KCl	MO	1285
LaP5O14	H4P2O7	И	750		10x3
NdP5O14	H3PO4,H4P2O7	И	550	7 суток	3х3х1
NdP5O14	H4P2O7	И	750		5х1
Ln3Al5O12	РbF2/РbO	MO	1280-1150	1
SrMoO4	LiCl/KCl	MO			<10
SrWO4	LiCl/NaCl	И	950-730	40-100г	4х3х3
SrWO4	LiCl/KCl	MO			<10
SrWO4	NaCl,KCl	MO	950-650	2-50	3
LaAlO3 La2O3+Al2O3	РbF2+РbO	И	1200	100ч	3х3х0,4
LiNbO3 Li2CO3=5%мол Nb2O5=5%мол	LiCl=90%мол	MO	13012000-1250-800	5-7	1см2	Слегка розовые до коричневых
Ho3Al5O12	РbO/РbF2	MO	1350-950	1
εrAl5O12	РbO/РbF2	MO	1350-950	1
PbMoO4(Cr) PbCl2+Na2MoO4+K2CrO4	NaCl			1	Игловидно-пирамидал.,длинной 2мм, содержание Cr-1,45%
Y3GaO12 Y2O3 +Ga2O3	РbF2+РbO	МО/Г	1250 (18ч)-900 (комнатная)		Из кристалл. изгот.лазерные стержни размером дл 5,5x2x2,5мм;.содержание Pb=0,01-0,1%
Al2O3	РbF2		1280			При быстром охл-ии тонкие пластины, при уменьш. Скорости - изометрическ. кристаллы

За основу сводной таблицы была использована таблица, переработанная с учетом дополнительных сведений, взятых из первоисточников.

В первой колонке таблицы приводятся химические формулы син­тезированных кристаллов и исходных компонентов. Во второй колонке указаны составы высокотемпературных растворителей. В третьей ко­лонке представлены использованные методы выращивания или особен­ности методов.

Принять, следующие обозначения: И - испарение, МО медленное (программное) охлаждение; ДР - метод движущегося растворителя;

Но - непрограммное охлаждение, З - выращивание на затравку; Г -градиентный метод; ВЗ - выращивание на затравку, находящуюся в верхней части тигля; У — ускоренное вращение тигля. В четвертой и пятой колонках приведены значения температуры выращивания (^оС) или диапазон температур и величины скоростей роста. В некоторых случаях, при выращивании в постоянных услови­ях, скорость роста дана в мм/сутки. Шестая колонка содержит сведения о размерах или весе выращенных кристаллов. В последней колонке приводятся дополнительные данные.