Gurtov_TE

18.[12] Пул Ч. Нанотехнологии /Ч. Пул, Ф. Оуэнс. Техносфера, 2004. 328 с.

19.Розеншер Э., Винтер Б. Оптоэлектроника, М.: Техносфера, 2004. – 592 с.

20.Тагер А.С. Лавинно-пролетные диоды и их применение в технике СВЧ / Тагер А.С., Вальд-Перлов В.М., М.: Советское радио, 1968, 480 с.

21.[14] Трубецков Д. И. Введение в синергетику. Хаос и структуры (серия «Синергетика: от прошлого к будущему») /Д.И. Трубецков. УРСС, 2004. 240 с.

22.Твердотельная СВЧ-электроника /Электроника, 2005, № 4 (62) – 80с.

23.Усанов Д.А., Скрипаль А.В. Физика работы полупроводниковых приборов в схемах СВЧ. – Саратов: Изд-во Сарат. ун-та, 1999. – 376 с.

24.Шур М. Современные приборы на основе арсенида галлия: Пер. с англ. –

М.: Мир, 1991. – 632 с.

25.[15] Mayer J.W. Electronic materials science: for integrated circuits in Si and GaAs /J.W. Mayer, S.S. Lau, N.Y.: Machmillan Publichen Company, 1990. 476 p.

26.[16] Morgan D. V. Physics and Technology of Heterojunction Devices /D.V. London: P. Peregrims, 1991

27.Morkoz H. Nitride Semiconductors and Devices /2nd Ed; Springer Verlag, Verginia, 2006, 1000p.

28.[17] Nicollian E.H. MOS (Metal Oxide Semiconductor) Physics and Technology /E.H. Nicollian, J.R. Brews. New York: Wiley, 1982, 928 p.

29.[18] Weisbuch C. Quantum Semiconductor Structures /C. Weisbuch, B. Vinter, Boston, Academic Press, 1991

30.[19] Sah C.-T. Fundamentals of solid-state electronics /C.-T. Sah. World Scien-

tific, 1991. 1011 p.

31. [21] Sze S. M. High-Speed Semiconductor Devices /S.M. Sze, New York: Wiley, 1990

Учебники и учебные пособия

32.Аваев Н.А. Основы микроэлектроники: Учебное пособие для вузов / Н.А. Аваев, Ю.Е. Наумов, В.Т. Фролкин. – М.: Радио и связь, 1991. – 228 с.

33. [22] Алешина Л. А. Рентгенография кристаллов: Учебное пособие: /Л.А. Алешина, О.Н. Шиврин; ПетрГУ. – Петрозаводск, 2004. 320 с.

34.[23] Антониетти П. МОП-СБИС. Моделирование элементов и технологических процессов /Под ред. П. Антониетти. М.: Радио и связь, 1988. 496 с.

35. [24] Бонч-Бруевич В. Л. Физика полупроводников /В.Л. Бонч-Бруевич, С. Г. Калашников. М.: Наука, 1977. 672 с.

36.[25] Гаман В. И. Физика полупроводниковых приборов: Учебное пособие. /В.И. Гаман. Томск: Изд-во НТЛ, 2000. 426 с.

37.[26] Городецкий Л. Ф. Полупроводниковые приборы /Л.Ф. Городецкий, А.Ф. Кравченко, М.: Высшая школа, 1967, 348 с.

491

38. [27] Гуртов В. А. Твердотельная электроника: учеб. пособие / В.А. Гуртов; ПетрГУ. – Петрозаводск, 2004. – 312 с.

39.[28] Гуртов В. А. Основы физики структур металл – диэлектрик – полупроводник /В.А. Гуртов. Петрозаводск. 1983. 92 с.

40.[29] Гуртов В. А. Полевые транзисторы со структурой металл – диэлектрик – полупроводник /В.А. Гуртов. Петрозаводск, 1984. 92 с.

41.[30] Гуртов В. А. Электронные процессы в структурах металл – диэлектрик – полупроводник /В.А. Гуртов. Петрозаводск. 1984. 116 с.

