|
|
360 |
|
|
|
|
Обычно |
φ1 φ2 1 эВ. |
|
|
|
|
6.7.3. Контакт двух полупроводников |
|
|
|
|
Рассмотрим контакт полупроводников p- и n-типа (ТАБЛ. 46.2). |
|
|
|
|
|
|
|
|
Таблица 46.2 |
|
До контакта |
После контакта |
|
|
|
|
– |
+ |
|
|
p |
n |
p |
– |
+ |
n |
|
|
|
|
– |
+ |
|
|
|
|
|
|
|
x |
|
Зона |
Зона |
Зона |
|
|
|
проводимости |
проводимости |
|
|
|
|
Донорные уровни |
εn |
|
|
|
проводимости |
|
|
|
|
|
|
μp |
|
|
|
μn |
εp |
Акцепторные уровни |
|
|
|
p-n-переход |
|
|
|
|
Валентная |
Валентная |
Валентная |
|
|
|
|
|
|
|
|
зона |
зона |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
зона |
В полупроводнике n-типа много свободных электронов, а в полупроводнике p-типа их нет — там дырки. Из-за этого электроны из полупроводника n-типа диффундируют в полупроводник p-типа. Этот процесс продолжается до выравнивания химических потенциалов. В области p-n-перехода дырки и электроны рекомбинируют и создаётся область, обеднённая носителями заряда и обладающая большим электрическим сопротивлением. После выравнивания химических потенциалов полупроводник p-типа заряжается отрицательно, а полупроводник n-типа — положительно. В области p-n-перехода для электронов и дырок образуется потенциальный барьер (РИС. 46.5А), который в равновесном состоянии носители преодолеть не могут (графики зависимости потенциальной энергии носителей от координаты x представлены на РИС. 46.5Б; координата x отсчитывается от середины p-n-перехода). Если наложить внешнее электрическое поле, то оно может либо увеличить величину барьера (обратное включение p-n-перехода), либо уменьшить её (прямое включение). Соответствующие электрические схемы и графики представлены в ТАБЛИЦЕ 46.3.
362
Таким образом, p-n-переход обладает односторонней проводимостью и может выполнять функцию диода в электрических цепях. Вольтамперная характеристика p- n-перехода показана на РИС. 46.6.
Вольт-амперная характеристика p-n-перехода
I
Прямое
включение
Обратное
включение
Пробой
Рис. 46.6
6.7.4. Внутренний фотоэффект
Внутренний фотоэффект — явление резкого возрастания удельной электропроводности полупроводника при освещении его поверхности.
Энергетические диаграммы, показывающие причину внутреннего фотоэффекта, приведены в ТАБЛ. 46.4.
|
|
Таблица 46.4 |
Нет освещения |
На полупроводник падает свет |
μA |
μA |
λ |
|
|
|
|
i |
п/п |
п/п |
|
|
|
Зона |
|
|
Зона |
|
|
проводимости |
|
|
проводимости |
|
|
|
|
|
ħω > εg |
|
εg |
|
|
|
|
εg |
|
|
Валентная |
|
|
Валентная |
|
|
зона |
|
|
зона |
|
|
|
|
|
|
Тока нет. |
Появляются свободные носители за- |
|
|
|
ряда. Сопротивление полупроводника |
|
|
|
резко падает и идёт ток. |
363
Красная граница внутреннего фотоэффекта — минимальная частота (макси-
мальная длина волны) падающего излучения, при которой наблюдается внутренний фотоэффект. Она определяется шириной запрещённой зоны:
c — скорость света в вакууме.
6.7.5. Фотовольтаический эффект |
|
|
|
|
|
|
|
В области p-n-перехода возникает электростатиче- |
|
|
μA |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
ское поле, характеризуемое внутренней контактной |
|
|
|
|
|
|
|
|
разностью потенциалов, однако в замкнутой цепи (в |
|
|
|
|
|
|
|
i |
отсутствие источника) ток не идёт, так как эта об- |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
– |
+ |
|
|
|
|
ласть обеднена носителями заряда. При освещении p- |
|
|
|
|
|
|
|
p |
– |
+ |
|
n |
|
|
области благодаря внутреннему фотоэффекту обра- |
|
|
|
|
– |
+ |
|
|
|
|
зуются свободные электроны и дырки. Скатываясь с |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
потенциальной горки (см. РИС. 46.5Б), электроны со- |
|
|
|
|
|
|
|
здают ток. Для дырок, образующихся в p-области, су- |
|
|
|
λ |
ществует потенциальный барьер, поэтому их нали- |
|
|
|
|
|
|
|
чие лишь повышает высоту горки. |
Рис. 46.7 |
|
Фотовольтаический эффект — явление протекания электрического тока в замкнутой цепи, содержащей p-n-переход, при освещении одной из сторон p-n-перехода (РИС. 46.7).
