Варианты 2.1 – 2.12
Р-n-переход используется в качестве переменного резистора в аттенюаторе, схема которого показана на рис. 3.
Вычислить величину дифференциального сопротивления диода как функцию Ii.
Смещение на диоде задается источником постоянного тока I, а связь между сигналами осуществляется через конденсатор емкостью С, реактивное сопротивление
Рис.3
которого пренебрежимо мало по сравнению с сопротивлением резистора Ri. Вычислите и постройте зависимость ослабления сигнала по напряжению в децибелах [20 lg(Uвых/Uвх)] от величины тока Ii. Ток насыщения можно взять равным I0 = 1мкА.
Вычислите емкость и толщину обедненного слоя при обратном напряжении смещения Uобрi, если изменение плотности заряда по обе стороны резкого p–n-перехода представляет собой ступенчатую функцию, т. е. NAi > NDi. Принять s = 16, S = 10-6 м2.
Построить энергетическую диаграмму p–n-перехода для заданного Uобрi.
Численные значения исходных данных, необходимых для выполнения задания по вариантам 2.1 – 2.12, представлены в табл. 2.
Таблица 2
№ варианта |
Ri, кОм |
Ii, мА |
NAi, см-3 |
NDi, см-3 |
Uобрi, B |
2.1 |
1,0 |
0,01–0,1 |
11017 |
21015 |
0,2 |
2.2 |
1,3 |
0,01–0,1 |
51017 |
41015 |
0,4 |
Окончание табл. 2
№ варианта |
Ri, кОм |
Ii, мА |
NAi, см-3 |
NDi, см-3 |
Uобрi, B |
2.3 |
1,5 |
0,01–0,1 |
11018 |
61015 |
0,6 |
2.4 |
1,7 |
0,01–0,1 |
51018 |
81016 |
0,8 |
2.5 |
1,9 |
0,10–1,0 |
11019 |
11017 |
1 |
2.6 |
2,1 |
0,10–1,0 |
51019 |
51017 |
1,2 |
2.7 |
2,3 |
0,10–1,0 |
11020 |
21015 |
1,4 |
2.8 |
2,7 |
0,10–1,0 |
2,51017 |
11015 |
1,6 |
2.9 |
2,9 |
1,0–10,0 |
2,51018 |
81014 |
1,8 |
2.10 |
3,1 |
1,0–10,0 |
2,51019 |
61014 |
2 |
2.11 |
3,5 |
1,0–10,0 |
7,51017 |
41014 |
2,2 |
2.12 |
3,7 |
1,0–10,0 |
7,51018 |
21014 |
2,4 |
Задание к вопросу о методе формирования
полупроводниковой структуры
2.1. Получение на поверхности кремния слоев SiO2 методом термического окисления.
2.2. Анодное электролитическое оксидирование поверхности кремния.
2.3. Механизм ионного легирования при ориентированном внедрении ионов.
2.4. Механизм ионного легирования при разориентированном внедрении ионов.
2.5. Распределение концентрации примесей в ионно-легированных слоях.
2.6. Преимущества и недостатки ионного легирования полупроводников.
2.7. Термовакуумный метод нанесения пленок.
2.8. Получение тонких пленок при распылении ионной бомбардировкой.
2.9. Получение тонких пленок при осаждении металла из электролита и растворов.
2.10. Разделение пластин и подложек с готовыми структурами при сборке интегральных микросхем.
2.11. Основные методы сборки интегральных микросхем.
2.12. Монтаж кристаллов при сборке интегральных микросхем.