42.[30] Гуртов В. А. Неравновесные процессы в структурах металл – диэлектрик – полупроводник /В.А. Гуртов. Петрозаводск. 1985. 106 с.

43. [31] Драгунов В. П. Основы наноэлектроники: учеб. пособие /В.П. Драгунов, И.П. Неизвестный, В.А. Гридчин. Новосибирск: Изд-во НГТУ, 2000. 332 с.

44.Ефимов И.Е., Козырь И.Я., Горбунов Ю.И. Микроэлектроника. Физические и технологические основы, надежность: Учеб. пособие для приборостроит. спец. вузов. – 2-е изд., перераб. и доп. – М.: Высш. шк., 1986. – 464 с.

45.[32] Киреев А. С. Физика полупроводников /А.С. Киреев. М.: Высшая

школа, 1969. 590 с.

46. [33] Киселев В. Ф. Основы физики поверхности твердого тела /В.Ф. Киселев, С.Н. Козлов, А.В. Зотеев. М.: МГУ, 1999, 284 с.

47.Ржевкин К.С. Физические принципы действия полупроводниковых приборов, М.: Изд-во МГУ, 1986. – 256 с.

48.[36] Пасынков В.В. Полупроводниковые приборы: Учебник для вузов /В.В. Пасынков, Л.К. Чиркин. 6-е изд., стер. СПб.: Лань, 2002. 480 с.

49.Пихтин А.Н. Оптическая и квантовая электроника: Учебник для вузов /А.Н. Пихтин. М.: Высшая школа, 2001. 573 с.

50. [37] Протасов Ю. С. Твердотельная электроника /Ю.С. Протасов, С.Н. Чувашев, МГТУ им. Н. Э. Баумана, 2003, 480 с.

51.[38] Степаненко И.П. Основы теории транзисторов и транзисторных схем /И.П. Степаненко. 4-е изд. М.: Энергия, 1977, 671 с.

54.Шишкин Г.Г. Приборы квантовой электроники: Учеб. пособие для вузов.

– М.: САЙНС-ПРЕСС, 2004. – 80 с.

55.[41] Ю П. Основы физики полупроводников /П. Ю, М. Кардона. Пер. с англ. И.И. Решиной. Под ред. Б.П. Захарчени. 3-е изд. М.: Физматлит, 2002. 560 с.

56.[42] Ankrum Paul D. Semiconductor electronics /D. Ankrum Paul. N.J.: Prentice Hall, Inc., Englewood Cliffs, 1971. 548 p.

492

57.[43] Brennan K.F. Physics of semiconductors with application to optoelectronic devices /K.F. Brennan. Cambridge University press, 1999. 762 p.

58.[44] Dimitrijev S. Understanding semiconductor devices /S. Dimitrijev. New York: Oxford University, 1998. 574 p.

59.[45] Leaver K. Microelectronic devices /K. Leaver. Imperial Collebye Press, UK 1997, 236 p.

60.[46] Li S. S. Semiconductor Physical Electronics /S.S. Li, New York: Plenum Press, 1993

61.[47] Mathieu H. Physique des semiconducteurs et des composants electroniques /H. Mathieu. Paris. 1995. 407 p.

62.[48] Mitchell F. Introduction to electronics design /F. Mitchell, Prentice Hall, 2-nd edit, 1998. 885 p.

63.[49] Neamen D. A. Semiconductor Physics and Devices: Basic Principles /D.A. Neamen, Homewood, IL: Irwin, 1992

64.[50] Parker G. J. Introductory Semiconductor Device Physics /G.J. Parker. Prentice Hall, 1994. 285 p.

65.[51] Pierret R. F. Field Effect Devices. Reading /R.F. Pierret, MA: AddisonWesley, 1990

Shur M. GaAs Devices and Circuits /M. Shur, New York: Plenum Press, 1997

66.[52] Shur M. GaAs Devices and Circuits /M. Shur, New York: Plenum Press, 1997

67.[53] Singh J. Semiconductor Devices /J. Singh, New York: McGraw-Hill, 1994

68.[54] Streetman B.G. Solid state electronic devices, 5 edition /B.G. Streetman, S. Banerjee, New Jersey: Prentice Hall, 2000. 558 p.