Демонстрация: Применение фотоэффекта
364
Лекция 47
6.8. Электропроводность газов
6.8.1. Газовый разряд
Прохождение электрического тока в газах называется газовым разрядом.
Носителями тока в газе являются электроны и положительные ионы. Модуль плотности тока в проводнике, в котором носителями являются электроны,
где n — концентрация носителей, e — элементарный заряд, v — средняя дрейфовая скорость носителей (см. 6.5). Так как v ~ E, v = u0E, где u0 — подвижность носителей;
u0 м2 .
В с
Плотность тока в газе с учётом того, что имеются два типа носителей,
— подвижность электронов, u0 — подвижность ионов.
Проводимость газов
несамостоятельная
носители тока создаются внешними источниками (космические лучи, ионизирующее излучение и т. д.)
самостоятельная
носители тока образуются за счёт внутренних процессов в разряде (электронный удар, термическая ионизация и т. д.)
6.8.2. Несамостоятельная проводимость
Пусть имеются два электрода, между которыми находится газ; l — расстояние между электродами, S — площадь электродов. Кроме того, имеется внешний источник ионизации определённой мощности. Рассмотрим две ситуации.
1. На электроды не подаётся напряжение (РИС. 47.1)
В этом случае в газе идут два процесса.
|
|
Ионизация |
|
Рекомбинация |
ni — скорость образования пар носите- |
nr — скорость уничтожения пар носи- |
число пар |
число пар |
лей |
3 |
. Определяется мощно- |
телей |
3 |
. |
|
м с |
|
|
м с |
|
стью источника ионизации. |
|
|
|
Пусть n+ — концентрация положительных зарядов (ионов), n– — концентрация отрицательных зарядов (электронов), n — концентрация пар носителей. Очевидно, что n+ = n– = n.
Скорость рекомбинации nr определяется вероятностью встречи положительного и отрицательного заряда, а эта вероятность пропорциональна концентрации зарядов. Отсюда nr ~ n+, nr ~ n–, поэтому nr ~ n2 или
nr где r — коэффициент рекомбинации;
r
В равновесном состоянии ni = nr или ni в газе может быть найдена по формуле
n
= rn2. Тогда концентрация пар носителей
Газ
S
Ионизирующее излучение
Рис. 47.1
ПРИМЕР
В воздухе за счёт космического излучения
ется 5 10 пар ионов, т. е. |
n 5 10 |
пар |
3 |
|
|
i |
с |
|
|
см |
сюда число пар носителей заряда
(ионизатор) в 1 см3 за 1 секунду образу-
. Для сухого воздуха r = 1,6∙10–6 см3/с. От-
Это очень малая величина, поэтому воздух — плохой проводник.
2. На электроды подаётся разность потенциалов U (РИС. 47.2)
При подаче напряжения убыль пар носителей происходит не только за счёт рекомбинации, но и за счёт отхода носителей под действием электрического поля к электродам. В газе между электродами идут три процесса.
Ионизация
число пар ni м3 с
Рекомбинация |
Отвод пар носителей |
|
|
|
|
электрическим полем |
n |
число пар |
n |
число пар |
|
3 |
|
j |
3 |
|
r |
|
|
|
м с |
|
|
|
м с |
|
366
– + l
Газ
S
– +
Ионизирующее излучение
Рис. 47.2
Если из объёма в единичный промежуток времени уходит nj пар носителей заряда, то в единичный промежуток времени на электрод попадает заряд e njSl и ток
|
в цепи будет равен I = e njSl. Плотность тока |
j |
I |
|
S |
|
|
|
|
|
n |
|
|
|
j |
. |
|
|
|
j |
el |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
В состоянии равновесия |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
n |
|
n |
n |
j |
|
|
i |
|
r |
|
|
|
или |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
2 |
|
j |
. |
|
ni rn |
|
el |
|
|
|
|
|
|
|
|
определяется определяется |
мощностью |
природой |
|
источника |
|
газа |
|
|
|
Возможны две предельные ситуации.