69. [55] Wang S. Fundamentals of Semiconductor Theory and Device Physics /S. Wang, Eaglewood Cliffs, NJ; Prentice Hall, 1989

Сборники задач

70.[56] Бонч-Бруевич В. Л., Звягин И. П., Карпенко И. В., Миронов А. Г. Сборник задач по физике полупроводников: Учеб. пособие для вузов. – 2-е изд., перераб. и доп. – М.: Наука. Гл. ред. физ.-мат. лит., 1987. – 144 с.

71.[57] Бурбаева Н. В., Сборник задач по полупроводниковой электронике /Н.В. Бурбаева, Т.С. Днепровская. Физматлит, 2004. 168 с.

72.[58] Гуртов В.А. Сборник задач по микроэлектронике /В.А. Гуртов, О.Н. Ивашенков. Петрозаводск. 1999. 40 с.

73.[59] Гуртов В.А. Сборник задач по физике поверхности полупроводников

/В.А. Гуртов. Петрозаводск, 1985. 92 с.

74. Sah C.-T. Fundamentals of solid-state electronics – solution manual /C.-T. Sah., World Scientific, 1996. 201 p.

493

Энциклопедии и справочники

75.[60] Отечественные полупроводниковые приборы и их зарубежные аналоги: Справочник – 4-е изд., стереотип. – /А.В. Нефедов, В.И. Гордеева. –

М.: КУбК-а, 1996. 400 с.

76.[61] Полупроводниковые приборы. Диоды высокочастотные, импульсные, оптоэлектронные приборы: Справочник – 2-е изд., стереотип. –

/А.Б. Гитцевич, А.А. Зайцев, В.В. Мокряков и др.: Под ред. А.В. Голомедова. – М.: КУбК-а, 1996. – 592 с.

77.[62] Полупроводниковые приборы. Диоды выпрямительные, стабилитроны, тиристоры: Справочник – 2-е изд. стереотип. – /А.Б. Гитцевич,

А.В. Нефедов, В.И. Гордеева. М.: КубК-а, 1996. 420 с.

79.[64] Полупроводниковые приборы: Справочник. Транзисторы /Под общ. ред. Н.А. Горюнова. М.: Энергоиздат, 1985. 1802 с.

80.[65] Полупроводниковые приборы: Справочник. Диоды, тиристоры, оптоэлектронные приборы /Под общ. ред. Н.А. Горюнова. М.: Энергоиздат, 1987. 743 с.

81.Словарь по электронике (английский, немецкий, французский, испанский,

русский). – М.: Рус. яз., 1988. 560 с.

82.[66] Физика твердого тела: Энциклопедический словарь /Гл. ред. В.Г. Барьяхтар, Киев: Наукова думка, Т. 1, 1996, 656 с., Т.2. 1998,648 с.

83.[67] Физический энциклопедический словарь. /Гл. ред. А.М. Прохоров. Ред. кол. Д.М. Алексеев, А.М. Бонч-Бруевич, А.С. Боровик-Романов и др. – М.: Сов. энциклопедия, 1984. – 944 с.

84.Электроника: Энциклопедический словарь /Гл. ред. В.Г. Колесников, – М.: Сов. энциклопедия, 1991. – 688 с.

494

Предметный указатель

Активный режим Акцепторы Антимонид индия Арсенид галлия База

— диода —, сопротивление

—, — диффузионное —, — объемное —, ток

—транзистора, область активная —, толщина Барьер Шоттки Варикапы

Включение инверсное

—нормальное

Вольт-амперная характеристика

—— биполярного транзистора

—— диода Ганна

—— p-n перехода

—— стабилитрона

—— тиристора

—— туннельного диода

—— транзистора, область активная Вольт-фарадная характеристика

——, высокочастотная

——, низкочастотная

Время жизни носителей

—— — эффективное

—пролета носителей

—рассасывания

—релаксации

—спада импульса

—фронта импульса Высокотемпературные полупроводники Гамильтона оператор Ганна эффект