определяется
разностью
потенциалов
а) Слабое электрическое поле |
|
|
б) Сильное электрическое поле |
Если напряжённость поля |
E |
мала, то |
Все ионы достигают электродов, не |
nj << nr, т. е. убыль носителей опреде- |
успев рекомбинировать и, следова- |
ляется процессом рекомбинации; |
тельно, nj >> nr. Тогда |
|
|
|
2 |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
j |
|
|
ni |
rn . |
|
|
|
|
|
|
ni |
|
|
|
|
|
|
|
|
el |
. |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
Отсюда |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
Отсюда |
|
|
|
|
|
|
|
|
n |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
n |
|
|
|
. |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
i |
|
|
|
|
|
|
j |
|
el |
n |
. |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
r |
|
|
|
|
|
|
|
max |
|
|
i |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
Плотность тока |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
Это максимальное значение плотности |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
тока, которое может быть получено при |
|
0 |
|
0 |
|
|
|
|
j en u |
|
u |
|
|
E |
|
|
данной мощности ионизатора. |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
или |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
Поэтому удельная электропроводность
|
|
n |
|
|
const |
|
газа |
σ |
i |
и, следо- |
r |
e u0 |
u0 |
|
|
|
|
|
|
вательно, при слабых полях в газах выполняется закон Ома
j σE . |
|
Численная оценка: |
|
|
|
|
2 |
|
4 |
м |
|
. При |
Для воздуха u 10 |
с |
В |
|
|
n = 103 см–3 и E = 1 В/м j = 10–14 А/м2.
Численная оценка:
Для воздуха при ni 10 см–3с–1
j |
|
13 |
А |
. Эта плотность тока |
max |
1,6 10 |
2 |
|
|
|
м |
|
есть плотность тока насыщения.
При средних полях происходит переход от линейной зависимости к току насыщения. Вольтамперная характеристика газового разряда показана на РИС. 47.3.
j
jmax
j ~ E
Рис. 47.3. ВАХ несамостоятельного газового разряда
Так как ток насыщения пропорционален мощности ионизатора, по его значению можно судить о ионизирующей способности излучателя. На этом принципе работают ионизационные камеры (в частности, счётчик Гейгера).
6.8.3. Самостоятельная проводимость
Газовый разряд становится самостоятельным, если в нём работает независимый механизм образования пар носителей. К таким механизмам относятся:
1.Термоэлектронная эмиссия (испускание электронов нагретым катодом)
2.Вторичная электронная эмиссия (выбивание электронов с поверхности катода при бомбардировке электронами)
3.Автоэлектронная эмиссия (вырывание электронов с поверхности катода сильным электрическим полем с учётом туннельного эффекта)
4.Фотоэлектронная эмиссия
Все эти механизмы приводят к появлению электронов и ионизации газа электрон-
ным ударом.
|
|
368 |
|
|
|
Электронный удар |
|
Упругий удар |
Неупругий удар I рода |
Неупругий удар II рода |
Электрон |
почти не |
Электрон теряет часть |
Электрон теряет энер- |
теряет |
энергию. |
энергии. Атом возбуж- |
гию. Происходит иониза- |
Ионизации нет. |
дается, но ионизации |
ция атома. |
нет.
К возбуждению или ионизации атома (молекулы) приводит не любое соударение. Вероятность этого зависит от энергии ε налетающего электрона. Чем быстрее летит электрон, тем меньше время его взаимодействия с атомом. Поэтому вероятность, достигнув максимума, быстро убывает (см. диаграмму на РИС. 47.4).
Вероятность процесса
Удар I рода Удар II рода (возбуждение) (ионизация)
ε
Рис. 47.4
Виды самостоятельного разряда
1.Искровой разряд
2.Дуговой разряд
3.Коронный разряд
4.Тлеющий разряд
6.8.4. Тлеющий разряд
Рассмотрим тлеющий разряд — один из видов самостоятельного разряда, возникающего благодаря явлению ионизации электронным ударом.
Имеется колба с газом — газоразрядная трубка, в которой находятся два электрода, подключённые к источнику высокого напряжения (длина трубки l ≈ 30 50 см). Рассмотрим вкратце и качественно, что происходит в колбе в двух случаях — при различной величине давления газа.
1. Высокое давление
Разряда в колбе нет и потенциал в объёме колбы распределён линейно (РИС. 47.5).
369
– +
φ
~ 1000 В
l
Рис. 47.5
2. Низкое давление
При давлении p ≈ 50 мм рт. ст. появляется светящийся шнур. При p ≈ 5 мм рт. ст. возникает устойчивое свечение, заполняющее всю трубку.
За счёт различной подвижности электронов и ионов в трубке образуется большой объёмный положительный заряд, наличие которого приводит к перераспределению потенциала внутри трубки (РИС. 47.6). Особенно большое падение напряжения имеет место у катода.
Рис. 47.6
На РИС. 47.6 обозначены следующие области внутри газоразрядной трубки:
1.Астоново тёмное пространство
Ионы за счёт большого падения напряжения в этой области разгоняются и бомбардируют катод, выбивая электроны. Электроны не успевают разогнаться до энергии возбуждения атомов. Свечения нет.