—диод

——, режим пролетный

Генерация носителей

495

Генерации-рекомбинации эффект Германий Гетеропереход

Граничная частота усиления по току Дебая длина Диак Диод

—p-i-n

—Ганна

—лавинно-пролетный

—обращенный

—опорный

—с p-n переходом

—с гетеропереходом

—туннельный

—Шоттки Диодный тиристор Диодная теория

Диффузионная емкость Диффузия —, время

—, длина (диффузионная длина) —, коэффициент —, скорость —, уравнение

—, — граничные и начальные условия Диэлектрик

—подзатворный

Длина экранирования дебаевская Дрейф —, скорость

Домены электрические Доноры Дырки

— избыток —, тяжелые и легкие

Емкость барьерная

—p-n перехода Емкость диффузионная

—— p-n перехода

—— эмиттера

—коллектора

—— p-n перехода

496

Заселенность инверсная Затвор Зона валентная

—запрещенная —, образование

—проводимости

—разрешенная Зоны «плоские» Инверсия

—слабая

—сильная

Индий Инжекция носителей

—— коэффициент

—— лавинная Ионизация ударная Изгиб энергетических зон Канал инверсионный Карбид кремния Квазиимпульс Коллектор —, емкость

—, проводимость —, сопротивление —, ток

Контакт выпрямляющий

—металл – полупроводник

—невыпрямляющий

—омический (неинжектирующий) Контактная разность потенциалов Концентрация —, градиент

—носителей, закон распределения

—поверхностная

—примесей,

—собственная

—, равновесная Кремний Крутизна Кубит

Лавинный процесс

— диод Легирование

497

Локализации носителей расстояние среднее Уровни рекомбинационные Максвелла – Больцмана функция

— статистика Масса эффективная (электронов и дырок) МДП-структура

—идеальная МДП-транзистор —, КМОП МНОП-структура МОП-структура Металл Метод ВФХ

—дифференциальный (Термана)

—интегральный (Берглунда)

—температурный (Грея-Брауна) Микроминиатюризация Модель Гоетцбергера конденсаторная Модуляция ширины базы

—эффект

Накопление носителей в базе Накопления заряда эффект Наноэлектроники приборы Напряжение отсечки

—«плоских зон»

—пороговое Напряжение пробоя

—— туннельного

—— лавинного Насыщение —, режим

Насыщения области характеристик

—ток

Неустойчивость зарядовая Нитрид галлия Нитрид кремния Носители заряда —, генерация —, движение —, диффузия —, дрейф —, концентрация

— неосновные

498

—неравновесные

—основные

Обеднение —, область

Область пространственного заряда

—сильной инверсии

—слабой инверсии

Обогащение —, область Обратная связь

— коэффициент Обратного сопротивления восстановление

Отрицательное дифференциальное сопротивление Отсечка —, режим

Памяти элемент Паули принцип запрета

Передачи тока коэффициент Переноса носителей коэффициент Переход гетерогенный и гомогенный

—металлургический

—несимметричный

—физический

—электронно-дырочный ПЗС Планарная технология

Поверхностные состояния

—донорные

—акцепторные

—моноэнергетические

—квазинепрерывно распределенные —, континиум

—энергетическая плотность

—емкость

Поверхностный потенциал —, флуктуации

—— технологические

—— статистические Подвижность носителей

——, зависимость от концентрации

——, — от температуры Подложка Поле внутреннее

499

Полупроводник вырожденный

—акцепторный

—вырожденный

—донорный

—дырочный

—невырожденный

—примесный

—собственный

—электронный Поля эффект

Потенциал электростатический

—поверхностный

—«пороговый»

—«плоских зон» Потенциальный барьер Предел квантовый Пробой диода

—лавинный

—тепловой

—туннельный (зенеровский)

—электрический

Проводимость

—дырочная

—электронная

Проводимости зона Прямого сопротивления установление Пуассона уравнение Рекомбинация

—безызлучательная

—излучательная Решетка кристаллическая —, постоянная Светодиод

—видимого диапазона

—инфракрасного диапазона

—с гетеропереходом СВЧ диоды Связь валентная

—ионная

—ковалентная (гомеополярная) Семистор Слабого поля критерий Слой инверсный

500